半导体装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112166500B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN201980035157.9

    申请日:2019-03-28

    Inventor: 石野宽

    Abstract: 一种半导体装置,具备:半导体元件(30,30A,30B),在一面侧具有第1主电极(32),在背面侧具有第2主电极(33);第1导电部件(40C)及第2导电部件(40E),是将半导体元件夹着而配置的导电部件(40),上述第1导电部件配置在一面侧且与第1主电极连接,上述第2导电部件配置在背面侧且与第2主电极连接;绝缘部件(20),将导电部件各自的至少一部分以及半导体元件一体地覆盖并保护;以及第1主端子(60C)及第2主端子(60E),是与导电部件相连且向绝缘部件之外延伸设置的主端子(60),上述第1主端子与第1导电部件相连,上述第2主端子与第2导电部件相连。主端子中,作为向绝缘部件之外突出的突出部分,具有对置部(62)和多个非对置部(63C,63E),上述对置部以使主电流流动时产生的磁通相互抵消的方式配置,并且是第1主端子及第2主端子的板面彼此分离而对置的部分,上述多个非对置部是第1主端子及第2主端子各自中板面不对置的部分。

    半导体装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113557603A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202080019853.3

    申请日:2020-02-13

    Abstract: 半导体装置具备:半导体元件(40),具有第1主电极(41C)以及在与第1主电极之间流过主电流的第2主电极(41E);封固树脂体(30),将半导体元件封固;以及作为多个主端子(71)的第1主端子(71C)及第2主端子(71E),在封固树脂体的内部与对应的主电极电连接,向封固树脂体之外延伸设置。主端子从封固树脂体的一面(302)突出,第1主端子及第2主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一个方向上以使侧面(710C、710E)相互对置的方式交替配置。对于主端子的突出部分的一个方向上的宽度而言,相比于与封固树脂体之间的边界部(713C、713E),连接其他部件的外部连接部(712C、712E)更大。

    半导体装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112543994A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201980048810.5

    申请日:2019-05-28

    Abstract: 半导体装置包括:至少一个半导体元件(30),该半导体元件具有第一主电极(32)和在与第一主电极之间流过主电流的第二主电极(33);以及主端子(60),该主端子具有连接到第一主电极的第一主端子(60C)和连接到第二主电极的第二主端子(60E),并且第一主端子和第二主端子的至少一方为多个,第一主端子和第二主端子在与半导体元件的厚度方向正交的一方向上以使侧面彼此相对的方式相邻配置。由在一方向上连续配置的三个以上的主端子构成主端子组(61)。构成主端子组的主端子各自的至少一部分在一方向上配置于从半导体元件的两端面(36、37)延长的延长线之间的区域(A1)内。

    半导体装置
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113661567B

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202080027821.8

    申请日:2020-02-13

    Abstract: 多个。非对置部以侧面相互对置的方式交替地排半导体装置具备:半导体元件(40),在一面 列,对置的侧面的组形成有多个。侧具有第1主电极(41C),在背面侧具有第2主电极(41E);与一面侧的第1主电极连接的第1散热部件(50C)及背面侧的第2散热部件(50E);以及引线框(60),包括与第1散热部件连接的第1主端子(61C)以及与第2主电极连接的第2主端子(61E)。第2主端子具有与第2主电极连接的连接部(62E)、从连接部延伸设置且与第1散热部件对置的对置部(64E)、以及与连接部相反地与对置部相连且与第1主端子在正交于厚度方向的一个方向上排列的非对置部(65E)。第2散热部件经由(56)对比文件尧舜;丁鹏;张亮;张辉;曹银花;王智勇.大功率半导体激光器模块散热结构的数值优化.半导体光电.2008,(01),全文.

    半导体装置
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113519050B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202080018492.0

    申请日:2020-01-16

    Abstract: 半导体装置具备,在一面及背面设有电极的多个半导体元件(31、32)、作为将半导体元件夹着而配置的散热部件的、与一面侧的电极电连接的第1部件(41、42)及与背面侧的电极电连接的第2部件(51、52)、以及与散热部件相连的端子(71、72)。在从板厚方向观察的平面视图中,第2部件的面积比第1部件小,半导体元件在第2部件的长边方向上排列配置。半导体装置中,作为在与第2部件之间形成的焊接部,还具有将半导体元件与第2部件电连接的第1接合部(131、132)和将端子的至少1个与第2部件电连接的第2接合部(121、122)。相对于经过第2部件的重心(Cg1,Cg2)且与板厚方向及长边方向正交的轴(AX11,(56)对比文件CN 105374779 A,2016.03.02JP 2016162777 A,2016.09.05WO 2015072105 A1,2015.05.21CN 105990284 A,2016.10.05US 2018138134 A1,2018.05.17TW 452943 B,2001.09.01JP 2014154736 A,2014.08.25CN 1529357 A,2004.09.15JP 2015186438 A,2015.10.22JP 2012146733 A,2012.08.02Viktoriia E. Babicheva*, RaduMalureanu, Andrei V. Lavrinenko.Plasmonicfinite-thickness metal–semiconductor–metal waveguide as ultra-compactmodulator.Sciverse sciencedirect.2014,全文.D.Schreiber.电力电子学在风力发电中的应用.变频器世界.2007,(12),全文.尧舜;丁鹏;刘江;曹银花;王智勇.大功率半导体激光器实用化微通道热沉.北京工业大学学报.2009,(12),全文.

    半导体装置
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106463491B

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201580029109.0

    申请日:2015-05-21

    Abstract: 半导体装置具备:半导体芯片(12),使用碳化硅形成,在第1面(12a)及与该第1面相反的第2面具有电极;端子(14),配置在第1面侧,经由接合部件而与第1面侧的电极连接;热沉(22),配置在第2面侧,经由接合部件而与第2面侧的电极连接。设第1面(12a)为(0001)面,设半导体芯片的厚度方向为[0001]方向。并且,呈平面正方形的半导体芯片(12)的端部与呈平面长方形的端子(14)的端部之间的距离中的[1-100]方向上的最短距离(L1)比[11-20]方向上的最短距离(L2)短。由此,能够在抑制散热性的下降的同时、提高半导体芯片对热应力的耐受力。

    半导体装置
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112166500A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN201980035157.9

    申请日:2019-03-28

    Inventor: 石野宽

    Abstract: 一种半导体装置,具备:半导体元件(30,30A,30B),在一面侧具有第1主电极(32),在背面侧具有第2主电极(33);第1导电部件(40C)及第2导电部件(40E),是将半导体元件夹着而配置的导电部件(40),上述第1导电部件配置在一面侧且与第1主电极连接,上述第2导电部件配置在背面侧且与第2主电极连接;绝缘部件(20),将导电部件各自的至少一部分以及半导体元件一体地覆盖并保护;以及第1主端子(60C)及第2主端子(60E),是与导电部件相连且向绝缘部件之外延伸设置的主端子(60),上述第1主端子与第1导电部件相连,上述第2主端子与第2导电部件相连。主端子中,作为向绝缘部件之外突出的突出部分,具有对置部(62)和多个非对置部(63C,63E),上述对置部以使主电流流动时产生的磁通相互抵消的方式配置,并且是第1主端子及第2主端子的板面彼此分离而对置的部分,上述多个非对置部是第1主端子及第2主端子各自中板面不对置的部分。

Patent Agency Ranking