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公开(公告)号：CN109390331A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810743704.6
申请日：2018-07-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供半导体装置，其包括双极晶体管和保护二极管且具有适合小型化的结构。在基板上配置有子集电极层和双极晶体管，该双极晶体管包括由载流子浓度比子集电极层的载流子浓度低的半导体构成的集电极层、基极层、发射极层。肖特基电极在集电极层的上表面的一部分的区域中与集电极层肖特基接触。包括该肖特基电极的保护二极管与基极层以及发射极层中的一方连接。在集电极层中，与基极层接合的部分和与肖特基电极接合的部分经由集电极层电连接。
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公开(公告)号：CN109039289A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810486299.4
申请日：2018-05-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/302 , H01L27/0772 , H01L29/41708 , H01L29/7304 , H01L29/7371 , H03F1/0205 , H03F1/0277 , H03F1/30 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/72 , H03F2200/21 , H03F2200/408 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F3/4508 , H03F2203/45031
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制功率放大电路的特性的劣化的同时抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀的功率放大电路。功率放大电路具备：第一晶体管组，包含多个单位晶体管，对输入信号进行放大并输出放大信号；偏置电路，对第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压；多个第一电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与偏置电路的输出之间；以及多个第二电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间。
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公开(公告)号：CN104347406A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410369333.1
申请日：2014-07-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐佐木健次
IPC: H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L27/082 , H01L29/417
CPC classification number: H01L23/4824 , H01L21/30612 , H01L23/535 , H01L23/66 , H01L25/0655 , H01L25/16 , H01L27/0605 , H01L27/0823 , H01L29/045 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/205 , H01L29/66242 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L2223/6655 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2924/1305 , H01L2924/00
Abstract: 即使在集电极层的短边方向沿着结晶方位[011]的情况下，也能抑制基极布线的断线。本发明的双极晶体管(10)包括：俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层(16)，该集电极层(16)的短边方向沿着结晶方位[011]，且与短边方向正交的截面形状为倒台面型，与长边方向正交的截面形状为正台面型；形成于集电极层(16)上的基极层(20)；形成于基极层(20)上的基极电极(22)；以及与基极电极(22)相连接，俯视时从集电极层(16)的短边方向的端部向集电极层(16)的外部引出的基极布线(22B)。
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公开(公告)号：CN118737982A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410363882.1
申请日：2024-03-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L23/528
Abstract: 提供能够提高从高频放大电路的晶体管散热的散热性的半导体装置、半导体模块和搭载半导体装置的系统。复合基板包含第1构件和设于作为第1构件的一个面的第1面的第2构件。第1导体突起从第2构件向第1面所朝向的方向突出。第2导体突起从复合基板向第1面所朝向的方向突出。第1构件包含第1半导体基板，第2构件包含与第1半导体基板相比导热率较低的第2半导体基板。在第2构件设有包含多个第1晶体管的高频放大电路。第1导体突起与多个第1晶体管电连接，在俯视第1面时与多个第1晶体管至少局部重叠。复合基板包含从第2导体突起到达第1半导体基板或第2半导体基板的连接部分。
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公开(公告)号：CN118369766A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280081611.6
申请日：2022-10-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L27/082
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管和半导体装置。形成有台面结构，该台面结构包含层叠在基板上的集电极层、基极层以及发射极层。在台面结构上配置有与发射极层电连接的发射极电极。并且，在台面结构上配置有与基极层电连接的基极电极。集电极电极配置为在俯视时包围台面结构，集电极电极与集电极层电连接。发射极电极包含第一部分和第二部分。在俯视时，基极电极包围发射极电极的第一部分，发射极电极的第二部分包围基极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110912523B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201910863427.7
申请日：2019-09-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制放大用的异质结双极晶体管的温度上升时的动作的热稳定性的降低的高频功率放大器。半导体芯片包括：至少一个第一晶体管，放大高频信号；第一外部连接用导电部件，与第一晶体管连接；偏置电路，包括对第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及第二外部连接用导电部件，与第二晶体管连接。在俯视时，第二外部连接用导电部件与第二晶体管至少部分重叠。
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公开(公告)号：CN109390331B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201810743704.6
申请日：2018-07-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供半导体装置，其包括双极晶体管和保护二极管且具有适合小型化的结构。在基板上配置有子集电极层和双极晶体管，该双极晶体管包括由载流子浓度比子集电极层的载流子浓度低的半导体构成的集电极层、基极层、发射极层。肖特基电极在集电极层的上表面的一部分的区域中与集电极层肖特基接触。包括该肖特基电极的保护二极管与基极层以及发射极层中的一方连接。在集电极层中，与基极层接合的部分和与肖特基电极接合的部分经由集电极层电连接。
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公开(公告)号：CN109039289B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201810486299.4
申请日：2018-05-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制功率放大电路的特性的劣化的同时抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀的功率放大电路。功率放大电路具备：第一晶体管组，包含多个单位晶体管，对输入信号进行放大并输出放大信号；偏置电路，对第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压；多个第一电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与偏置电路的输出之间；以及多个第二电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间。
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公开(公告)号：CN111725207A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010195743.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制与多个晶体管单元连接的集电极布线的寄生电感的增加的半导体装置以及放大器模块。设置有两个单元列，由相互平行地排列的多个晶体管单元构成，每个晶体管单元包括设置在基板上的集电极区域、基极区域以及发射极区域。多个集电极引出布线分别与多个晶体管单元的集电极区域连接，并在与多个晶体管单元的排列方向交叉的方向上引出。集电极汇总布线使多个集电极引出布线相互连接。在俯视时配置在两个单元列之间的集电极中间汇总布线使从属于两个单元列中的一个单元列的多个晶体管单元分别引出的多个集电极引出布线相互连接。
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公开(公告)号：CN107785342B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710740396.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/488 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，实现单位晶体管的最高温度的下降或温度偏差的降低。半导体装置具备：半导体基板，含具有第一方向的第一边及第二方向的第二边的主面；多个晶体管列，形成在半导体基板的第一边侧的区域；多个凸块，多个凸块包括第一方向上的长度长的第一及第二凸块，第一边和第一凸块的距离比第一边和第二凸块的距离短，多个晶体管列包括第一及第二晶体管列，第一晶体管列具有沿第一方向配置为与第一凸块重叠的多个第一单位晶体管，第二晶体管列具有沿第一方向配置为与第二凸块重叠的多个第二单位晶体管，在半导体基板的主面的俯视下，第一单位晶体管的平均每一个的第一凸块的面积比第二单位晶体管的平均每一个的第二凸块的面积大。
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