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公开(公告)号：CN111902899A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980021921.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33 , H01G4/30 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的电容器(100)具备基板(110)、电介质部(120)以及导电体层(130)。电介质部(120)包括厚膜部(120A)和薄膜部(120B)。厚膜部(120A)在与第一主面(111)垂直的方向上，比电介质部(120)的平均厚度厚。在与第一主面(111)垂直的方向上，薄膜部(120B)比电介质部(120)的平均厚度薄。厚膜部(120A)的相对介电常数比薄膜部(120B)的相对介电常数大。
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公开(公告)号：CN111263978A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880069469.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)以及第二主面(110B)；第一电极(131)，设置在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第一电阻控制层((140)，设置在第一电极(131)之上；布线部(150)，设置在第一电阻控制层(140)之上；以及第二电极(132)，设置在半导体基板(110)的第二主面(110B)侧。第一电阻控制层(140)具备：将第一电极(131)与布线部(150)电连接的第一区域(141)；与第一区域(141)并排且电阻率比第一区域(141)高的第二区域(142)。
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公开(公告)号：CN110945643A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048977.7
申请日：2018-07-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/00 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L27/04
Abstract: 电容器(100)具备：基体材料(110)，具有相互对置的第一主面(110A)和第二主面(110B)，并在第一主面(110A)侧形成有沟槽部(111)；介电膜(130)，在基体材料(110的第一主面(110A)侧设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域；导电体膜(140)，具有第一导电体层(141)和第二导电体层(142)，其中，上述第一导电体层(141)设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域且是介电膜(130)上，上述第二导电体层(142)设置在第一导电体层(141)上；以及应力缓和部(160)，与第一导电体层(141)的端部的至少一部分接触来设置，在基体材料(110)的第一主面(110A)中的沟槽部(111)的外侧，应力缓和部(160)的厚度(T6)比导电体膜(140)的厚度(T4)小。
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公开(公告)号：CN111279466B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201880069502.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)和第二主面(110B)；第一电极(131)，设置于半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第二电极(132)，设置于半导体基板(110)的第二主面(110B)侧；以及电阻控制层(160)，设置在半导体基板(110)与第二电极(132)之间。电阻控制层(160)具备：将半导体基板(110)和第二电极(132)电连接的第一区域(161)；以及与第一区域(161)并排且比第一区域(161)电阻率高的第二区域(162)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111902899B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201980021921.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33 , H01G4/30 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的电容器(100)具备基板(110)、电介质部(120)以及导电体层(130)。电介质部(120)包括厚膜部(120A)和薄膜部(120B)。厚膜部(120A)在与第一主面(111)垂直的方向上，比电介质部(120)的平均厚度厚。在与第一主面(111)垂直的方向上，薄膜部(120B)比电介质部(120)的平均厚度薄。厚膜部(120A)的相对介电常数比薄膜部(120B)的相对介电常数大。
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公开(公告)号：CN114127972A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051528.5
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L49/02
Abstract: 提供抑制介电膜的绝缘破坏强度的降低(介电膜的耐电压性的劣化)的半导体装置。半导体装置具备具有相互对置的第一主面以及第二主面的半导体基板、配置在第一主面的一部分上的介电膜、配置在介电膜的一部分上的第一电极层、以及从第一电极层的端部连续地覆盖到介电膜的第一外周端的保护层。介电膜具有配置有第一电极层的电极层配置部、和被保护层覆盖的保护层覆盖部。介电膜的保护层覆盖部的第一外周端的厚度比介电膜的电极层配置部的厚度小。保护层具有连续地覆盖第一电极层的第二外周端和保护层覆盖部的至少一部分的第一保护层、和配置在第一保护层上的第二保护层。第一保护层具有比第二保护层低的相对介电常数。第二保护层具有比第一保护层高的耐湿性。
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公开(公告)号：CN111989850A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026023.0
申请日：2019-04-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H02M1/34
Abstract: CR缓冲元件(100)具备第一电阻部(110)、第一电容部(120)、第二电阻部(130)以及第二电容部(140)。第一电容部(120)与第一电阻部(110)串联地连接。第二电阻部(130)与第一电阻部(110)和第一电容部(120)串联地连接。第二电容部(140)与第二电阻部(130)并联地连接。CR缓冲元件(100)构成为在第一电容部(120)短路时，第二电阻部(130)断开。
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公开(公告)号：CN111279466A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069502.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)和第二主面(110B)；第一电极(131)，设置于半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第二电极(132)，设置于半导体基板(110)的第二主面(110B)侧；以及电阻控制层(160)，设置在半导体基板(110)与第二电极(132)之间。电阻控制层(160)具备：将半导体基板(110)和第二电极(132)电连接的第一区域(161)；以及与第一区域(161)并排且比第一区域(161)电阻率高的第二区域(162)。
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公开(公告)号：CN111033656A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880053659.X
申请日：2018-11-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 电容器(1)具有：基材(11)，其由绝缘体构成，并具有相互对置的第1主面(111)和第2主面(112)；有底的第1沟道部(14a)，其形成于基材(11)的第1主面(111)；第1导体部(14)，其形成于第1沟道部(14a)内；第1外部电极部(12)，其形成于基材(11)的第1主面(111)侧，并与第1导体部(14)连接；有底的第2沟道部(15a)，其形成于基材(11)的第2主面(112)；第2导体部(15)，其形成于第2沟道部(15a)内；以及第2外部电极部(13)，其形成于基材(11)的第2主面(112)侧，并与第2导体部(15)连接，第1沟道部(14a)与第2沟道部(15a)重叠。
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