公开(公告)号：CN100565803C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610140367.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社上睦可

Inventor： 柴田巧 ,  山内庄一 ,  山冈智则 ,  野上彰二

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括步骤：在硅衬底(1)的主表面上形成沟槽(4)；在主表面上和沟槽(4)中形成第一外延膜(20)；以及在第一外延膜(20)上形成第二外延膜(21)。形成第一外延膜(20)的步骤具有第一外延膜(20)的第一生长速度的第一工艺条件。形成第二外延膜(21)的步骤具有第二外延膜(21)的第二生长速度的第二工艺条件。第二生长速度比第一生长速度大。

公开(公告)号：CN100479100C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610168911.0

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社上睦可

Inventor： 山内庄一 ,  柴田巧 ,  山冈智则 ,  野上彰二

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/66 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括如下步骤：在硅衬底(1、40)上形成第一外延膜(2、41)；在第一外延膜(2、41)中形成沟槽(4、43)；并且在第一外延膜(2、41)上和在沟槽(4、43)中形成第二外延膜(23、44、45)。形成第二外延膜(23、44、45)的步骤包括最后的步骤，其中使用硅源气体和卤化物气体的混合气体。硅衬底(1、40)具有被定义为α的砷浓度，第二外延膜(23、44、45)具有被定义为β的杂质浓度。砷浓度和杂质浓度具有如下关系：α≤3×1019×ln(β)-1×1021。

公开(公告)号：CN1949461A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610140367.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社上睦可

Inventor： 柴田巧 ,  山内庄一 ,  山冈智则 ,  野上彰二

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括步骤：在硅衬底(1)的主表面上形成沟槽(4)；在主表面上和沟槽(4)中形成第一外延膜(20)；以及在第一外延膜(20)上形成第二外延膜(21)。形成第一外延膜(20)的步骤具有第一外延膜(20)的第一生长速度的第一工艺条件。形成第二外延膜(21)的步骤具有第二外延膜(21)的第二生长速度的第二工艺条件。第二生长速度比第一生长速度大。

公开(公告)号：CN1945796A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610137580.4

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社上睦可 ,  株式会社电装

Inventor： 野上彰二 ,  山冈智则 ,  山内庄一 ,  山口仁 ,  柴田巧

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/0634

Abstract: 在具有外延膜的沟渠的开口处抑制封闭并由此改善沟渠中的填充形态。一种半导体衬底的制造方法包括在硅衬底13的表面上生长外延层11的步骤，在该外延层11中形成沟渠14的步骤，和用外延膜12填充沟渠14的内部的步骤，其中在用外延膜填充沟渠的内部中流通作为材料气体的通过将类卤基混合入硅源气体制造的混合气体，当类卤基气体的标准流速定义为Xslm和将通过流通硅源气体形成的外延膜的薄膜形成速度定义为Yμm/min时，在当沟渠的纵横比小于10的情况下，满足表达式Y＜0.2X+0.10，在沟渠的纵横比在10和小于20之间的情况下，满足表达式Y＜0.2X+0.05，在沟渠的纵横比是20或者更大的情况下，满足表达式Y＜0.2X。