公开(公告)号：CN212305342U

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202021084608.4

申请日：2020-06-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 银珊 ,  曾德辉 ,  黄巍 ,  石欣桐 ,  秦祖军 ,  张文涛 ,  胡放荣 ,  熊显名

IPC: H04B10/50 ,  H04B10/516 ,  H04B10/90

Abstract: 本实用新型公开一种光控的太赫兹波3比特编码器，包括衬底层、金属层、定位标志和编码结构。金属层和定位标志均覆于衬底层的上表面；编码结构蚀刻在金属层上。编码结构由若干个双圆结构和若干个方形结构组成；所有双圆结构呈周期性排列，所有方形结构呈周期性排列，且所有双圆结构所形成的双圆阵列与所有方形结构所形成的方形阵列相互交错设置。本实用新型能对太赫兹波进行操控，并能实现3比特即八个状态的编码，与之前的编码结构相比大大提升了编码能力、信息传输能力。能同时控制三个频率点的谐振响应，作用的频段更宽、编码的频率范围更广。本实用新型具有工艺简单、结构简单且编码速率快的特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210274096U

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201921402002.8

申请日：2019-08-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 银珊 ,  石欣桐 ,  黄巍 ,  张文涛 ,  郭玲 ,  胡放荣 ,  熊显名

IPC: H04B10/90 ,  H04B10/516

Abstract: 本实用新型提出一种电压控制的太赫兹2位编码器件及系统，包括：分别设置于所述方形衬底两侧的呈周期性排列的方形结构单元；所述方形结构单元包括金属结构和半导体结构；半导体结构包括呈圆柱体的P型半导体和呈圆柱体的N型半导体，N型半导体的底面与方形衬底贴合，P型半导体设置于所述N型半导体上，形成一呈圆形区域的PN结；金属结构包括贴合于方形衬底上的环形金属层、第一金属电极和第二金属电极，每个金属结构的第一金属电极相连，每个金属结构的第二金属电极相连。所述编码器与控制端组成编码系统，通过对每个金属电极进行独立的电压控制实现太赫兹波的两位编码功能。本实用新型可以具有编码速度快，操作简便和实用性强等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利