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公开(公告)号：CN116895558A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310300648.X
申请日：2023-03-24
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 冈村卓
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供加工装置，其即使在加工中产生异常，也在不使加工效率降低的情况下对被加工物进行再次加工。该加工装置具有：卡盘工作台，其在保持面上对具有相互交叉的多条间隔道的被加工物进行保持；加工单元，其沿着该间隔道对该卡盘工作台所保持的该被加工物进行加工；以及控制单元，该控制单元在通过该加工单元从该间隔道的一端到另一端对该被加工物进行加工的期间残留有未加工区域而中断了加工的情况下，使该卡盘工作台旋转180度，通过该加工单元从该间隔道的该另一端对该被加工物的该未加工区域进行加工。
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公开(公告)号：CN108538994A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810171285.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 冈村卓
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/483 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058
Abstract: 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。该方法具有：晶片准备工序，准备如下晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，对在整个面的区域内形成有多个贯通孔的第1或第2透明基板的至少任意一方的正面或背面与LED电路对应地形成多个槽；透明基板粘贴工序，将第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上并将第2透明基板的正面粘贴在第1透明基板的背面上，从而形成一体化晶片；和分割工序，沿着分割预定线将晶片与第1、第2透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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公开(公告)号：CN107819056A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710785071.0
申请日：2017-09-04
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L21/78 , H01L33/20 , H01L33/58
Abstract: 提供得到充分亮度的发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。该制造方法的特征在于，具备：晶片准备工序，该晶片在晶体生长用透明基板上具有形成包含发光层的2层以上半导体层的层积体层，在由层积体层表面上相互交叉的2条以上分割预定线划分出的各区域形成有LED电路；晶片背面加工工序，在晶片背面与各LED电路对应形成2个以上凹部或槽；透明基板加工工序，在整个面上形成2个以上贯通孔的透明基板表面与晶片的各LED电路对应形成2个以上凹陷；一体化工序，实施晶片背面加工工序和透明基板加工工序后，将透明基板表面粘贴在晶片背面，形成一体化晶片；分割工序，将晶片沿该分割预定线与透明基板一起切断，一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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公开(公告)号：CN107706291A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710610572.5
申请日：2017-07-25
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 冈村卓
CPC classification number: H01L33/58 , H01L21/78 , H01L2933/0058
Abstract: 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，得到充分的亮度。发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的正面和背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个槽，所述透明基板在整个面的区域内具有多个贯通孔；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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公开(公告)号：CN107527985A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710436931.X
申请日：2017-06-12
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 冈村卓
IPC: H01L33/58
CPC classification number: H01L33/58 , H01L2933/0058
Abstract: 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，得到充分的亮度。发光二极管芯片的制造方法具有如下工序：晶片准备工序，准备如下晶片：晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；晶片背面加工工序，在晶片的背面上与各LED电路对应地形成多个凹部或第1槽；透明基板加工工序，在透明基板的背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个第2槽；一体化工序，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；和分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102446735B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110301306.7
申请日：2011-09-28
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0095
Abstract: 本发明提供一种分割方法，其能够提高通过蓝宝石晶片的分割而形成的发光器件的辉度。本发明的分割方法构成为具有如下工序：切削槽形成工序，在该切削槽形成工序中，在表面上层叠有发光层(412)的蓝宝石晶片(W)的背面(Wb)形成沿着分割预定线的切削槽(401)；变质层形成工序，在该变质层形成工序中，在蓝宝石晶片(W)的内部形成沿着分割预定线的变质层(402)；以及分割工序，在该分割工序中，以变质层(402)为起点将蓝宝石晶片(W)分割为一个个发光器件(411)，以使各发光器件(411)的背面侧的角部形成为利用在切削槽形成工序中形成的切削槽(401)进行了倒角的状态。
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公开(公告)号：CN103545409A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310287638.3
申请日：2013-07-10
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L33/20 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L33/0095
Abstract: 本发明提供一种光器件以及光器件的加工方法，其能够提升光的取出效率。一种光器件，其特征在于，具有：具有发光层的四边形的表面；与该表面平行的四边形的背面；以及连接该表面和该背面的第1至第4侧面，第1侧面相对于该表面的垂直线倾斜第1角度，该第1侧面对面的第2侧面相对于该垂直线倾斜第2角度，并且第3侧面相对于该垂直线倾斜第3角度，该第3侧面对面的4侧面相对于该垂直线倾斜第4角度。
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公开(公告)号：CN110391139B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201910288187.2
申请日：2019-04-11
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/67 , H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，不会导致器件品质降低。晶片的加工方法至少包含如下工序：聚酯系片敷设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口中而在晶片的背面和框架的外周敷设聚酯系片；一体化工序，对聚酯系片进行加热并进行热压接而通过聚酯系片使晶片和框架一体化；分割起点形成工序，将激光光线的聚光点定位于第一分割预定线和第二分割预定线而进行照射，形成分割起点；第一分割工序，将按压刃定位于第一分割预定线并赋予外力而对第一分割预定线进行分割；以及第二分割工序，将按压刃定位于第二分割预定线并赋予外力而对第二分割预定线进行分割，通过该第一分割工序和该第二分割工序将晶片分割成各个器件。
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公开(公告)号：CN108461396B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201810044091.7
申请日：2018-01-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 冈村卓
IPC: H01L21/304 , B23K26/364 , B28D5/00
Abstract: 提供光器件晶片的加工方法，即使是莫氏硬度高的基板，也在分割后的器件芯片上形成倾斜面。该光器件晶片的加工方法沿着分割预定线将光器件晶片(W)分割成各个器件芯片(C)，构成为包含如下的步骤：对晶片基板照射吸收性波长的激光光线，在光器件晶片的背面上沿着分割预定线形成激光加工槽(12)；以及利用V形刀具(33)在背面上沿着激光加工槽形成V形槽(13)并使裂纹从激光加工槽向下方伸展而将光器件晶片分割成器件芯片，其中，激光加工槽形成得比V形刀具的切入深度浅。
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公开(公告)号：CN107464872B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201710396737.3
申请日：2017-05-31
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 冈村卓
IPC: H01L33/58
Abstract: 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的正面上与晶片的各LED电路对应地形成多个槽；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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