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公开(公告)号：CN110168674B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201880006182.X
申请日：2018-03-01
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社村田制作所
IPC: H01F1/059 , B22F1/16 , B22F1/14 , B22F3/00 , B22F3/14 , B22F9/04 , C22C33/02 , H01F41/02 , C22C38/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种含有Sm‑Fe‑N系晶粒且具有高矫顽力的烧结磁体以及即便在随着烧结所产生的热的作用下也能够不使矫顽力降低地形成烧结磁体的磁体粉末。上述烧结磁体包含由多个Sm‑Fe‑N系晶粒构成的结晶相、和存在于邻接的Sm‑Fe‑N系晶粒之间的非磁性金属相，并且，由X射线衍射法测定的、Fe峰的强度IFe与SmFeN峰的强度ISmFeN之比为0.2以下。上述磁体粉末包含Sm‑Fe‑N系晶粒和被覆该Sm‑Fe‑N系晶粒的表面的非磁性金属层。
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公开(公告)号：CN110168674A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201880006182.X
申请日：2018-03-01
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种含有Sm-Fe-N系晶粒且具有高矫顽力的烧结磁体以及即便在随着烧结所产生的热的作用下也能够不使矫顽力降低地形成烧结磁体的磁体粉末。上述烧结磁体包含由多个Sm-Fe-N系晶粒构成的结晶相、和存在于邻接的Sm-Fe-N系晶粒之间的非磁性金属相，并且，由X射线衍射法测定的、Fe峰的强度IFe与SmFeN峰的强度ISmFeN之比为0.2以下。上述磁体粉末包含Sm-Fe-N系晶粒和被覆该Sm-Fe-N系晶粒的表面的非磁性金属层。
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公开(公告)号：CN107369532A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710329226.X
申请日：2017-05-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01F27/255 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供能够实现小型并且扩大绕线区域的陶瓷芯体、绕线式电子部件以及陶瓷芯体的制造方法。陶瓷芯体(20)具有沿长度方向(Ld)延伸的轴芯部(30)和设置于轴芯部(30)的长度方向(Ld)的两端并朝向与长度方向(Ld)正交的高度方向(Td)和宽度方向(Wd)向轴芯部(30)的四周突出的一对凸缘部(40)。陶瓷芯体(20)的沿着长度方向(Ld)的长度尺寸L为0mm＜L≤1.1mm。轴芯部(30)的沿着高度方向(Td)的厚度尺寸t与凸缘部(40)的沿着高度方向(Td)的高度尺寸T之比t/T为0＜t/T≤0.6。轴芯部(30)的沿着宽度方向(Wd)的宽度尺寸w与凸缘部(40)的沿着宽度方向(Wd)的宽度尺寸W之比w/W为0＜w/W≤0.6。
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公开(公告)号：CN107369532B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201710329226.X
申请日：2017-05-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01F27/255 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供能够实现小型并且扩大绕线区域的陶瓷芯体、绕线式电子部件以及陶瓷芯体的制造方法。陶瓷芯体(20)具有沿长度方向(Ld)延伸的轴芯部(30)和设置于轴芯部(30)的长度方向(Ld)的两端并朝向与长度方向(Ld)正交的高度方向(Td)和宽度方向(Wd)向轴芯部(30)的四周突出的一对凸缘部(40)。陶瓷芯体(20)的沿着长度方向(Ld)的长度尺寸L为0mm＜L≤1.1mm。轴芯部(30)的沿着高度方向(Td)的厚度尺寸t与凸缘部(40)的沿着高度方向(Td)的高度尺寸T之比t/T为0＜t/T≤0.6。轴芯部(30)的沿着宽度方向(Wd)的宽度尺寸w与凸缘部(40)的沿着宽度方向(Wd)的宽度尺寸W之比w/W为0＜w/W≤0.6。
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