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公开(公告)号：CN117802379A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311518629.0
申请日：2023-11-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种Ho‑Co磁制冷材料，其原料以原子个数比计满足化学式为Ho3Co，最终制得的Ho‑Co磁制冷材料的主相为Ho3Co相，同时存在少量Ho2Co相，其中，Ho2Co相为非晶相。其制备方法包括以下步骤：1，Ho‑Co合金铸锭的熔炼；2，采用真空甩带工艺Ho‑Co合金薄带的制备；所述真空甩带的基本参数通过定制石英管实现，具体参数为石英管的喷嘴与铜辊的距离为13mm，石英管喷嘴的孔径为1mm。其应用在0‑5 T磁场下的最大磁熵变为15‑21.4 J kg‑1K‑1，制冷量达539.2‑669.9J/kg。相对于现有技术，本发明具有无需额外的退火处理、显著减少整体制备周期的优点。
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公开(公告)号：CN111778425B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010637783.X
申请日：2020-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单相铑基合金磁制冷材料，化合物通式为R3Rh2，其中R为稀土元素Ho或Er元素中的任意一种，其成分为单相；所述单相为Y3Rh2型的晶体结构。其制备方法包括以下步骤：1）铑基合金磁制冷合金锭的熔炼；2）铑基磁制冷材料的退火处理。作为磁制冷材料的应用，为二级相变材料，不存在热滞；磁熵变值在0‑5 T磁场下的范围为14‑20 J kg‑1K‑1，制冷量为达380‑390 J/kg。本发明具有以下优点：单相性好；是单一的二级相变材料，且磁转变温度附近只发生磁结构转变，不存在热滞；是非常理想的低温区磁制冷材料；并且工艺简单，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108060391B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711348406.9
申请日：2017-12-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于合金薄膜技术领域，公开了一种加快FePd薄膜相转变的方法，所述加快FePd薄膜相转变的方法采用超高真空多靶磁控溅射仪制备薄膜样品；稀土Dy掺杂FePd层采用交替沉积的方法，由纯度在99.95％以上且原子百分比为47.5:52.5的FePd复合靶和纯度在99.99％的Dy片，通过控制Dy靶的溅射时间来控制FePd层中稀土的含量。本发明采用磁控溅射法制备了一系列Dyx(Fe47.5Pd52.5)100‑x颗粒膜，通过改变掺杂稀土Dy的含量，添加Dy的含量对FePd薄膜的结构和磁性能的影响。
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公开(公告)号：CN106631016B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201611181176.7
申请日：2016-12-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠体系纳米线以Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Nb2O5、Bi2O3为原料，按照化学式99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3进行配料。其制备方法包括：（1）所有原料在称量配料前均置于烘箱中烘干；（2）准确称量后，以无水乙醇为介质球磨；（3）将球磨后产物取出，烘干，预烧；（4）以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯固相烧结，在烧结体中获得铌酸钾钠体系纳米线。本发明的优点是可采用传统陶固相烧结法获得铌酸钾钠基纳米线。
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公开(公告)号：CN106521627A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610989699.8
申请日：2016-11-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为：xCaZrO3-(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3-0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。其制备方法包括：（1）所用原料均置于烘箱中烘干；2）按化学式称量原料，球磨（；3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488 pC/N。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117660006A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311655764.X
申请日：2023-12-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 本发明公开了一种绿色镓酸盐荧光粉及其制备与应用，该荧光粉GaO的6:xTb化学3+式，为其Y中3‑xx为0～0.09，且不等于0。该制备方法包含：将Y2O3、Ga2O3和Tb4O7混合，加入无水乙醇研磨；在空气气氛下，将研磨后的粉末以5℃/min的速率升温至1300～1500℃烧结并保温，再以5℃/min的速率降温至800℃，然后自然冷却，研磨成粉，得到荧光粉。本发明解决了现有技术制备过程复杂，需要非空气气氛烧结的问题。本发明采用高温固相合成法，材料制备简单，周期短，成本低，无需惰性气氛或还原性气氛处理，制得的应力发光荧光粉化学稳定性好，且不易潮解，在机械刺激下会产生绿色的应力发光现象。
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公开(公告)号：CN117583564A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311583206.7
申请日：2023-11-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于快速退火工艺的单相Nd‑Fe‑Pd合金磁制冷材料，通过将Nd‑Fe‑Pd合金铸锭进行甩带处理获得Nd‑Fe‑Pd合金薄带，再进行快速的退火处理得到Nd‑Fe‑Pd磁制冷材料；其成分为单相的Nd6Fe13Pd，晶体结构为四方晶体结构，其空间群为I4/mcm。其制备方法包括以下步骤：1，Nd‑Fe‑Pd合金铸锭的熔炼；2，Nd‑Fe‑Pd合金薄带的制备；3，Nd‑Fe‑Pd合金薄带的退火处理。在磁制冷领域的应用，Nd‑Fe‑Pd磁制冷材料的转变温度为163K，并且，随着温度的降低发生了反铁磁‑铁磁转变，并且在转变温度附近发生了一级磁相转变；0‑5T磁场下，125K下测量的磁化强度为139emu/g，最大磁熵变值为3.4J kg‑1K‑1，制冷量达220J/kg。
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公开(公告)号：CN109400154B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201811333250.1
申请日：2018-11-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种双铌源碱金属铌酸盐微纳米线材料，以K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、C10H5NbO20、BaCO3、Bi2O3为原料，按照化学式(1‑y)KzNa1‑zNb(C)xNb(N)1‑xO3‑yBaBiO3进行配料，其中Nb(C)是指来自铌源C10H5NbO20的Nb元素；Nb(N)是指来自铌源Nb2O5的Nb元素；0＜x≤0.1，0＜y＜0.1,0.4≤z≤0.6，经传统陶瓷固相烧结工艺合成的微纳米线材料。其制备方法包括以下步骤：1）原料烘干；2）原料称取，进行球磨；3）球磨之后粉料的预烧；4）预烧后粉料的第二次球磨；5）压制成圆坯；6）圆坯的保温处理。本发明的优点是，采用双铌源后，可以提高压坯粉料的结晶度和微纳米线的生长速度；同时球磨介质可使用纯净水，无需使用无水乙醇，极大节约成本、减小对环境的污染和烘干过程中的安全隐患。
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公开(公告)号：CN106757302B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201611040828.5
申请日：2016-11-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠单晶及其制备方法，以K2CO3、Na2CO3和Nb2O5作为原料，按照摩尔比为0.52:0.48:1进行配料，经过以下步骤：所用原料称量配料前均置于烘箱中烘干；按照摩尔比称取原料装入球磨瓶中球磨；将球磨后产物取出，烘干，压片，预烧；然后以无水乙醇为介质二次球磨后烘干；将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯，然后烧结获得单晶；将铌酸钾钠单晶从陶瓷基体中取出即可得到纯的铌酸钾钠单晶。本发明的优点是：采用无籽固相晶体生长技术在不掺杂其他元素的情况下，通过改变原料的比例、烧结温度、时间以及坯体尺寸，可以得到不同尺寸的纯的铌酸钾钠单晶。
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公开(公告)号：CN106521627B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201610989699.8
申请日：2016-11-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为：xCaZrO3‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。其制备方法包括：（1）所用原料均置于烘箱中烘干；（2）按化学式称量原料，球磨；（3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488 pC/N。
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