公开(公告)号：CN105264774B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201480032403.2

申请日：2014-05-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博

IPC: H03K17/0812 ,  H01L27/02

CPC classification number: H02H7/003 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/7408 ,  H01L29/7412 ,  H01L29/778 ,  H03K17/08122

Abstract: 半导体装置的保护电路具备高电子迁移率晶体管(1)和保护元件。上述保护元件在上述高电子迁移率晶体管的漏极－栅极间具备晶闸管(2)以及与该晶闸管串联连接的第1电阻(3)。上述保护元件在上述高电子迁移率晶体管的源极－栅极间具备第2电阻(4)以及与该第2电阻串联连接的截断部(5，10)。上述截断部当上述晶闸管截止时将上述漏极－栅极间的电流的流动截断并且当上述晶闸管导通时允许上述漏极－栅极间的电流的流动。

公开(公告)号：CN107112241A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070212.X

申请日：2015-12-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博 ,  樋口安史 ,  大泽青吾 ,  松井正树 ,  阴泳信

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具备横式开关器件，该横式开关器件具有基板(1)、在基板上具有由GaN层(3)和AlGaN层(4)形成的异质结构造且形成有凹部(5)的沟道形成层、构成为具有形成在凹部内的栅极绝缘膜(6)和栅极电极(7)的栅极构造部、以及在沟道形成层上配置在夹着栅极构造部的两侧的源极电极(8)和漏极电极(9)，在GaN层与AlGaN层的界面中的GaN层侧引起二维电子气载流子，并且在对栅极电极施加了电压时在凹部的底部中的GaN层的表面部形成沟道，从而在源极电极与漏极电极之间流过电流。AlGaN层具有：第一AlGaN层(4a)，被设定为二维电子气浓度被确定的Al混晶比；以及第二AlGaN层(4b)，Al混晶比小于第一AlGaN层的Al混晶比，从而引起负的固定电荷，设置成与栅极构造部接触且与源极电极和漏极电极分离。

公开(公告)号：CN105144356A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480020350.2

申请日：2014-04-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376

Abstract: 半导体装置具有常断型的HEMT，该常断型的HEMT具备：第1半导体层(4)；第2半导体层(3)，与所述第1半导体层形成异质结，生成第1二维电子气层(6a)；栅槽(7)，形成于所述第1半导体层；绝缘膜(8)，配置于所述栅槽的壁面；以及栅极电极(9)，配置在所述绝缘膜上。所述栅槽的底面侧的宽度窄于开口部侧的宽度。所述栅极电极沿所述栅槽的侧面配置。在对所述栅极电极施加栅极电压时，在所述第2半导体层中，第2二维电子气层(6b)与所述第1二维电子气层的一部分重叠地被生成。

公开(公告)号：CN109155255B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201780031618.6

申请日：2017-04-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樽见浩幸 ,  小山和博 ,  阴泳信 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 将JG电极(11)与源极电极(8)经由电极层(13)直接连结。由此，能够减小寄生阻抗(50)的电阻值，实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小。此外，将u－GaN层(4)及p－GaN层(10)从漏极电极(9)离开而配置。由此，能够使u－GaN层(4)与2DEG的对置面积变小，能够减小反馈电容(C1)。这样，通过实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小及反馈电容(C1)的减小，能够使将反馈电容(C1)充电时流动的电流(Ijg)变大。由此，能够将反馈电容(C1)以高速充电，能够使JFET部(40)高速截止，所以能够使开关器件的关断更高速化。

公开(公告)号：CN105144356B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201480020350.2

申请日：2014-04-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376

Abstract: 半导体装置具有常断型的HEMT，该常断型的HEMT具备：第1半导体层(4)；第2半导体层(3)，与所述第1半导体层形成异质结，生成第1二维电子气层(6a)；栅槽(7)，形成于所述第1半导体层；绝缘膜(8)，配置于所述栅槽的壁面；以及栅极电极(9)，配置在所述绝缘膜上。所述栅槽的底面侧的宽度窄于开口部侧的宽度。所述栅极电极沿所述栅槽的侧面配置。在对所述栅极电极施加栅极电压时，在所述第2半导体层中，第2二维电子气层(6b)与所述第1二维电子气层的一部分重叠地被生成。

公开(公告)号：CN104160512B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201380012757.6

申请日：2013-03-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 荒川和树 ,  住友正清 ,  松井正树 ,  樋口安史 ,  小山和博

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 在半导体装置中，沟槽(5)具有：第1沟槽(5a)，在基极层(4)的表面具有开口部；第2沟槽(5b)，与第1沟槽(5a)连通，对置的侧壁的间隔比第1沟槽(5a)的对置的侧壁的间隔长，并且底部位于漂移层(3)。与第1沟槽(5a)结合的第2沟槽(5b)的结合部(5c)的壁面带有圆度。据此，能够抑制在第1沟槽(5a)与第2沟槽(5b)之间的结合部(5c)的附近发生较大的电场集中。此外，当电子被从沟道区域向漂移层(3)供给时，能够抑制电子的流动方向在结合部(5c)的附近急剧地变化。因此，能够实现导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN105264774A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480032403.2

申请日：2014-05-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博

IPC: H03K17/0812 ,  H01L27/02

CPC classification number: H02H7/003 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/7408 ,  H01L29/7412 ,  H01L29/778 ,  H03K17/08122

Abstract: 半导体装置的保护电路具备高电子迁移率晶体管(1)和保护元件。上述保护元件在上述高电子迁移率晶体管的漏极－栅极间具备晶闸管(2)以及与该晶闸管串联连接的第1电阻(3)。上述保护元件在上述高电子迁移率晶体管的源极－栅极间具备第2电阻(4)以及与该第2电阻串联连接的截断部(5，10)。上述截断部当上述晶闸管截止时将上述漏极－栅极间的电流的流动截断并且当上述晶闸管导通时允许上述漏极－栅极间的电流的流动。

公开(公告)号：CN104285300A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024277.1

申请日：2013-04-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博 ,  住友正清 ,  樋口安史

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0722 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861

Abstract: 半导体装置具备：第1导电型的漂移层(2)、在所述漂移层(2)上形成的第2导电型的基极层(3)、在所述基极层(3)的表层部形成的第1导电型的发射极层(7)、所述漂移层(2)之中的与所述基极层(3)相离的第1导电型的缓冲层(11)、在所述缓冲层(11)中选择性地形成的第2导电型的集电极层(12)、与所述基极层(3)之中的所述漂移层(2)和所述发射极层(7)之间的沟道区域接触的栅极绝缘膜(5)、在所述栅极绝缘膜(5)上形成的栅极电极(6)、与所述基极层(3)以及所述发射极层(7)电连接的第1电极(10)、以及与所述缓冲层(11)以及所述集电极层(12)电连接的第2电极(13)。在所述缓冲层(11)中，载流子密度比空间电荷密度小。