公开(公告)号：CN105474409A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046204.7

申请日：2014-08-15

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 辻孝辅 ,  马尔万·达姆林 ,  松原萌子 ,  中原正博 ,  和辻隆

IPC: H01L31/0224 ,  H01B1/22

CPC classification number: H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种糊状组合物，以及具备使用该糊状组合物而形成的背面电极的太阳能电池元件，所述糊状组合物用于在硅半导体基板的背面上形成电极，其能够在增大开路电压的同时，抑制电流密度减小。该糊状组合物用于在构成晶体硅太阳能电池的硅半导体基板的背面上形成电极，该糊状组合物含有铝粉、Al-B合金粉末、玻璃粉及有机载体。该糊状组合物中硼的浓度为0.005质量％以上且在0.05质量％以下。

公开(公告)号：CN118984816A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202380030117.1

申请日：2023-03-23

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 辻孝辅 ,  铃木绍太 ,  黑木崇志

IPC: C03C8/16 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明涉及一种TOPCon型太阳能电池电极用导电性铝膏组合物，其含有铝‑硅合金粉末、有机载体及玻璃粉末，并满足下述(1)及(2)：(1)所述铝‑硅合金粉末的硅浓度为30质量%~40质量%；(2)所述玻璃粉末含有第一玻璃粉末与第二玻璃粉末，所述第一玻璃粉末以氧化物摩尔%表述含有45~71%的PbO、5~35%的B2O3、0.1~25.0%的SiO2，且设定为含有x%的所述B2O3、y%的所述SiO2、z%的所述PbO时，[(x+y)/z]的值为0.40~1.00，所述第二玻璃粉末以氧化物摩尔%表述含有35.0~55.0%的B2O3、5.0~10.0%的SiO2、1.0~20.0%的BaO、5.0~25.0%的CaO、3.0~30.0%的K2O，且实质上不含PbO。

公开(公告)号：CN105766070B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201480064315.0

申请日：2014-11-28

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 辻孝辅 ,  小池和德 ,  川岛桂 ,  土屋权寿 ,  今井信治

IPC: H05K3/06 ,  C23F1/20

Abstract: 本发明涉及一种电路基板的制造方法以及通过这样的方法能够制造的电路基板，电路基板的制造方法包括：准备至少在表面含有硅的基板的工序；在该基板上涂敷包含铝粒子的膏剂(4)的工序；通过对涂敷了该膏剂(4)的该基板进行烧成而在该基板上形成导体层(5)的工序；在该导体层(5)上形成特定图案的抗蚀膜(6)的工序；以及通过蚀刻液来除去未形成该抗蚀膜(6)的部分的该导体层(5)的工序，该蚀刻液包含标准电极电位取比铝的标准电极电位大的值的金属M的金属离子和氟化物离子。

公开(公告)号：CN105474409B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201480046204.7

申请日：2014-08-15

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 辻孝辅 ,  马尔万·达姆林 ,  松原萌子 ,  中原正博 ,  和辻隆

IPC: H01L31/0224 ,  H01B1/22

CPC classification number: H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种糊状组合物，以及具备使用该糊状组合物而形成的背面电极的太阳能电池元件，所述糊状组合物用于在硅半导体基板的背面上形成电极，其能够在增大开路电压的同时，抑制电流密度减小。该糊状组合物用于在构成晶体硅太阳能电池的硅半导体基板的背面上形成电极，该糊状组合物含有铝粉、Al‑B合金粉末、玻璃粉及有机载体。该糊状组合物中硼的浓度为0.005质量％以上且在0.05质量％以下。

公开(公告)号：CN105766070A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064315.0

申请日：2014-11-28

Applicant: 东洋铝株式会社

Inventor： 辻孝辅 ,  小池和德 ,  川岛桂 ,  土屋权寿 ,  今井信治

IPC: H05K3/06 ,  C23F1/20

CPC classification number: H05K3/067 ,  C23F1/20 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/032 ,  H05K1/092 ,  H05K3/061 ,  H05K3/381 ,  H05K2201/017 ,  H05K2203/0384 ,  H05K2203/0502

Abstract: 本发明涉及一种电路基板的制造方法以及通过这样的方法能够制造的电路基板，电路基板的制造方法包括：准备至少在表面含有硅的基板的工序；在该基板上涂敷包含铝粒子的膏剂(4)的工序；通过对涂敷了该膏剂(4)的该基板进行烧成而在该基板上形成导体层(5)的工序；在该导体层(5)上形成特定图案的抗蚀膜(6)的工序；以及通过蚀刻液来除去未形成该抗蚀膜(6)的部分的该导体层(5)的工序，该蚀刻液包含标准电极电位取比铝的标准电极电位大的值的金属M的金属离子和氟化物离子。