公开(公告)号：CN1321441C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200410069162.7

申请日：2004-07-05

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  西元和男 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  矢野博之 ,  松井之辉 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  仓嶋延行

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。

公开(公告)号：CN1276959C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200410073976.8

申请日：2004-09-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044

Abstract: 本文公开了一种抛光方法，包括：使半导体基片的抛光面与含有树脂作主要组分并连接到转盘上的抛光垫接触，并向抛光垫滴加CMP浆料以打磨抛光面，该CMP浆料含有树脂微粒、无机微粒、可聚合组分和聚合引发剂。

公开(公告)号：CN1626600A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410096136.3

申请日：2004-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  福岛大 ,  山本进 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 公开了一种CMP浆料，包括Cu氧化剂，形成Cu有机络合物的络合剂，表面活性剂，无机微粒，以及树脂微粒，该树脂微粒含有聚苯乙烯，在其表面上具有与无机微粒的极性相同的功能基，并且平均微粒直径小于100nm，以小于1重量％的浓度加入所述树脂微粒。

公开(公告)号：CN1616573A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410073976.8

申请日：2004-09-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044

Abstract: 本文公开了一种抛光方法，包括：使半导体基片的抛光面与含有树脂作主要组分并连接到转盘上的抛光垫接触，并向抛光垫滴加CMP浆料以打磨抛光面，该CMP浆料含有树脂微粒、无机微粒、可聚合组分和聚合引发剂。

公开(公告)号：CN101410955A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011516.4

申请日：2007-03-27

Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  仕田裕贵 ,  桥口裕一 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体，含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E)，所述成分(B)的配合量(WB)与所述成分(C)的配合量(WC)的质量比(WB/WC)为0.01以上且小于2，所述成分(E)由上述通式(1)表示。(式中，m和n各自独立为1以上的整数，并且满足m+n≤50)。

公开(公告)号：CN1854225A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610076096.5

申请日：2006-04-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  福岛大 ,  仓嶋延行 ,  山本进 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  C08J5/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt％的重量平均分子量不小于20,000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。

公开(公告)号：CN1264201C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200310120519.5

申请日：2003-12-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福岛大 ,  南幅学 ,  矢野博之 ,  竖山佳邦

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3205 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 提供一种研磨方法及半导体装置的制造方法。该研磨方法包括：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上、以埋入上述槽的方式形成的作为被研磨膜的Cu、Al、W或Ag膜的上层部，进行第一研磨；上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨；上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。

公开(公告)号：CN1166986C

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN00120471.8

申请日：2000-07-12

Applicant: 国际商业机器公司 ,  英芬能技术北美公司 ,  株式会社东芝

Inventor： C·费尔桥克 ,  井场淳一郎 ,  J·纽策尔 ,  矢野博之

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/302 ,  C09K3/14 ,  C09J5/00 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/31053

Abstract: 通过化学机械抛光处理整平聚合物层。

公开(公告)号：CN1519894A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410003134.5

申请日：2004-02-06

Applicant: 株式会社东芝 ,  JSR株式会社

Inventor： 南幅学 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之 ,  河村知男 ,  长谷川亨

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/32

Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料，二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积％到5体积％的区域(11)；以及有机材料(10)。

公开(公告)号：CN1507014A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310120519.5

申请日：2003-12-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福岛大 ,  南幅学 ,  矢野博之 ,  竖山佳邦

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3205 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 提供一种研磨方法及半导体装置的制造方法。该研磨方法包括：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上，以埋入上述槽的方式形成的被研磨膜的上层部，进行第一研磨；上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨；上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。