半导体装置、匹配电路以及滤波电路

    公开(公告)号:CN117242538A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202280032701.6

    申请日:2022-05-09

    Abstract: 作为半导体装置的一个实施方式的电容器(1)具备:基板(10);第一电极层(22),其设置在基板(10)上;介电膜(23),其设置在第一电极层(22)上;第二电极层(24),其设置在介电膜(23)上;保护层(26),其覆盖第一电极层(22)以及第二电极层(24);以及外部电极(27),其贯通保护层(26),介电膜(23)由硅氮化物构成,介电膜(23)中含有的Si相对于Si与N的总量的原子浓度比为43atom%以上且70atom%以下。

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