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公开(公告)号：CN119438080A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411514516.8
申请日：2024-10-29
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N21/01 , H01M4/1397 , G01N21/84
Abstract: 本发明涉及电化学电池的技术领域，具体涉及一种单个二维材料纳米片电极原位光学观测装置及观测方法，包括底盘和透明观测盖，所述底盘和透明观测盖之间夹设有纳米片电极、对/参比电极和电解液，所述纳米片电极与对/参比电极至少部分浸没于电解液中，所述对/参电极和所述纳米电极外接了电极引线，所述纳米片电极由基底、设置于基底表面的单个二维材料纳米片、覆设于基底表面并与单个二维材料纳米片接触的导电金属膜组成。采用本发明的装置，还原了真实电池环境，可以直接通过光学显微镜观测到单个二维材料纳米片电极结构形态在充放电过程中的实时演变，有利于捕捉瞬时变化。
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公开(公告)号：CN119297190A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411446203.3
申请日：2024-10-16
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及镁基电池电极材料的技术领域，具体涉及一种超薄共形PEDOT涂层包覆的VSe2自支撑结构电极、其制备方法及应用，步骤为：真空抽滤法制备碳纳米管膜集流体；常压化学气相沉积生长VSe2鳞片；在制备的一体电极表面采用EDOT单体和氧化剂反复交替脉冲喷入沉积，得到PEDOT涂层包覆的VSe2自支撑结构一体电极。本发明的制备方法简单，可控。无额外的添加成分，因此无非活性物质的额外重量，1T相的VSe2具有金属性质，电导率可达1000S cm‑1具有很强的电子转移能力而不需要额外的导电剂。具有高导电、高比容量的特性，并通过PEDOT涂层包覆解决离子反复插脱层间引起的机械退化问题。
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公开(公告)号：CN118951895A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411075205.6
申请日：2024-08-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于数字孪生的半球形结构陀螺仪FIB抛光修正装置。包括：真空腔，其内设置有移动台；转动机构，设置在移动台上，用于固定并控制被抛光物体进行转动；聚焦离子束发射单元，用于抛光被抛光物体；监测组件，包括振动性检测单元、粗糙度检测单元、表面损伤检测单元和温度检测单元，监测组件用于获取被抛光物体的振动性、粗糙度、表面损伤和温度；数字孪生平台，用于获取监测组件检测到的振动性、粗糙度、表面损伤和温度，并根据振动性、粗糙度、表面损伤和温度对抛光过程进行分析模拟，以生成调控指令，调控指令用于调控聚焦离子束发射单元的聚焦离子束的能量、聚焦离子束的束流密度和转动机构的转速。
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公开(公告)号：CN118848679A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411075203.7
申请日：2024-08-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于数字孪生的半球形结构陀螺仪Ar离子抛光修正装置。包括：真空腔；转动机构，设置在真空腔的底部，可控制固定在转动机构上的被抛光物体进行转动；Ar离子束发射单元，用于抛光被抛光物体；检测组件，包括粗糙度检测单元、损伤检测单元和振动检测单元，用于检测被抛光物体的粗糙度，检测被抛光物体的表面损伤，检测被抛光物体的振动性；数字孪生平台，用于获取检测组件检测到的粗糙度、表面损伤和振动性，并根据粗糙度、表面损伤和振动性对抛光过程进行分析模拟，以生成调控指令，调控指令用于调控Ar离子束发射单元的Ar离子束能量、Ar离子束的角度和转动机构的转速。
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公开(公告)号：CN118848678A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411075199.4
申请日：2024-08-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于数字孪生的半球形结构陀螺仪磁流体抛光修正装置。包括：磁流体腔，其内具有磁流体溶液和被抛光物体，所述磁流体腔可进行转动；磁场生成单元，包括内抛光磁极、外抛光磁极和磁场控制器，用于生成磁场以控制所述磁流体溶液中的磁流体抛光所述被抛光物体的表面，所述磁场控制器用于控制所述磁场的强度；监测组件，包括粗糙度检测单元和振动性检测单元，用于检测所述被抛光物体的粗糙度和振动性；数字孪生平台，用于获取所述监测组件检测到的粗糙度和振动性，并进行模拟分析，以生成控制指令，所述控制指令用于控制所述磁场的强度、磁流体溶液中磁流体的比例和所述磁流体腔的转速。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118483871A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410553928.6
申请日：2024-05-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开一种等离子体辅助的纳米压印装置及方法，装置包括压印腔、纳米压印机构、等离子体清洗机构、第一机械臂、第三机械臂及第二机械臂；压印腔为一能够调整真空度的相对密封腔，用于提供压印操作空间，压印腔内至少配置有料仓；通过三个机械臂控制纳米压印动作，常压环境下进行纳米压印，所述等离子体清洗机构在真空环境中产生等离子体消除纳米压印表面或图案上的残余颗粒，通过循环进行光刻胶涂抹，纳米压印，UV(紫外光)固化，等离子体清洗，结构填充流程，可实现洁净三维结构的纳米压印。本发明通过计算机操控机械臂完成图案或三维结构的纳米压印过程，实现人机协调控制的纳米压印，通过等离子体消除纳米压印残余颗粒，获得洁净纳米压印表面，图案或三维结构，提升纳米压印的加工精度和制造器件的性能。
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公开(公告)号：CN118028782B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410437019.6
申请日：2024-04-12
Applicant: 武汉大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/48 , C23C16/26 , C23C16/30
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，公开了一种制备二维晶体材料的装置及方法。本发明在原子层沉积的单原子层沉积周期内，利用沉积单元沉积形成二维非晶薄膜，利用激光系统操控沉积薄膜表面的原子键断裂、成键和原子排布，使沉积的二维非晶薄膜变为二维晶体薄膜；在沉积过程中，通过上位机接收来自监测单元的监测结果信息，并根据监测结果信息对激光系统的参数、沉积单元的参数中的至少一种参数进行实时调控。本发明能够有效提升二维晶体薄膜生长效率，缩短制备时长，避免易氧化材料氧化，能够制备得到高质量的二维晶体材料。
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公开(公告)号：CN118028782A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410437019.6
申请日：2024-04-12
Applicant: 武汉大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/48 , C23C16/26 , C23C16/30
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，公开了一种制备二维晶体材料的装置及方法。本发明在原子层沉积的单原子层沉积周期内，利用沉积单元沉积形成二维非晶薄膜，利用激光系统操控沉积薄膜表面的原子键断裂、成键和原子排布，使沉积的二维非晶薄膜变为二维晶体薄膜；在沉积过程中，通过上位机接收来自监测单元的监测结果信息，并根据监测结果信息对激光系统的参数、沉积单元的参数中的至少一种参数进行实时调控。本发明能够有效提升二维晶体薄膜生长效率，缩短制备时长，避免易氧化材料氧化，能够制备得到高质量的二维晶体材料。
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公开(公告)号：CN119400791A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411446199.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 武汉大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/1397 , H01M4/136 , H01M12/00
Abstract: 本发明涉及电极材料的技术领域，具体涉及一种垂直取向的二硒化钒纳米片自支撑电极、其制备方法及应用，步骤：真空抽滤法制备碳纳米管膜集流体；使用具有单独温度控制的两区管式炉，将Se粉至于上游温区，将VCl3粉置于上游温区与下游温区之间，将碳纳米管膜集流体置于VCl3粉下游处，在一定载气量的惰性气氛下将上游温区和下游温区分别加热至350～370℃和600～650℃并保持一定时间，随后自然冷却，最终得到直接生长在碳纳米管膜集流体表面的垂直取向的二硒化钒纳米片自支撑电极。本发明制备方法简单，高效，可控。制备的自支撑电极具有高导电和高比容量的特性，在镁锂混合电池的应用中实现优异的容量、倍率能力和循环稳定性。
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公开(公告)号：CN119259395A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411352051.0
申请日：2024-09-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种基于聚脲增强抗冲击性的纳米压印模具的制造方法，通过分子层沉积方式在纳米压印模具结构层沉积聚脲薄膜，使聚脲薄膜均匀共型包覆在纳米压印模具的结构层表面，以此通过聚脲薄膜抵抗纳米压印过程中产生冲击，降低压印模具所受到的冲击力，防止压印过程中模具产生裂纹或断裂等缺陷，增强纳米压印模具抗冲击性，延长纳米压印模具的使用寿命、降低成本。本发明制得的基于聚脲增强抗冲击性的纳米压印模具，结构层包覆的聚脲厚度均匀，相比于Si、SiO2或Ni等模具材料具有更强的疏水性，有助于减少模具脱模时与压印胶的粘连，能够确保压印得到的结构或器件的质量和精度。
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