-
公开(公告)号:CN117242538A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202280032701.6
申请日:2022-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33
Abstract: 作为半导体装置的一个实施方式的电容器(1)具备:基板(10);第一电极层(22),其设置在基板(10)上;介电膜(23),其设置在第一电极层(22)上;第二电极层(24),其设置在介电膜(23)上;保护层(26),其覆盖第一电极层(22)以及第二电极层(24);以及外部电极(27),其贯通保护层(26),介电膜(23)由硅氮化物构成,介电膜(23)中含有的Si相对于Si与N的总量的原子浓度比为43atom%以上且70atom%以下。
-
公开(公告)号:CN105814794A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201480066958.9
申请日:2014-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/6496 , H01L41/047 , H01L41/0477 , H01L41/081 , H01L41/18 , H03H9/02574 , H03H9/14532 , H03H9/14576 , H03H9/14579 , H03H9/14594
Abstract: 提供能有效果地抑制横模脉动的弹性波装置。在弹性波装置(1)中,在压电薄膜上层叠IDT电极(11~14),IDT电极(11)具有多条第1电极指(11c)、多条第2电极指(11d),将第1电极指(11c)的前端彼此或第2电极指(11d)的前端彼此连结的线相对于弹性波传播方向倾斜,成倾斜角度(v),该倾斜角度(v)为0.4°以上、10°以下。
-