-
公开(公告)号：CN104681730A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510065767.7
申请日：2015-02-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有梯度结构空穴注入传输体系的紫外有机电致发光器件，包括衬底层、阳极层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层，其特征是，还包括梯度结构空穴注入传输体系层，所述衬底层、阳极层、梯度结构空穴注入传输体系层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层顺序叠接为一体，从阳极层由正向负连接反射金属阴极层构成外电路。这种器件梯度结构空穴注入传输体系有效地促进了空穴的注入和传输，增加了发光层中空穴的数量，促进了空穴-电子的平衡性，因而有更多的空穴与电子在发光层中复合产生近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的辐照度和发光效率。本发明同时公开了这种器件的制备方法。
-
公开(公告)号：CN103219466A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310154664.9
申请日：2013-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
-
公开(公告)号：CN103187527A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310067831.6
申请日：2013-03-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO2/Si为衬底，采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺方法制备Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次匀胶，分层预热、线性升温加保温的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的质量和性能；（3）与半导体Si集成工艺兼容；（4）通过适量的Ce掺杂，可以明显提高Bi4-xCexTi3O12薄膜的阻变性能。
-
公开(公告)号：CN102244010A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110150070.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法，(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后，再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜；(2)制备p-CAO薄膜时需多次匀胶、分层预热处理；(3)p-CAO薄膜需经退火处理，且退火在氩气气氛下进行；(4)采用USP工艺，在已覆盖CAO薄膜衬底上沉积n-AZO透明导电薄膜；(5)沉积n-AZO透明导电薄膜时衬底需加热，且衬底温度不超过320℃，样品自然冷却即得p-CuAlO2/n-ZnO:Al(p-CAO/n-AZO)透明薄膜异质结。该方法新颖、简单，且能满足大面积成膜工艺要求，其制备的p-CAO/n-AZO异质结为全透明结构并能实现p-n结功能，具有良好的光电性能。
-
公开(公告)号：CN119320273A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411474160.X
申请日：2024-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸钡的高储能高熵陶瓷介质材料，所述材料具有以下的化学组成：Ba0.2[(K0.5Na0.5)Bi]x(SrCaMg)(2/3)(0.4‑x)TiO3；x＝0.16‑0.20。本发明通过将在BaTiO3中引入六种A位阳离子(K、Na、Bi、Sr、Ca和Mg)来构建高熵陶瓷，以优化其结构从而提高其储能性能。根据离子特性将引入的离子分为铁电相和非铁电相两组，并使铁电相和非铁电相达到相对平衡。材料具有细窄的电滞回线和高的击穿场强，在保证一定储能效率的前提下大幅提升了储能性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113121226B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110481507.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G7/06
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，特别涉及一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种光介电铁电陶瓷材料，所述光介电铁电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(MyNb1‑y)O3‑δ，x为0.005～0.10，y为0.01～0.5；A为AII族元素中的一种或多种，M为过渡金属元素中的一种或多种。本发明通过过渡金属的引入降低(K0.5Na0.5)NbO3材料的带隙，实现半导化，从而使光介电铁电陶瓷材料具有高的光介电调谐率，使光介电铁电陶瓷材料的介电常数在光激励时产生改变，实现光对光介电铁电陶瓷材料介电性能的非接触式调控。
-
公开(公告)号：CN113173786B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110526648.2
申请日：2021-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种透明荧光铁电陶瓷材料，所述透明荧光铁电陶瓷材料的化学式为：[0.95K0.5Na0.5NbO3‑0.05Sr(Bi0.5Nb0.5)O3]‑0.1％Ho‑x％Yb，x＝0.5～2。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3，提高了陶瓷材料的透光性能；在此基础上掺杂稀土元素Ho和Yb使陶瓷材料具有发光性能；并通过控制陶瓷材料中各种成分的含量，使得陶瓷材料具有出色的透明和发光性能，同时兼具一定的铁电性。实验结果表明，本发明提供的陶瓷材料在保持一定透光性能的同时具备良好光致发光性能，且具有一定的铁电特性。
-
公开(公告)号：CN111153698B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010046966.4
申请日：2020-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明提供了一种透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明铁电陶瓷材料所述透明铁电陶瓷材料具有式I所示的化学组成：(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Yb0.5Ta0.5)O3式I，其中，x＝0.01～0.06。本发明提供的透明铁电陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Ta0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；同时通过调控第二组元的固溶比例，使透明铁电陶瓷材料的结构致密，有效提升了透明铁电陶瓷材料的透光性。本发明提供的透明铁电陶瓷材料具有优异的透光性能和铁电性能。
-
公开(公告)号：CN109449313B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811241689.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于溶胶‑凝胶法制备有机发光二极管中空穴注入层的方法及构建的有机发光二极管，属于基本电气元件技术领域，该方法主要包括VOx前驱液的制备和空穴注入层的制备两个工艺环节，该方法中所使用的设备简单，合成工艺简单，易操作，且重复性好，由该方法获得的VOx前驱液具有水溶性、宽浓度耐受性、稳定性及优异的薄膜形态等优点，能够用于构建高性能的可见光或紫外有机发光二极管。
-
公开(公告)号：CN112904089A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110060080.X
申请日：2021-01-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光介电材料的光介电响应测试仪及测试方法，所述测试仪包括计算机和可变波长光源、可多向平移的样品台、遮光板、LCR表，遮光板固定在旋转轴上，旋转轴带动遮光板旋转，遮光板上分布有透光部位与遮光部位，遮光板的透光部位布置有滤光片，样品台平移控制器、遮光板旋转轴控制器、可变波长光源和LCR表统一受计算机控制。本发明不仅能测试单光源下的不同测试频率的光介电响应，还可以测试不同波长以及不同光强下的光介电响应，同时可以利用遮光板实现开关特性的测试，是一套完备的光介电测试系统，它包含了不同光波长，不同光强度，不同信号频率等多种变化因素，节约了测试时间，降低了测试的劳动强度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
81
records
(took 0.034 seconds)
