公开(公告)号：CN110168674A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201880006182.X

申请日：2018-03-01

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社村田制作所

Inventor： 高木健太 ,  山口渡 ,  横山贵章 ,  坂口健二 ,  吉井和弘 ,  横山裕史

IPC: H01F1/059 ,  B22F1/00 ,  B22F3/00 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04 ,  C22C33/02 ,  H01F41/02 ,  C22C38/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种含有Sm-Fe-N系晶粒且具有高矫顽力的烧结磁体以及即便在随着烧结所产生的热的作用下也能够不使矫顽力降低地形成烧结磁体的磁体粉末。上述烧结磁体包含由多个Sm-Fe-N系晶粒构成的结晶相、和存在于邻接的Sm-Fe-N系晶粒之间的非磁性金属相，并且，由X射线衍射法测定的、Fe峰的强度IFe与SmFeN峰的强度ISmFeN之比为0.2以下。上述磁体粉末包含Sm-Fe-N系晶粒和被覆该Sm-Fe-N系晶粒的表面的非磁性金属层。

公开(公告)号：CN100521528C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200410075163.2

申请日：2004-09-02

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂口健二 ,  秋山健司

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

CPC classification number: H03H9/059

Abstract: 一种表面声波装置，旨在解决同类技术中因电极埋设而带来的与其它层断接的问题，提高用于电连接之突起与焊接点区域间的连接强度，提供可靠性大大提高的表面声波装置。所述表面声波装置包括压电基层，叉指换能器(IDT)电极，和与IDT电极电连接的连接部分。所述表面声波装置还包括设在所述连接部分上的线路部分，并且IDT电极和连接部分同时形成。在设置线路部分的连接部分端部设置梳间间隔为5μm或更小的梳形部分。还提供相应的表面声波装置制造方法。本发明适用于通过倒装片压焊系统组装的表面声波装置，提供表面声波装置与插件的电连接和机械连接。

公开(公告)号：CN1516339A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310124482.3

申请日：2001-03-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 筏克弘 ,  坂口健二 ,  高宫干

IPC: H03H3/08

CPC classification number: H03H3/08 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供了一种在单个压电基片上包含第一和第二声表面波装置的声表面波设备的制造方法，包含以下步骤：设置压电基片；沉淀第一抗蚀膜；去掉第一抗蚀膜；形成第一导电薄膜，所述第一导电薄膜的薄膜厚度与第二声表面波装置的电极薄膜厚度基本上相同；沉淀第二抗蚀膜；去掉第二抗蚀膜，所述区域不包括设置有第二声表面波装置的部分；沉淀第二导电薄膜，其薄膜厚度与第一声表面波装置的电极薄膜厚度基本上相同；和同时剥离第一抗蚀膜，第二抗蚀膜和层叠在它们上面的导电薄膜。

公开(公告)号：CN112216469B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202010656393.7

申请日：2020-07-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 驹垣幸次郎 ,  坂口健二

IPC: H01F10/13 ,  H01F17/04 ,  H01F27/24 ,  H01F27/34 ,  H01F41/02 ,  H01F41/30 ,  H01F41/32

Abstract: 本发明提供一种磁饱和进一步得到抑制且具有更高的直流叠加特性的磁性层叠体和包含该磁性层叠体的磁性结构体、包含磁性层叠体或磁性结构体的电子部件。所述磁性层叠体是交替层叠金属磁性体层和金属非磁性体层而成的磁性层叠体，在金属磁性体层彼此之间配置有金属非磁性体层，金属磁性体层含有非晶材料，金属非磁性体层含有选自Cr、Ru、Rh、Ir、Re和Cu中的至少1种元素，且平均厚度为0.4nm～1.5nm。

公开(公告)号：CN1211922C

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN02127132.1

申请日：2002-07-26

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂口健二 ,  渡边雅信 ,  高取光司

IPC: H03H9/145 ,  H03H3/08 ,  H01L21/60

CPC classification number: H03H9/059 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16195 ,  H03H9/1071 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法。声表面波装置具备声表面波元件(1)、封装容器(20)、及封装电极(21)。声表面波元件(10)包括压电基板(1)、接地电极(4)、中间电极(7)、上部电极(8)和补片电极(9)。中间电极(7)由Cr浓度15～30重量%的NiCr组成。接地电极(4)等电极衬垫、及上部电极(8)由Al组成。对补片电极(9)在施加超声波或热的同时，将补片电极(9)按压在封装电极(21)上面接合。本发明提供在落下试验中不会产生从封装容器上剥离，并特性良好的声表面波装置。

公开(公告)号：CN1592096A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410075163.2

申请日：2004-09-02

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂口健二 ,  秋山健司

IPC: H03H3/08

CPC classification number: H03H9/059

Abstract: 一种表面声波装置，包括压电基层，叉指换能器(IDT)电极，以及与该IDT电极电连接的连接部分。所述表面声波装置还包括线路部分，该线路部分的一部分设置在该连接部分上，以及在该线路部分上设置突起。所述连接部分包括设置在设置所述线路部分的连接部分端部的梳形部分。

公开(公告)号：CN1180490C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN01133940.3

申请日：2001-08-14

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂口健二

IPC: H01L41/22 ,  H03H9/145

CPC classification number: H03H3/08 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/29 ,  H01L41/338

Abstract: 一种有效而便宜地制造压电元件的方法，进行切片而不预先形成任何保护膜，制得的压电元件包含高度耐腐蚀电极且具有极佳的稳定电特性。依据该方法，晶片形成置于压电材料制成的压电衬底上的包括Al合金的电极。使晶片暴露于采用含卤素气体的等离子体，同时以切割水冷却晶片，进行晶片切割。切割水最好包括与Al反应以在包括Al合金的电极表面上形成保护膜的化合物。