公开(公告)号：CN1728401A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510086030.X

申请日：2005-07-20

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 久本大 ,  安井感 ,  木村绅一郎 ,  石丸哲也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种即使缩小存储单元也具有优良读出电流驱动能力的非易失性半导体存储器件。在分裂栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在凸型衬底上形成存储栅极，将其侧面作为沟道使用。

公开(公告)号：CN1702867A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510074348.6

申请日：2005-05-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 久本大 ,  安井感 ,  石丸哲也 ,  木村绅一郎 ,  冈田大介

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  G11C16/04

Abstract: 本发明涉及半导体存储器件，提供用于使非易失性半导体存储器件稳定动作的动作方式。在分离式栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在进行热空穴注入的情况下，使用没有时间变化的交点，进行热空穴注入动作的校验。由此，可以进行擦除状态的验证而不考虑经过时间变化。此外，通过多次在栅极部分上施加脉冲电压或多级阶跃电压来进行写入或写入/擦除。

公开(公告)号：CN1655340A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200410101482.6

申请日：2004-12-16

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 久本大 ,  安井感

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法，该半导体存储器件具有适合于存储单元阵列配置的低电阻栅极。在分裂栅极构造的非易失性半导体存储器件中，在借助于侧壁间隔物形成存储器栅极时，在由多晶硅形成了该存储器栅极之后，置换成镍硅化物。由此能进行低电阻化而不会对选择栅极和扩散层的硅化物化造成影响。