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11.

发明授权
IGBT芯片及其制备方法有权

公开(公告)号：CN113035950B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN201911355591.3

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李迪 , 宁旭斌 , 肖强 , 覃荣震

IPC: H01L29/739 , H01L21/335 , H01L29/06

Abstract: 本公开提供一种IGBT芯片及其制备方法。该IGBT芯片包括：终端保护区和元胞区；其中，所述元胞区包括IGBT元胞和温度传感区，所述温度传感区包括第一导电类型衬底、位于所述衬底上方的场氧层、于所述场氧层上方并排设置的第一多晶硅层和第二多晶硅层、位于所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层上方且彼此隔离的第一电极、第二电极和第三电极；其中，所述第一多晶硅层用于构成正温度系数热敏电阻，所述第二多晶硅层用于构成负温度系数热敏电阻。本公开在将正温度系数热敏电阻(PTC)和负温度系数热敏电阻(NTC)集成在IGBT元胞区内，利用NTC和PTC电阻的串联来放大温度变化产生的电学信号，提高温度检测灵敏度，进一步提升了IGBT芯片的性能和可靠性。

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