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公开(公告)号：CN113737148A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110985926.0
申请日：2021-08-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于半导体薄膜生长技术领域，公开了一种优化分子束外延薄膜均匀性的方法，包括基于源炉‑衬底相对位置信息和源炉束流角度分布信息建立外延薄膜均匀性模型；针对外延薄膜均匀性模型，采用多参数优化方法计算得到外延薄膜均匀性最优时对应的最优目标参数；采用蒙特卡洛方计算得到源炉内坩埚的内壁形状与源炉束流角度分布之间的关系式；根据最优源炉束流角度分布参数和上述关系式计算得到源炉内坩埚最优的内壁形状参数；将最优源炉‑衬底相对位置参数和源炉内坩埚最优的内壁形状参数作为最优装备参数，基于最优装备参数进行分子束外延装备的设计和制备薄膜。本发明能够有效提高外延生长过程中薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN102581606A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210057538.7
申请日：2012-03-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种高压输电线路防振锤安装拆卸装置，包括一端通过夹持机械臂驱动机构设置在行走机器人（1）上并能在夹持机械臂驱动机构的驱动下做水平往复和垂直上下运动的夹持机械臂（4）、以及一端通过拧螺母机械臂驱动机构设置在行走机器人（1）上并能在拧螺母机械臂驱动机构的驱动下做水平往复和垂直上下运动的拧螺母机械臂（5）；所述夹持机械臂（4）另一端设有夹持末端组件；所述拧螺母机械臂（5）另一端设有拧螺母末端组件。因此，本发明具有如下优点：1.实现了高压输电线路维护过程中防振锤的更换，可将行走机器人上搭载的防振锤安装到线路上，也可将线路上损坏的防振锤取下；2.可替代人工作业，效果好，效率高，成本低。
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公开(公告)号：CN118668293B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410712478.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种集成原位测量的分子束外延薄膜生长系统，属于半导体薄膜测量技术领域，所述生长系统包括，真空反应腔室，设置有安装口且底端部分或全部由透光材料构成，用于提供反应环境，安装口用于安装炉源；样品台，设置于真空反应腔室内；第一驱动组件，设置于真空反应腔室外且通过连杆与样品台连接，用于驱动样品台和调节样品台的位置；宽光谱监测装置，设置于真空反应腔室的底部，包括第二驱动组件和监测组件；第二驱动组件带动的监测组件与第一驱动组件驱动的样品台上的样品保持同步运动，获取薄膜生长的信息。本发明可实现半导体薄膜厚度非接触式、原位在线监测，在不影响薄膜生长的情况下得到精确的薄膜厚度数据。
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公开(公告)号：CN118483871A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410553928.6
申请日：2024-05-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开一种等离子体辅助的纳米压印装置及方法，装置包括压印腔、纳米压印机构、等离子体清洗机构、第一机械臂、第三机械臂及第二机械臂；压印腔为一能够调整真空度的相对密封腔，用于提供压印操作空间，压印腔内至少配置有料仓；通过三个机械臂控制纳米压印动作，常压环境下进行纳米压印，所述等离子体清洗机构在真空环境中产生等离子体消除纳米压印表面或图案上的残余颗粒，通过循环进行光刻胶涂抹，纳米压印，UV(紫外光)固化，等离子体清洗，结构填充流程，可实现洁净三维结构的纳米压印。本发明通过计算机操控机械臂完成图案或三维结构的纳米压印过程，实现人机协调控制的纳米压印，通过等离子体消除纳米压印残余颗粒，获得洁净纳米压印表面，图案或三维结构，提升纳米压印的加工精度和制造器件的性能。
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公开(公告)号：CN117613081A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311844910.3
申请日：2023-12-28
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/16 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于异质结构的N型金刚石HEMT器件及其制备方法，首先准备异质衬底；然后采用MPCVD工艺，在异质衬底上外延纳米金刚石沟道层，形成所述异质外延N型纳米金刚石，此时异质衬底作为势垒层；在纳米金刚石沟道层上继续外延多晶金刚石作为绝缘衬底；在势垒层背面沉积钝化层；利用刻蚀工艺刻蚀掉部分钝化层直至露出势垒层，分别形成源极区域、漏极区域和栅极区域，其中栅极区域位于源极区域、漏极区域的中间；在源极区域、漏极区域和栅极区域分别制备电极，形成源极、漏极和栅极，完成N型金刚石HEMT器件的制备。本发明制备的HEMT器件中，基于异质结的纳米金刚石的电子迁移率高达1000cm2/V·s～3000cm2/V·s，解决了金刚石N型器件无法实际应用的困局。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115116833A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210659786.2
申请日：2022-06-13
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/228 , H01L21/67
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种激光诱导单晶金刚石表面掺杂的装置及方法。本发明采用超短脉冲激光将含有掺杂元素的掺杂溶液进行激发、电离，产生掺杂粒子，利用超短脉冲激光使掺杂粒子注入至金刚石的表面，在金刚石的表面诱导产生掺杂导电层。本发明能够制备电导率良好的金刚石掺杂层，同时也能够灵活选择掺杂区域和掺杂浓度，制备重掺杂区域，能够实现性能优异的金刚石半导体材料的制备。
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公开(公告)号：CN118905729B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411113510.X
申请日：2024-08-14
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种半球形金刚石窗口磨抛装置及其磨抛方法。该装置包括：旋转夹持机构，用于固定并控制所述被打磨物体进行转动；研磨颗粒输送机构，通过移动机构驱动，用于向被打磨物体的待打磨表面输送带电的研磨颗粒；电场发生组件，至少包括一移动电极，通过移动机构在待打磨区域产生远离或者靠近被打磨物体的待打磨表面的电场，通过电场驱动研磨颗粒输送至被打磨物体的待打磨表面，在被打磨物体的旋转运动下实现研磨。
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公开(公告)号：CN119372769A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411698819.X
申请日：2024-11-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及集成电路半导体制造的技术领域，具体涉及一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方法，包括第一保温桶，所述第一保温桶中心轴处设置有横截面为长方形的晶体生长通道，所述第一保温桶的侧壁开设有分别贯通侧壁且与晶体生长通道连通的第一气流通道、第二气流通道和第三气流通道，所述第一气流通道的内径、第二气流通道的内径和第三气流通道的内径依次增大，所述第二气流通道和第三气流通道沿第一保温桶的外径均匀分布，第一气流通道位于第二气流通道和第三气流通道下方。本发明的上热场结构，通过开设不同内径的气流通道，改善热场的方式更为灵活，通过控制气流通道的开启和关闭能有效调节炉内温场分布。
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公开(公告)号：CN115116833B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202210659786.2
申请日：2022-06-13
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/228 , H01L21/67
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种激光诱导单晶金刚石表面掺杂的装置及方法。本发明采用超短脉冲激光将含有掺杂元素的掺杂溶液进行激发、电离，产生掺杂粒子，利用超短脉冲激光使掺杂粒子注入至金刚石的表面，在金刚石的表面诱导产生掺杂导电层。本发明能够制备电导率良好的金刚石掺杂层，同时也能够灵活选择掺杂区域和掺杂浓度，制备重掺杂区域，能够实现性能优异的金刚石半导体材料的制备。
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公开(公告)号：CN118951895A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411075205.6
申请日：2024-08-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于数字孪生的半球形结构陀螺仪FIB抛光修正装置。包括：真空腔，其内设置有移动台；转动机构，设置在移动台上，用于固定并控制被抛光物体进行转动；聚焦离子束发射单元，用于抛光被抛光物体；监测组件，包括振动性检测单元、粗糙度检测单元、表面损伤检测单元和温度检测单元，监测组件用于获取被抛光物体的振动性、粗糙度、表面损伤和温度；数字孪生平台，用于获取监测组件检测到的振动性、粗糙度、表面损伤和温度，并根据振动性、粗糙度、表面损伤和温度对抛光过程进行分析模拟，以生成调控指令，调控指令用于调控聚焦离子束发射单元的聚焦离子束的能量、聚焦离子束的束流密度和转动机构的转速。
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