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公开(公告)号：CN117578867A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311581371.9
申请日：2023-11-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一类原副边串并联可调节的LLC谐振变换器电路拓扑，包括输入直流源、全桥开关网络、原边串并联调节模块、LLC谐振网络、变压器组、副边整流电路；输入直流源与全桥开关网络连接；所述LLC谐振网络分别与全桥开关网络的桥臂中两个双向开关管的交点连接；另一端与变压器的原边连接；所述变压器组副边通过双向开关管S11串联后与负载连接；所述原边串并联调节模块一端与输入直流源两端连接，另一端与变压器组原边串联交点连接，用于控制全桥开关网络多电平输入和原边电流流向；所述副边整流电路设置于变压器组副边用于控制副边电流流向。通过开关管的开关搭配实现副边负载电压极性的转换；副边变压器组的串并联状态。
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公开(公告)号：CN115236477A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210867983.3
申请日：2022-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种SiC MOSFET器件的结温校准曲线生成方法及其结温评估方法和系统，首先获取SiC MOSFET器件在不同结温下的跨导算术平方根；然后对跨导算术平方根和温度的关系进行线性拟合得到跨导算术平方根与温度的线性关系式，由该关系式建立结温校准曲线；最后根据测试待评估器件的跨导算术平方根并通过查询校准曲线或由线性关系式进行计算得到器件结温。该方法克服了功率半导体器件的传统结温测量方法流程繁琐、精度低、难以在线应用等弊端，SiC MOSFET器件的跨导算术平方根与结温呈线性关系，进行结温评估时精度较高，可在线应用，能够实现器件结温的准确评估；同时，该方法可以测量出单个开关周期引起的器件结温波动；通过对器件结温的准确评估，可有效提高器件的运行可靠性与研究开发的经济性。
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公开(公告)号：CN112104052B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011022013.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H02J7/02 , H02J50/70 , H02J50/20 , B60L53/126
Abstract: 本发明公开了一种阻抗匹配器的设计及工作方法，属于阻抗匹配技术领域。所述方法包括以下步骤：(1)计算匹配网络参数，搭建T型匹配网络；(2)通过阻抗测量电路得到输出导纳Y2＝G2+jB2；(3)控制器计算所需参数并调整匹配网络使输出导纳与设定的输入导纳匹配。本发明方法设计简单，匹配精度较高，可减少传输过程中的能量损耗，提高系统效率。
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公开(公告)号：CN116682647A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310528090.0
申请日：2023-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种LC集成磁封装电源模块及制备工艺，利用叠层工艺将电感器和电容器设计并制造在同一磁体中，并将芯片和外围电阻埋入该磁体中。采用粒径不一的磁粉芯制作不同厚度的叠层电感：电感的上下盖板用粒径大的粗粉，线圈层与线圈层之间的介质层用粒径小的细粉，与线圈同一层的用粗粉，相当于匝与匝之间的间隙更小，总磁路长度更短，电感量可以做到更大。电感绕组材质为银浆，膜片印刷银浆后，一层一层叠压成型的电感，层间绕组通过圆柱形打孔并填充银浆连接。电感最上层和最下层均用设计屏蔽层，用以防止漏磁干扰到其他元件的正常工作，屏蔽层膜片印刷用大面积的银浆，并采用连接通孔将屏蔽膜片的银浆与参考地进行电气连接。
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公开(公告)号：CN113437857B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110700584.3
申请日：2021-06-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种基于寄生体二极管导通损耗调节的结温平滑控制方法及系统，通过评估MOSFET芯片稳态运行时平均结温；判断平均结温和/或基频结温波动幅度的改变量是否发生变化，如果否，则无需采取结温控制措施；如果是，则采取结温控制措施，所述结温控制措施是改变寄生体二极管的持续电流时间；评估MOSFET芯片的实际平均结温，直到实际平均结温符合预设阈值，结束结温控制措施。本发明提出的基于寄生体二极管导通时间调节的SiC MOSFET的结温控制方法，通过控制MOSFET寄生体二极管的导通时间，在不增加其他辅助器件的基础上，可以实现器件结温波动的平滑控制，同时提高器件的可靠性，增加器件的使用寿命，降低了器件使用成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115276379A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210867980.X
申请日：2022-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种基于无损缓冲电路开关轨迹调节的SiC MOSFET管结温控制方法、电路以及模拟平台，首先构建SiC MOSFET管结温控制电路，然后判断SiC MOSFET管结温是否需要降温，如果需要降温调节，则控制Si基MOSFET开关在SiC MOSFET器件关断时开启，同时通过控制Si基MOSFET开关在SiC MOSFET器件关断时的开启时刻实现开关轨迹调节；如果需要损耗控制时，则控制Si基MOSFET开关关断，并通过仿真电路来验证该结温控制电路及其方法。本发明提供的结温控制方法将缓冲电路与结温控制相结合，通过Si基MOSFET的特性，来实现结温的平滑控制。该电路可以主动控制SiC MOSFET的开关轨迹，实现损耗控制，进一步实现平滑结温控制，以此来达到延长器件使用寿命的目的。
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公开(公告)号：CN112769344B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202110025053.9
申请日：2021-01-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H02M7/483
Abstract: 本发明公开了一种九电平变换器，包括串联电容组、串联双向开关组、开关电容单元和滤波电路；所述开关电容单元一侧分别与串联电容组中相邻电容的连接点连接，所述开关电容单元的另一侧与串联双向开关组中的相邻双向开关的连接点中的首末连接点分别连接；所述串联电容组的中间连接点与地连接；所述双向开关组的中间连接点与滤波电路连接；所述串联电容组的一端与串联双向开关组的一端连接；所述串联电容组的另一端与串联双向开关组的另一端连接。本发明提供的九电平变换器，通过开关电容单元可以产生九电平的输出电压，该电路结构所需的制作器件数量少，结构简单，可靠性高。
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公开(公告)号：CN113887162A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111249352.7
申请日：2021-10-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/3323 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种交互式电磁超材料自动仿真与设计方法，首先利用等效电路法对电磁超材料建立等效电路模型，从而确定电磁超材料的结构参数以及谐振频率；然后在MATLAB软件编写电磁超材料的建模、求解、仿真、数据后处理和计算的库函数，再通过MATLAB为HFSS软件预留的外部接口实现对电磁超材料全自动建模仿真分析。本发明方法借助MATLAB强大的数值计算和建模功能，采用HFSS对电磁超材料模型进行快速和精准地仿真，极大地提高了仿真分析和设计的效率。
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公开(公告)号：CN112769344A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110025053.9
申请日：2021-01-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H02M7/483
Abstract: 本发明公开了一种九电平变换器，包括串联电容组、串联双向开关组、开关电容单元和滤波电路；所述开关电容单元一侧分别与串联电容组中相邻电容的连接点连接，所述开关电容单元的另一侧与串联双向开关组中的相邻双向开关的连接点中的首末连接点分别连接；所述串联电容组的中间连接点与地连接；所述双向开关组的中间连接点与滤波电路连接；所述串联电容组的一端与串联双向开关组的一端连接；所述串联电容组的另一端与串联双向开关组的另一端连接。本发明提供的九电平变换器，通过开关电容单元可以产生九电平的输出电压，该电路结构所需的制作器件数量少，结构简单，可靠性高。
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公开(公告)号：CN218585774U
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202222860261.3
申请日：2022-10-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于反激式变换器的平面磁集成元件，包括有相对设置顶部磁芯和底部磁芯，底部磁芯朝向顶部磁芯的侧面处设置有横向并排的第一中柱和第二中柱，第一中柱和第二中柱均为圆柱状结构；顶部磁芯和底部磁芯的左右两侧边均为弧形侧边，且底部磁芯的一侧边上设置有朝向顶部磁芯的弧形的第一磁芯边柱，底部磁芯的另一侧边上设置有朝向顶部磁芯的弧形的第二磁芯边柱，第一磁芯边柱和第二磁芯边柱分别与顶部磁芯的底面相固定；第一中柱、第二中柱、第一磁芯边柱和第二磁芯边柱的空隙间绕有绕组。本实用新型的磁器件漏感小，可有效提高电源转化效率和开关管应力，且磁芯材料利用率高，制造成本降低，产品更具轻量化，且能够有效减少空间占用。
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