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公开(公告)号：CN116264220A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211589417.7
申请日：2022-12-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供了一种电气器件以及制造电气器件的方法。一种制造电气器件的方法，包括：对可阳极氧化金属层的部分进行阳极氧化，以获得阳极多孔氧化物区域(101)以及与阳极多孔氧化物区域相邻的可阳极氧化金属区域(100)，阳极多孔氧化物区域比可阳极氧化金属区域厚；在阳极多孔氧化物区域和可阳极氧化金属区域上沉积衬垫材料的层(105)；在衬垫材料的层上沉积填充材料的层(106)以获得具有顶表面的堆叠结构，填充材料与衬垫材料不同；对从堆叠结构的顶表面起直至到达衬垫材料的层的堆叠结构进行平坦化，以暴露位于阳极多孔氧化物区域的至少一部分(112)上方的衬垫材料的部分(111)；去除衬垫材料的暴露部分。
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公开(公告)号：CN112189244B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201980033035.6
申请日：2019-05-13
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
IPC: H01G11/04 , H01G4/10 , H01G4/12 , H10N97/00 , H01G11/46 , H01M6/18 , H01G4/33 , H01G11/84 , H01G11/26 , H01G11/56 , H01G11/70 , H01G11/06
Abstract: 集成储能部件(1)包括支撑仿形层(3)的衬底(2)，仿形层(3)本身包括具有仿形表面的区域(3a)，所述区域(3a)例如包括长形孔(3c)。叠层结构(5至8)共形地设置在该区域(3a)的仿形表面上。叠层是MOIM层或MIOM层的单个或重复实例，M层(5，8)是金属层或准金属例如TiN，O层是包含离子的氧化物层(6)，并且I层(7)是离子电介质。具有仿形表面的区域(3a)可以由多孔阳极氧化铝形成。
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公开(公告)号：CN110892497B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201880045989.4
申请日：2018-07-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 由基底(1)提供放大的表面面积，该基底(1)包括：基层(2)，该基层具有限定多个第一沟槽(3)和介于中间的第一平台(4)的第一主表面(2A)；以及覆盖层(12)，该覆盖层设置在基层(2)的第一主表面(2A)上并以基本保形的方式覆盖第一沟槽(3)和第一平台(4)，其中，覆盖层的远离基层的第一主表面(2A)的表面(12A)包括多个第二沟槽(13)和介于中间的第二平台(14)，第二沟槽和第二平台以比第一沟槽和第一平台的比例小的比例被限定。基底可以用于制造电容元件，在电容元件中设置有薄膜层并且薄膜层以保形的方式覆盖覆盖层的第二沟槽和第二平台，以创建具有高的电容密度的金属‑绝缘体‑金属结构。
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公开(公告)号：CN112189244A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980033035.6
申请日：2019-05-13
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
IPC: H01G11/04 , H01G4/10 , H01G4/12 , H01L49/02 , H01G11/46 , H01M6/18 , H01G4/33 , H01G11/84 , H01G11/26 , H01G11/56 , H01G11/70 , H01G11/06
Abstract: 集成储能部件(1)包括支撑仿形层(3)的衬底(2)，仿形层(3)本身包括具有仿形表面的区域(3a)，所述区域(3a)例如包括长形孔(3c)。叠层结构(5至8)共形地设置在该区域(3a)的仿形表面上。叠层是MOIM层或MIOM层的单个或重复实例，M层(5，8)是金属层或准金属例如TiN，O层是包含离子的氧化物层(6)，并且I层(7)是离子电介质。具有仿形表面的区域(3a)可以由多孔阳极氧化铝形成。
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公开(公告)号：CN110892497A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880045989.4
申请日：2018-07-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 由基底(1)提供放大的表面面积，该基底(1)包括：基层(2)，该基层具有限定多个第一沟槽(3)和介于中间的第一平台(4)的第一主表面(2A)；以及覆盖层(12)，该覆盖层设置在基层(2)的第一主表面(2A)上并以基本保形的方式覆盖第一沟槽(3)和第一平台(4)，其中，覆盖层的远离基层的第一主表面(2A)的表面(12A)包括多个第二沟槽(13)和介于中间的第二平台(14)，第二沟槽和第二平台以比第一沟槽和第一平台的比例小的比例被限定。基底可以用于制造电容元件，在电容元件中设置有薄膜层并且薄膜层以保形的方式覆盖覆盖层的第二沟槽和第二平台，以创建具有高的电容密度的金属-绝缘体-金属结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113272952B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202080008200.5
申请日：2020-01-08
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
IPC: H01L23/522 , C25D11/04 , H01G4/10 , H10N97/00 , C25D11/02
Abstract: 一种用于形成具有多孔区域和横向包封的产品结构的方法、一种用于制造结构的方法，该结构包括：绝缘层(201)；第一金属层(203)，该第一金属层在绝缘层的第一部分上方；阳极氧化物的第一多孔区域，该第一多孔区域在第一金属层上方并与第一金属层接触；以及阳极氧化物的第二多孔区域，其包围第一多孔区域，该第二多孔区域与同绝缘层的第一部分相邻的绝缘层的第二部分接触并且与第一金属层接触，第二多孔区域形成绝缘区域。
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公开(公告)号：CN116348978A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180072937.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/012
Abstract: 一种包括电容器的电气器件，包括：基板(100)；在基板上方的阳极多孔氧化物区域(105)；第一电容器电极区域(111A)，其布置在阳极多孔氧化物区域中，在阳极多孔氧化物区域中延伸，第一电容器电极区域具有垂直于顶表面的第一壁(108A)；第二电容器电极区域(111A)，其布置在阳极多孔氧化物区域中，在阳极多孔氧化物区域中延伸，第二电容器电极区域具有垂直于顶表面且面对第一电容器电极区域的第一壁的第二壁(108B,202B)，第一电容器电极区域的第一壁和第二电容器电极区域的第二壁由包括阳极多孔氧化物区域的一部分的电介质部分(112)分隔开。
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公开(公告)号：CN116093082A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211355125.7
申请日：2022-11-01
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 公开了纳米线阵列结构、包含该结构的产品及其制造方法。该结构(100)具有位于材料层(128)中的阱(160)中的纳米柱阵列(138)。该阵列的纳米柱在从阱底板(164)朝向阱口(168)的方向上延伸。硬掩模(140)覆盖阵列中的外围纳米柱并且向外延伸以覆盖阱口的其余部分。硬掩模(140)中的缺口(142)使设置在外围纳米柱内侧的纳米柱暴露。硬掩模(140)使该结构平坦化，避免在纳米柱阵列的外围处形成大的拓扑特征，从而促进将该结构集成到半导体产品中。至少一些外围纳米柱可以在阳极氧化物的孔中。
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公开(公告)号：CN115702498A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180040732.1
申请日：2021-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 描述了具有选择性底部端子接触的半导体结构。半导体器件包括：设置在衬底(102)上方的第一金属层(104)；设置在第一金属层(104)上方的导电层(106)；以及设置在导电层(106)上方的第二金属层(108)，该第二金属层(108)嵌有多孔结构(112)，该多孔结构(112)包括从多孔结构的顶表面朝向导电层基本上垂直地延伸的多个孔(412)，其中，仅所述多个孔的子集(412a)通至导电层(106)上。
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公开(公告)号：CN115699306A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180039916.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 包括3D电容性结构的电子部件(1)包括：基板(2)，其具有包括从基板表面延伸到基板主体中的多个阱(3)的轮廓表面(2a)；电介质(5)，其形成在轮廓表面之上并且与轮廓表面的形状一致；以及第一电极(7)，其形成在电介质之上并且与轮廓表面形状一致。基板构成第二电极，并且电介质介于基板与第一电极之间。电介质的一些部分通过轮廓表面的基部处的开口暴露，并且与形成在基板下方的绝缘层(10)接触，从而降低了当在第一电极与第二电极之间施加电位差时在电介质的接触部分中产生的静电场。阱的底部处的开口被电介质封闭，电介质在阱内限定盲孔，并且第一电极在盲孔中。
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