公开(公告)号：CN212659546U

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202021378945.4

申请日：2020-07-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王东东 ,  操国宏 ,  王政英 ,  姚震洋 ,  高军 ,  银登杰 ,  郭润庆 ,  刘军

IPC: H01L29/74 ,  H01L23/373

Abstract: 本实用新型公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本实用新型无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN212659547U

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202021381028.1

申请日：2020-07-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  姚震洋 ,  高军 ,  银登杰 ,  郭润庆 ,  刘军

IPC: H01L29/74 ,  H01L23/373

Abstract: 本实用新型公开了一种晶闸管芯片和晶闸管，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本实用新型无需传统结构来实现放大门级悬空，即可达到封装时放大门级与阴极隔离的目的，并能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利