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公开(公告)号：CN106892458A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710064680.7
申请日：2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C01G39/06 , B82Y30/00 , C01G21/21 , C01P2002/01 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/24 , C01P2004/64 , C01P2004/82
Abstract: 本发明公开了一种二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料的制备方法。以分散在PbS前驱液中的MoS2纳米片为载体，随着前驱液中的硫源在一定温度下缓慢释放出S2‑，PbS纳米颗粒在MoS2纳米片上析出生长，从而得到二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度控制PbS颗粒在MoS2纳米片上的附着含量，从而调节复合材料的光电性能，所制备的二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料能够用于光电领域。
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公开(公告)号：CN116895475A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310832961.8
申请日：2023-07-09
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备Ni掺杂W18O49/泡沫镍复合材料用做光助充电容器电极的方法。通过掺杂Ni提高W18O49的光电转换性能，并且利用Ni2+的还原性降低W18O49中钨的价态，从而提高其储存负离子的性能。发明将原料氯化钨和硝酸镍配制为混合溶液，通过浸泡、旋转、保温和烧结的步骤将Ni掺杂W18O49负载在泡沫镍上，通过改变浸泡、旋转和保温的重复次数调节泡沫镍上Ni掺杂W18O49的负载量，通过改变前驱溶液中氯化钨和硝酸镍的比例调节Ni在W18O49中的含量。本发明采用的方法能够保证Ni掺杂W18O49在泡沫镍上负载量的可控以及Ni掺杂含量的可控，从而实现电极光助充放电性能的可控，其操作简单，制备的Ni掺杂W18O49/泡沫镍复合物电极具有良好的光助充放电性能，具有应用做为光助充电容器电极的潜力。
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公开(公告)号：CN114870867A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210386756.9
申请日：2022-04-12
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种以氧化石墨烯为乳化剂两相合成CdS‑石墨烯‑ZnS光催化复合材料的方法，利用氧化石墨烯既亲水又亲油的表面活性将两种互不相溶的前驱溶液乳化，形成油包水的乳浊液，再通过一步溶剂热反应，使CdS和ZnS分别沉积在氧化石墨烯的两侧，同时氧化石墨烯在溶剂热过程中被还原为石墨烯，得到CdS‑石墨烯‑ZnS复合材料。本发明解决了采用分步沉积法和机械混合法制备时，不能控制半导体沉积位置，不能保证CdS和ZnS直接与石墨烯接触，从而影响光催化性能的问题。发明的操作简单，通过调节反应液的浓度可以控制复合物的含量，从而改变材料的光催化性能，所制备的复合材料具有较好的光催化产双氧水和光催化降解四环素的性能，在光催化领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110013863B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201910230595.2
申请日：2019-03-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/047
Abstract: 本发明公开了一种一步溶剂热合成CuS‑WO3复合材料的方法。将制备CuS所需的硫源和铜源，以及制备WO3所需的钨源，同时溶解在同一溶剂乙二醇中，形成均相混合溶液，在溶剂热条件下反应，使CuS和WO3同时生成，得到CuS‑WO3复合材料。相较分步的合成方法，本发明方法更简单，并且能够解决分步合成有可能带来的半导体性质改变的问题。能够通过改变铜源、硫源和钨源的浓度控制复合物中CuS和WO3的相对含量，从而调节CuS‑WO3复合材料的光电和光催化性能，所制备的CuS‑WO3复合材料能够用于光电和光催化领域。
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公开(公告)号：CN108511541A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810112864.0
申请日：2018-02-05
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/0336 , B82Y30/00 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种2D MoS2-2D PbS范德华异质结光电纳米材料的制备方法。以分散在溶剂中的MoS2超薄层为载体，醋酸铅和硫代乙酰胺分别为铅源和硫源，通过油酸、三辛基膦和三氯乙烷配体的作用使PbS在MoS2上定向生长成薄膜，从而得到2D MoS2-2D PbS范德华异质结纳米复合材料。本发明操作简单，能够通过改变醋酸铅和硫代乙酰胺的浓度控制2D PbS层在MoS2超薄层上的附着量，复合材料的光电性能优于单独的2D MoS2材料，并且光电流随着2D PbS在复合材料中的含量的改变而发生变化，所制备的二维2D MoS2-2D PbS范德华异质结材料在光电领域有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108283931A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201711498698.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/051 , B01J35/00 , B01J37/30
CPC classification number: B01J37/30 , B01J27/051 , B01J35/0033 , B01J35/004
Abstract: 本发明公开了一种离子交换制备PbS-MoSx光电复合材料的方法。在合成PbS纳米片的基础上，通过离子交换，采用Mo5+离子将PbS纳米片表层的Pb2+离子交换出来，使表面转化为MoSx,形成PbS-MoSx的复合异质结构。本发明操作简单，能够通过改变离子交换的反应时间控制PbS纳米片表面MoSx层的厚度，从而改变材料的光电性能。离子交换反应后得到的复合物材料的光电性能优于单独的PbS纳米片，所制备的PbS-MoSx复合材料在光电领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105845827A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610198297.6
申请日：2016-04-01
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0045 , C01G21/21 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , H01L51/42 , H01L2251/301
Abstract: 本发明公开了一种无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料的制备方法。以分散在CH3NH3PbX3前驱液中的PbS纳米颗粒为种子，由于CH3NH3PbX3在非极性溶剂中的溶解度不高，通过滴入非极性溶剂的方法改变前驱液的极性使CH3NH3PbX3在PbS纳米颗粒表面析出，从而得到独立的无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度和成分配比控制CH3NH3PbX3壳层的厚度和成分，从而调节材料的吸光度和吸光范围，所制备的PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料能够用于太阳能电池等光电领域。
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公开(公告)号：CN111710754B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010394736.7
申请日：2020-05-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0328
Abstract: 一种两相一步溶剂热制备Bi2S3‑石墨烯‑ZnS光电复合材料的方法，将合成Bi2S3的原料配成以苯甲醇为溶剂的油性溶液，合成ZnS的原料配成以水为溶剂的水性溶液，利用氧化石墨烯亲水和亲油的两亲性乳化这两种互不相溶的溶液的混合液，通过一步溶剂热反应，使Bi2S3在氧化石墨烯的一侧沉积，ZnS在另一侧沉积，同时氧化石墨烯被还原为石墨烯，得到Bi2S3‑石墨烯‑ZnS复合材料。本发明方法解决了传统一步法和两步法制备复合材料时，不能保证两种半导体都直接与石墨烯接触，从而影响光电性能的问题。本发明操作简单，通过调节反应液的浓度可以控制复合物的含量，从而改变材料的光电性能，所制备的Bi2S3‑石墨烯‑ZnS复合材料具有较好的光电响应性，在光电领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111710754A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010394736.7
申请日：2020-05-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0328
Abstract: 本发明公开了一种两相一步溶剂热制备Bi2S3-石墨烯-ZnS光电复合材料的方法。发明利用氧化石墨烯亲水和亲油的两亲性乳化互不相溶的两种原料溶液，通过一步溶剂热反应，使Bi2S3在氧化石墨烯的一侧沉积，ZnS在另一侧沉积，同时氧化石墨烯被还原为石墨烯，得到Bi2S3-石墨烯-ZnS复合材料。本发明方法解决了传统一步法和两步法制备复合材料时，不能保证两种半导体都直接与石墨烯接触，从而影响光电性能的问题。发明的操作简单，通过调节反应液的浓度可以控制复合物的含量，从而改变材料的光电性能，所制备的Bi2S3-石墨烯-ZnS复合材料具有较好的光电响应性，在光电领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110215925A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910494366.1
申请日：2019-06-09
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/047 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种均相一步合成CdS-WO3复合材料的方法。将制备CdS所需的硫源和镉源，以及制备WO3所需的钨源，同时溶解在同一溶剂中，形成均相混合溶液，在溶剂热条件下反应，使CdS和WO3同时生成，得到CdS-WO3复合材料。相较分步的合成方法，本发明方法更简单，并且能够解决分步合成有可能带来的半导体性质改变的问题。能够通过改变镉源、硫源和钨源的相对浓度控制复合物中CdS和WO3的相对含量，从而调节CdS-WO3复合材料的光电和光催化性能，所制备的CdS-WO3复合材料能够用于光电和光催化领域。
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