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公开(公告)号：CN110504213A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910393174.1
申请日：2019-05-13
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够抑制晶片分割时的加工不良的产生。该晶片的加工方法包含如下的工序：计算工序，根据由于激光束的照射而在晶片上产生的热传导的偏差的影响，确定在被照射激光束的分割预定线的两侧要确保的区域的大小，在将该区域中所包含的器件的列数设为N的情况下，计算满足N＜2n的最小的2n；2n加工工序，通过按照分割预定线的该最小的2n条的间隔对分割预定线照射激光束而在晶片上形成加工痕；以及二等分加工序，反复进行通过对将分别包含在加工痕所划分的多个区域中的器件的列数二等分的分割预定线照射激光束而在晶片上形成加工痕的工序，直至该加工痕所划分的区域中所包含的器件的列数为1。
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公开(公告)号：CN109216159A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810658962.4
申请日：2018-06-25
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02 , H01L21/677
Abstract: 提供晶片生成装置，能够从单晶SiC锭自动地生成SiC晶片。该晶片生成装置从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片生成装置包含：锭磨削组件；激光照射组件，其将对于单晶SiC锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离组件，其将SiC晶片从单晶SiC锭的剥离层剥离；以及搬送组件，其在锭磨削组件、激光照射组件以及晶片剥离组件之间对单晶SiC锭进行搬送。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108023012A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711005653.9
申请日：2017-10-25
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L33/58 , H01L21/78 , H01L2933/0058
Abstract: 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。该方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，该层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑，其中，透明基板在内部形成有多个气泡；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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公开(公告)号：CN108023005A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711000328.3
申请日：2017-10-24
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0095
Abstract: 提供能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法。该方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，该层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；一体化工序，将在内部形成有多个气泡的透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；透明基板加工工序，在实施了一体化工序之后，在一体化晶片的透明基板的背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑；以及分割工序，在实施了透明基板加工工序之后，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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公开(公告)号：CN108022999A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711005663.2
申请日：2017-10-25
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L21/78 , H01L33/44
Abstract: 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。该方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，该层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的正面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑，其中，透明基板在内部形成有多个气泡；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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公开(公告)号：CN107611237A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710541151.1
申请日：2017-07-05
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，具有如下工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的正面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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公开(公告)号：CN107611086A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710545598.6
申请日：2017-07-06
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，具有如下工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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