公开(公告)号：CN101332580A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810128588.3

申请日：2008-06-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  関正也 ,  草宏明 ,  伊藤贤也

IPC: B24B21/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B21/002 ,  B24B9/065 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68792

Abstract: 根据本发明的抛光装置适用于对诸如半导体晶片的衬底的周边进行抛光。该抛光装置包括保持工件的保持部分、使抛光带与工件接触的抛光头、向所述抛光头供给抛光带的供给卷轴、使已经接触过工件的抛光带重绕的重绕卷轴、以及使所述抛光头进行摇摆运动的摆动机构，其中所述摇摆运动的枢转点位于预定点上。

公开(公告)号：CN100429752C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200580003567.3

申请日：2005-02-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 本乡明久 ,  伊藤贤也 ,  山口健二 ,  中西正行

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: B24B37/02 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002

Abstract: 本发明涉及一种抛光装置，所述抛光装置用于消除衬底的外围部分处产生的表面粗糙度，或者用于去除形成于衬底的外围部分上的膜。所述抛光装置包括：外壳(3)，其用于在其中形成抛光室(2)；旋转台(1)，其用于保持和旋转衬底(W)；抛光带供应机构(6)，其用于将抛光带(5)供应到抛光室(2)中并且收回已经供应至抛光室(2)的抛光带(5)；抛光头(35)，其用于将抛光带(5)压在衬底(W)的倾斜部分上；液体供应装置(50)，其用于将液体供应至衬底(W)的前表面和后表面上；以及调节机构(16)，其用于使抛光室(2)的内部压力被设置为低于抛光室(2)的外部压力。

公开(公告)号：CN101164148A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680013140.6

申请日：2006-04-18

Applicant: 日本微涂料株式会社 ,  株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  伊藤贤也 ,  白樫充彦 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  关正也 ,  佐藤觉 ,  渡边淳 ,  加藤健二 ,  田村淳 ,  浅川荘一

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: B24B9/065 ,  B24B21/16

Abstract: 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置，其包括：晶片载置台，用于保持晶片；晶片载置台单元，包括用于使晶片载置台转动的装置，使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动，并平行于该表面移动晶片载置台；凹口研磨部分，用于研磨晶片上的凹口；以及斜面研磨部分，用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。

公开(公告)号：CN109397036B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201810845872.6

申请日：2018-07-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 中西正行 ,  石井游 ,  伊藤贤也 ,  内山圭介 ,  柏木诚

IPC: B24B21/06 ,  B24B21/18 ,  B24B21/20 ,  B24B1/04 ,  B24B27/033 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/687

Abstract: 提供一种在基板的背面朝下的状态下能够有效地研磨包含基板的背面的最外部的背面整体的方法和装置。另外，提供一种在基板的背面朝下的状态下有效地处理包含基板的背面的最外部的背面整体的方法。本方法如下，在基板(W)的背面朝下的状态下，一边使多个辊(11)与基板(W)的周缘部接触，一边使多个辊(11)以各自的轴心为中心旋转，从而使基板(W)旋转，一边向基板(W)的背面供给液体，并且使配置于基板(W)的下侧的研磨带(31)与基板(W)的背面接触，一边使研磨带(31)相对于基板(W)进行相对运动，来研磨基板(W)的背面整体。

公开(公告)号：CN107073674A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580058353.X

申请日：2015-10-30

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  福吉米股份有限公司

Inventor： 石井遊 ,  伊藤贤也 ,  森永均 ,  玉井一诚 ,  大月伸悟 ,  浅野宏

IPC: B24B37/02 ,  B23B29/00 ,  B24B9/00 ,  B24B37/27

Abstract: 本发明涉及一种用于对金属筐体等工件进行研磨并进行镜面精加工的化学机械研磨(CMP)装置。化学机械研磨装置包括：研磨垫(2)，该研磨垫(2)具有环状研磨面(2a)，环状研磨面(2a)具有弯曲的纵截面；工件保持部(11)，该工件保持部(11)对具有多边形形状的工件(W)进行保持；旋转装置(15)，该旋转装置(15)使工件保持部(11)绕工件(W)的轴心旋转；按压装置(14)，该按压装置(14)将工件(W)的周缘部按压到环状研磨面(2a)；以及动作控制部(25)，该动作控制部(25)根据工件(W)的旋转角度改变旋转装置(15)使工件(W)旋转的速度。在研磨台(3)的半径方向上，按压装置(14)配置于比工件保持部(11)靠内侧的位置。

公开(公告)号：CN1977361B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200680000420.3

申请日：2006-04-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  白樫充彦 ,  伊藤贤也 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  関正也

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728

Abstract: 一种基底处理设备，包括用于抛光基底边缘部分的第一和第二抛光单元(70A，70B)，用于清洁基底(W)的第一级清洁单元(100)，用于干燥已经在第一级清洁单元(100)中清洁的基底(W)的第二级清洁和干燥单元(110)，和用于测量基底(W)边缘部分的测量单元(30)。测量单元(30)包括用于第一和第二抛光单元(70A和70B)中抛光要求的测量值的机构，例如：直径测量机构，横截面形状测量机构，或者表面状态测量机构。

公开(公告)号：CN101040370A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200580034805.7

申请日：2005-10-12

Applicant: 株式会社东芝 ,  株式会社荏原制作所

Inventor： 窪田壮男 ,  重田厚 ,  丰田现 ,  高桥圭瑞 ,  福冈大作 ,  伊藤贤也

IPC: H01L21/304 ,  B24B21/00 ,  B24B9/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002

Abstract: 一种抛光装置具有：抛光带(21)；供给卷轴(22)，用于把抛光带(21)供给到接触部分(30)中，在该接触部分上，抛光带(21)与基体(10)的凹槽部分(11)产生接触；及拾取卷轴(23)，用于缠绕来自接触部分(30)的抛光带(21)。该抛光装置还具有：第一导向部分(24)，它具有导向表面(241)从而把抛光带(21)直接供给到接触部分(30)中；及第二导向部分(25)，它具有导向表面，从而把抛光带(21)供给到拾取卷轴(23)中。第一导向部分(24)的导向表面(241)和/或第二导向部分(25)的导向表面具有与基体(10)的凹槽部分(11)的形状相对应的形状。

公开(公告)号：CN1914711A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200580003567.3

申请日：2005-02-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 本乡明久 ,  伊藤贤也 ,  山口健二 ,  中西正行

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: B24B37/02 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002

Abstract: 本发明涉及一种抛光装置，所述抛光装置用于消除衬底的外围部分处产生的表面粗糙度，或者用于去除形成于衬底的外围部分上的膜。所述抛光装置包括：外壳(3)，其用于在其中形成抛光室(2)；旋转台(1)，其用于保持和旋转衬底(W)；抛光带供应机构(6)，其用于将抛光带(5)供应到抛光室(2)中并且收回已经供应至抛光室(2)的抛光带(5)；抛光头(35)，其用于将抛光带(5)压在衬底(W)的倾斜部分上；液体供应装置(50)，其用于将液体供应至衬底(W)的前表面和后表面上；以及调节机构(16)，其用于使抛光室(2)的内部压力被设置为低于抛光室(2)的外部压力。

公开(公告)号：CN1879199A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200380110641.2

申请日：2003-10-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 斋藤孝行 ,  铃木作 ,  山田薰 ,  伊藤贤也 ,  龟泽正之 ,  山口健二

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02087 ,  B08B3/02 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，适合应用于对形成在基板的边缘部的薄膜进行腐蚀的腐蚀装置等，还适合应用于在腐蚀处理后对基板进行清洗处理的清洗装置等。用于进行腐蚀的基板处理装置，具有：基板保持部(11)，使基板(W)保持大致水平并旋转；以及处理液供给部(15)，在旋转的基板(W)的边缘部以处理液相对于基板(W)静止的方式供给该处理液。此外，对基板进行清洗的基板处理装置，具有：基板保持部(54)，使基板W保持大致水平并旋转；以及清洗液供给部(53)，从基板(W)中心朝向边缘部、且与基板(W)的表面成45°以下的仰角开口设置清洗液喷出口(53a)，以0.1m/s以上的流速向基板(W)的表面供给清洗液(L)。

公开(公告)号：CN1833314A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200480022684.X

申请日：2004-07-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山田薰 ,  齐藤孝行 ,  矢部纯夫 ,  伊藤贤也 ,  龟泽正之 ,  关正也 ,  片伯部一郎 ,  井上雄贵

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法，用于执行化学液体处理、清洗处理、干燥处理或类似处理，同时旋转基片，例如半导体晶片或液晶基片。本发明还涉及用于固定和旋转基片的基片固定装置。该基片处理装置(1)用于处理基片(W)并同时向基片(W)提供流体，包括：基片固定器(11)，用于固定和旋转基片(W)；和固定器抽吸单元(24)，用于从基片固定器(11)抽吸流体。该基片固定装置包括：多个压辊(20)，与基片(W)的边缘部分接触，从而固定和旋转基片(W)；和至少一个移动机构(303a)，用于移动压辊(20)。