公开(公告)号：CN112088432B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201980030601.8

申请日：2019-04-23

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明提供一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其在维持高场效应迁移率的同时应力耐受性、尤其光应力耐受性优异。所述薄膜晶体管在基板上至少包括栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源极‑漏极电极、以及至少一层保护膜，并且构成氧化物半导体层的金属元素包含In、Ga、Zn及Sn，相对于氧化物半导体层中的全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的各金属元素的比例为：In：30原子％以上且45原子％以下、Ga：5原子％以上且未满20原子％、Zn：30原子％以上且60原子％以下、以及Sn：4.0原子％以上且未满9.0原子％。

公开(公告)号：CN106575629B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201580035431.4

申请日：2015-07-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  林和志 ,  钉宫敏洋 ,  越智元隆

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。

公开(公告)号：CN104885229A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380067811.7

申请日：2013-12-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚-第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。

公开(公告)号：CN101918888B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200980102063.5

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  南部旭 ,  中井淳一 ,  奥野博行 ,  越智元隆 ,  三木绫

IPC: H01L23/52 ,  C22C21/00 ,  H01L29/49 ,  H01L29/45 ,  G02F1/1343 ,  C22F1/04

CPC classification number: H01L29/458 ,  C22C21/00 ,  C22C21/10 ,  C23C14/3414 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12049

Abstract: 本发明开发一种铝合金膜，并提供一种具有该铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时可以兼顾低电阻率和耐热性，改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2)，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。

公开(公告)号：CN101542696A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200780044289.5

申请日：2007-11-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  富久胜文 ,  日野绫 ,  奥野博行 ,  中井淳一 ,  川上信之 ,  越智元隆

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge 0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。

公开(公告)号：CN113529018B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202110343743.9

申请日：2021-03-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 仓千晴 ,  越智元隆

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/532 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的一个方式的Al合金蒸镀膜含有Al、及1.5atm％～6.0atm％的Zr或Zn，且进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，并且进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下。本发明涉及一种包括所述Al合金蒸镀膜的显示器用配线膜、显示器装置、及Al合金蒸镀膜形成用的溅射靶材。

公开(公告)号：CN114761607A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080084596.1

申请日：2020-12-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  西山功兵 ,  寺前裕美 ,  湖山贵之

IPC: C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明获得一种薄膜晶体管，其场效应迁移率与应力耐受性优异，并且相对于在对氧化物半导体层进行加工时所使用的湿式蚀刻液而具有优异的湿式蚀刻加工性，且相对于在对源极/漏极电极进行图案化时所使用的湿式蚀刻液而氧化物半导体层具有优异的耐湿式蚀刻性。氧化物半导体薄膜包含In、Ga、Zn及Sn、以及O，且相对于In、Ga、Zn及Sn的原子数比的合计，各金属元素的原子数比满足0.070≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.200、0.250≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.600、0.180≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.550、0.030≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.150，并且满足0.10≦Sn/Zn≦0.25及(Sn×In)/Ga≧0.009。

公开(公告)号：CN112018168A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010458017.7

申请日：2020-05-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 西山功兵 ,  越智元隆 ,  寺前裕美 ,  川原田乔生

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造成本相对低、形成了薄膜晶体管时的载流子迁移率及光应力耐性高的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材。本发明为一种氧化物半导体薄膜，其包含金属元素，其中所述金属元素包含In、Zn、Fe及不可避免的杂质，相对于In、Zn及Fe的合计原子数，In的原子数为58atm％以上且80atm％以下，Zn的原子数为19atm％以上且41atm％以下，Fe的原子数为0.6atm％以上且3atm％以下。

公开(公告)号：CN108886059A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021237.X

申请日：2017-04-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  北山巧 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层由以特定的原子数比含有In、Ga、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为35cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN108780817A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780013390.8

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  西山功兵 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。