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公开(公告)号：CN101528972A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780039552.1
申请日：2007-10-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/32376 , H01J37/3408 , H01J37/3455
Abstract: 当隔一定间隔并列设置多个阴极靶，用溅镀形成规定薄膜的情况下，抑制在处理基板表面上形成的薄膜上产生波浪形的膜厚分布及膜质分布。当通过给溅射室11a内与处理基板S相向且隔规定间隔并列设置的多个阴极靶31a～31h投入电力，用溅镀形成规定的薄膜期间，使各阴极靶平行于处理基板以一定速度往返运动的同时，使各阴极靶的前面分别形成隧道形的磁力线M的磁铁组合件分别平行于各阴极靶，以一定速度往返运动。当各阴极靶到达往返运动的折返位置时，使各阴极靶的往返运动在规定的时间内停止。
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公开(公告)号：CN1916231A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610111086.0
申请日：2006-08-18
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 在利用由接合材料接合靶和背板而构成的靶组合体、通过溅射进行成膜时，接合时发生翘曲，则处理基板面内膜厚变得不均匀。本发明介由从背板的靶向外侧伸出的部分(42a)，把由靶(41)和通过接合材料接合的背板(42)构成的靶组合体安装到溅射电极主体(4)上。然后，设置沿对于靶的溅射面相正交的方向，向靶组合体的中央区域施加拉张力或者按压力的任何一方的翘曲校正单元(7)。
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公开(公告)号：CN101589170B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200780042641.1
申请日：2007-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明的磁控管溅镀电极以及配置有该磁控管溅镀电极的溅镀装置具有以下效果：在磁控管溅镀装置中可均匀地腐蚀阴极靶的外周缘部，阴极靶的利用效率高，此外，不易产生异常放电，可形成良好的薄膜。在与处理基板相向配置的阴极靶(42)的后面配置有磁铁组合件(5)，该磁铁组合件(5)具有沿长度方向线性配置的中央磁铁(52)，以及以围绕中央磁铁的形态配置的周边磁铁(53)，用以改变阴极靶一侧的极性。此时，在该磁铁组合件的长度方向端部，使产生于中央磁铁和周边磁铁间的呈隧道形的各磁力线中磁场的垂直成分为0的位置在一定范围内向中央磁铁一侧局部性移位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101657562B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200880011831.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/228
Abstract: 在通过反应性溅镀形成规定的薄膜时，可使处理基板的整个面上的膜厚分布及电阻系数值等膜质大致均匀。设有：在真空容器(11)内的溅镀室内隔规定间隔并列设置的多个阴极靶(31a～31d)；可向各阴极靶提供电力的溅镀电源(E1)、(E2)；可给溅镀室导入溅镀气体及反应气体的气体导入手段(6a、6b)。导入反应气体的气体导入手段(6b)至少具有1根朝各阴极靶的并列设置方向延伸的供气管(61b)，该供气管在并列设置的各阴极靶的背面一侧与各阴极靶隔一定距离配置的同时，具有向阴极靶喷射反应气体的喷射口(610)。
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公开(公告)号：CN101512038B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780032826.4
申请日：2007-08-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3464 , H01J37/34 , H01J37/3444
Abstract: 提供一种薄膜形成方法以及实施该薄膜形成方法的薄膜形成装置，其并联设置了多个与交流电源连接的电极对，比较该并联设置的电极对中与不同的交流电源连接的彼此相邻电极间的输出，当输出电位差超过规定值的情况下，通过调整上述交流电源的输出，使输出电位差收敛到上述规定值以下。
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公开(公告)号：CN1667155B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510052718.6
申请日：2005-03-10
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种可以减少异常放电和非腐蚀部，并能够形成膜厚分布均匀的膜的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具有多个靶(31a～31f)，对不同的靶(31a～31f)施加极性不同的交流电压。当一方的靶(31a～31f)置于负电位时，另一方的靶(31a～31f)置于正电位，并作为阳极起作用，所以，相邻靶(31a～31f)之间不必配置阳极。因相邻的靶(31a～31f)之间什么都不配置，故可以缩短靶(31a～31f)间的距离s，由于在配置了靶(31a～31f)的区域内不放射溅射粒子的面积的比例减小，故溅射粒子均匀地到达衬底(5)，从而使膜厚分布变得均匀。
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公开(公告)号：CN1904133B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610107628.7
申请日：2006-07-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明的课题是提供在靶上不留下非侵蚀区域而且在进行反应性溅射的情况下能形成均匀的膜质的膜的溅射装置。本发明的溅射装置(2)的其特征在于：具备在真空室(21)内隔开一定的间隔并列地设置的至少3片的靶(241)和对各靶(241)交替地施加负电位和正电位或接地电位的交流电源(E1～E3)，使来自交流电源(E1～E3)的至少一个输出分支，连接到至少2片的靶(241)上，在连接到该分支了的输出上的各靶(241)之间设置了作为切换从交流电源施加电位的靶的切换单元的开关(SW1～SW3)。
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公开(公告)号：CN101657562A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880011831.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/228
Abstract: 在通过反应性溅镀形成规定的薄膜时，可使处理基板的整个面上的膜厚分布及电阻系数值等膜质大致均匀。设有：在真空容器(11)内的溅镀室内隔规定间隔并列设置的多个阴极靶(31a～31d)；可向各阴极靶提供电力的溅镀电源(E1)、(E2)；可给溅镀室导入溅镀气体及反应气体的气体导入手段(6a、6b)。导入反应气体的气体导入手段(6b)至少具有1根朝各阴极靶的并列设置方向延伸的供气管(61b)，该供气管在并列设置的各阴极靶的背面一侧与各阴极靶隔一定距离配置的同时，具有向阴极靶喷射反应气体的喷射口(610)。
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