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公开(公告)号:CN115271035A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210798988.5
申请日:2022-07-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06N3/04 , G06N3/08 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82
Abstract: 本发明涉及从宽度扩展网路的DCNN结构及应用该DCNN结构的图像分类算法。采用具备若干支路网络的DCNN结构,且最后的全连接层可以连接多个卷积层的参数。本发明从增加DCNN模型宽度的角度出发,提出多路径DCNN(MP‑DCNN,Multi Path‑DCNN)模型,通过扩展网络的宽度,获取更丰富的网络特征,提升网络的分类性能。经过网络层不断细化特征,晶圆图的部分特征会存在丢失的情况,从不同的卷积层获取的晶圆图特征,存在相互补充的作用,使得最终的晶圆图特征更加完整。多路径DCNN是在原有的DCNN结构的基础上,增加支路网络,使最后的全连接层可以连接多个卷积层的参数,从而获得更多的图像信息,丰富网络学习的细节特征,提升DCNN网络的性能。
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公开(公告)号:CN110705570B
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN201910891187.1
申请日:2019-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种图像特征识别方法,包括提供图像数据集,对所述图像数据集中的每个图像进行形态学处理,并将形态学处理后的图像和原图像结合;将结合后的图像根据已知的标签使用矩形框标出设定特征的位置;将所述图像数据集中的图像随机分为训练集和验证集;利用深度残差网络标记所述设定特征点的位置并对所述训练集进行学习训练,以得到神经网络;利用所述神经网络对所述验证集中的图像进行试验,直到所述神经网络达到控制要求。本发明使用残差网络有效地提高了图像中设定特征位置识别的准确度,并且未对图像的轮廓进行分割处理,可以有效地保留了图像中的所有特征,取得良好的实验结果。
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公开(公告)号:CN110658828A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201911025612.5
申请日:2019-10-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05D1/02
Abstract: 本发明公开了一种地貌自主探测方法及其无人机,深度摄像机、惯性传感器、激光雷达、超声波传感器和机载电脑模组,所述深度摄像机、所述惯性传感器、所述激光雷达和所述超声波传感器分别和所述机载电脑模组电性连接,通过获取深度摄像机采集的视觉移动数据和惯性传感器采集的惯性数据,融合处理得到里程计消息,根据所述里程计消息计算并得到航行的距离及姿态,然后获取激光雷达采集的周围环境轮廓数据,并融合所述航行的距离和姿态,绘制地图,再融合超声波传感器采集的避障数据,实现无人机的避障功能,可在无GPS的未知环境中获取环境的三维信息,实现自主导航与地图构建。
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公开(公告)号:CN109782158A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201910127979.1
申请日:2019-02-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/316
Abstract: 本发明公开一种基于多级分类的模拟电路诊断方法,基于多级分类的思想,从频域分析和时域分析相结合出发,首先对测试电路进行原理解析,观察待测电路的频谱特性,从上、下限截止频率的变化对故障进行初级定位。初级定位之后,故障范围进一步缩小,之后通过多分辨率分析提取电路故障信号的特征,形成故障特征集,最后采用支持向量机精确识别各种故障。本发明可以快速有效的实现模拟电路故障的准确定位。
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公开(公告)号:CN119717360A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411944267.6
申请日:2024-12-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明所涉及金属微纳光学器件技术领域,尤其涉及一种集成电路光网络技术领域的一种基于表面等离激元的谐振环‑MIM波导的电光逻辑门器件。其中器件结构包括由二氧化硅狭缝形成的谐振环‑MIM波导组合结构,以及设置在MIM波导结构中通过电压信号控制光信号耦合传输的光路耦合结构。本发明通过采用时域有限差分法(FDTD),利用表面等离激元可以突破衍射极限的特性,可以在纳米尺度上来实现对全光逻辑门的设计操作与集成。实现与门、或门、异或门,并且在同一结构先实现不同逻辑功能的快速高效转换。该发明在光信号处理、超紧凑光子集成器件、传感技术领域极具应用前景,助力光子集成器件小型化、多功能化,降低能耗,给集成光学调控赋予灵活调控信息处理的能力。
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公开(公告)号:CN110243289B
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN201811606986.1
申请日:2018-12-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种实时云纹干涉图高速相位提取系统,包括相位测量系统和控制模块,所述测量系统包括激光器、分光耦合器、相移器、隔振平台、底座、平移台、多维调节加载架、试件放置台、云纹干涉光路结构、可调节支杆、图像采集模块;所述控制模块与图像采集模块电连接;激光器、分光耦合器、相移器、底座设置于所述隔振平台上,平移台设置于底座上,多维调节加载架设置于平移台上,试件放置台设置于多维调节加载架上,激光器通过分光耦合器与云纹干涉光路结构连接,云纹干涉光路结构设置于试件放置台的上方空间;移相器与试件放置台连接;激光器发出的光经过云纹干涉光路结构后照射到待测试件表面,由待测试件反射至图像采集模块中。
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公开(公告)号:CN116486176A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202310520013.0
申请日:2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06T5/20 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提出一种基于注意力空间金字塔池化的晶圆图故障模式识别方法,该方法结合深度卷积神经网络(DCNN)和注意力空间金字塔池化(ESPP)构建多尺度特征融合深度学习模型用于晶圆图故障模式识别。本发明基于Pytorch框架实现对晶圆图故障模式的检测识别算法,提出一个新颖的深度学习模型用于检测识别晶圆图故障模式。使用DCNN相比浅层的CNN能够更好的提取晶圆图故障特征,ESPP能够很好的解决晶圆图故障模式的类间相似性和类内相异性问题,多尺度特征融合能够将DCNN所提取晶圆图故障的浅层特征与深层特征相融合,进而可以更加准确的识别晶圆图故障模式。本发明能够提高半导体芯片制造过程中晶圆图故障模式的识别准确率,有利于提高半导体芯片生产的良率,对于国家半导体制造技术的发展具有极大的现实意义。
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公开(公告)号:CN113450267B
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202110529381.2
申请日:2021-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及基于深度学习的计算机视觉技术领域,尤其涉及一种可快速获取多种自然退化图像复原模型的迁移学习方法;包括如下步骤:人工合成自然退化图像通用数据集;利用自然退化图像通用数据集对深度卷积神经网络进行预训练,得到通用复原模型;采用针对特定退化现象的数据集对通用复原模型进行迁移学习,对其部分卷积层参数进行微调训练,得到特定自然退化现象的复原模型。从而可以通过重用一种预训练的通用自然退化图像复原模型,进行迁移学习,快速得到多种针对特定自然退化现象的复原模型。该方法不仅加快了训练特定复原模型的速度,节省了训练时间,减小了对大量退化数据的依赖,还能让复原模型更加鲁棒,复原效果更加稳定。
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公开(公告)号:CN114325898A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202210034731.2
申请日:2022-01-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于复合超表面的动态可调太赫兹波分束器,包括衬底层、复合材料层、定位标志和透射相位控制结构。复合材料层和定位标志位于衬底层的上表面;透射相位控制结构位于复合材料层的上表面。透射相位控制结构为相位梯度超表面。入射太赫兹波经过本动态可调太赫兹波分束器被分为两束出射太赫兹波;在此过程中,通过外加激励让复合材料层的复合材料条从绝缘态转为高电导状态,以控制出射太赫兹波的波束强度;其中激发为高电导状态的复合材料条的条数与出射太赫兹波的波束强度呈反比。本发明能将一束太赫兹光分为两束太赫兹波,并能动态调节两束波束的强度和分束比。此外,本发明还具有工艺简单,调控方式可靠,功能丰富等特点。
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公开(公告)号:CN113866126A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111214318.6
申请日:2021-10-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及金属微纳器件领域,具体涉及一种可见光波段的高FOM生化传感器,高低折射率介质层混合结构由上层的低折射率层和下层的高折射率层构成,多个高低折射率介质层混合结构依次连接,低折射率衬底设置于多个高低折射率介质层混合结构底部,石墨烯层的高折射层设置在高低折射率介质层混合结构顶部,石墨烯层本体设置在高折射层顶部,腔结构层设置在石墨烯层顶部,周期性亚波长金属光栅阵列设置在腔结构层顶部。通过优化高/低折射率高低折射率介质层混合结构的厚度、腔结构的腔长与腔宽和光栅的宽度与高度和周期性亚波长金属光栅阵列周期的结构参数以调节传感器的灵敏度和品质因数,使传感器的综合评价指标能够达到高水平。
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