核磁共振断层摄像装置用磁场调整方法

    公开(公告)号:CN102665542B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201080053192.2

    申请日:2010-11-24

    CPC classification number: G01R33/3873 G01R33/3875

    Abstract: 将测量出的误差磁场分布分解为通过奇值分解得到的固有模式成分,将与各模式对应的铁片配置进行组合,配置在垫片盘上。通过到达可能的磁场精度(均一度)和铁片配置量的适当性来选择要进行修正的固有模式。能够一边把握能够达到的磁场精度(均一度)一边进行调整,因此能够把握错误的调整,此外在重复调整的过程中,能够自动地进行修正。通过实施例1和实施例2的方法、内置有该方法的装置的支援,进行磁场调整时,可靠地在重复进行磁场调整的作业中结束。其结果能够提供磁场精度良好的装置。此外,通过调查到达可能均一度,能够较早地检测不良的磁铁。能够在作为开放型MRI的垂直磁场型的磁铁装置以及水平磁场型MRI的磁铁装置中应用。

    电磁铁装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101030471B

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN200710004294.5

    申请日:2007-01-22

    CPC classification number: G01R33/3873 G01R33/3806 G01R33/3815

    Abstract: 本发明提供一种还可使远离超导线圈而设置的强磁性体磁饱和并减少因磁不饱和引起的强磁性体的磁化不均匀、可缩短均匀磁场调节所需作业时间的电磁铁装置。在一种通过隔着均匀磁场区域(4)而相对的一对超导主线圈(6)、隔着均匀磁场区域(4)而相对并流有与超导主线圈(6)相反电流的一对超导屏蔽线圈(7)以及隔着均匀磁场区域(4)而相对且外周为圆形的一对第一强磁性体(23),从而在均匀磁场区域(4)中形成均匀磁场的电磁铁装置中,其特征在于,还具有一对第二强磁性体(34),它们配置成隔着均匀磁场区域(4)而相对并与第一强磁性体(23)的均匀磁场区域(4)侧的相反侧相接或邻近且外周为比第一强磁性体(23)的圆形直径(d2、d4)大的圆形。

    磁铁装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100573182C

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200610126464.2

    申请日:2006-08-31

    CPC classification number: G01R33/421 G01R33/3806

    Abstract: 本发明涉及磁铁装置,它能有效地抑制进入由相面对地配置的一对主线圈形成的静磁场的摄像空间的外部磁场。本发明的磁铁装置,具备相面对地配置并形成静磁场空间(3)的一对主线圈(9)、(10)和与主线圈同轴地配置的外部磁场屏蔽线圈,该外部磁场屏蔽线圈具有线圈耦合系数较小的第一线圈组(11)和线圈耦合系数比第一线圈组更大的第二线圈组(12),并串连连接上述第一线圈组和上述第二线圈组。

    极窄漏磁场磁铁型MRI装置

    公开(公告)号:CN106456047A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201580026951.9

    申请日:2015-05-20

    Abstract: 一种电磁铁,其由构成在医疗诊断用中使用的磁共振断层成像装置(MRI)的主线圈组(正电流)和屏蔽线圈组(负电流)构成,该电磁铁将负电流的屏蔽线圈区设为三个以上,且将至少一个以上的屏蔽线圈区的位置位于比主线圈区远的位置,而且使半径比其它屏蔽线圈区小。

    磁铁装置及磁共振成像装置

    公开(公告)号:CN105208929B

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201480027004.7

    申请日:2014-05-27

    CPC classification number: G01R33/3806 A61B5/055 G01R33/3815

    Abstract: 磁铁装置(2)具备:对置地配置的一对大致圆盘状的磁极(4U);侧视呈C字或U字形状且该C字或U字形状的两端部与磁极(4U)接近地配置的磁轭(3),磁轭(3)具有与磁极(4U)接近地对置的磁轭侧对置部(15U),磁轭侧对置部(15U)具有:包含磁轭(3)的铅垂对称面(α)的一部分的中央带区域(15b);从铅垂对称面(α)离开而位于中央带区域(15b)两侧的两侧带区域(15c),在磁轭侧对置部(15U)的从与磁极(4U)接近地对置的磁轭侧对置表面(15a)起的高度(W3)上,中央带区域(15b、W3b)比两侧带区域(15c、W3c)高。磁轭侧对置部(15U)的从磁轭侧对置表面(15a)起的高度(W3)随着从铅垂对称面(α)远离而广义单调减小并且其最大值和最小值不同。

    磁场均匀度调整方法、磁场均匀度调整程序以及磁场均匀度调整装置

    公开(公告)号:CN107205689A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201680007259.6

    申请日:2016-01-27

    Abstract: 即使在垫片托盘的各位置可配置的磁性体片的量具有限制,也可达成高的磁场均匀度,为此测量静磁场发生装置生成的静磁场的分布,计算静磁场的分布与目标磁场之间的误差磁场,一边使目标磁场在预定的磁场范围内变化,一边分别计算在垫片托盘的多个位置中的一个以上的位置配置了磁性体片时可达到的磁场均匀度。选择垫片托盘的各位置的磁性体片的量为预定的上限值以下且可达到的磁场均匀度为预定值以下的目标磁场,在垫片托盘中配置与该目标磁场相对应的磁性体片的量。

    有源屏蔽型的超导电磁铁装置及磁共振成像装置

    公开(公告)号:CN101409128B

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN200810131338.5

    申请日:2008-08-06

    Abstract: 本发明提供一种主线圈或屏蔽线圈即使产生猝熄,也能抑制大电流流过超导限流器的有源屏蔽型的超导电磁铁装置。本发明的有源屏蔽型的超导电磁铁装置具有:第一主线圈(1a)及第二主线圈(1b)和第一屏蔽线圈(2a)及第二屏蔽线圈(2b)以及第一超导恒定电流开关(5b)串联连接的主开关电路;超导限流器(4)与第一超导恒定电流开关(5a)串联连接的旁路电路(6)对第一主线圈(1a)及第二主线圈(1b)的串联电路进行并联连接的副开关电路;第一主线圈(1a)及第一屏蔽线圈(2a)的至少一个与第一猝熄保护电路(8a)串联连接的第一闭合回路(7a);第二主线圈(1b)及第二屏蔽线圈(2b)的至少一个与第二猝熄保护电路(8b)串联连接的第二闭合回路(7b)。

    超导磁铁装置及磁共振摄像装置

    公开(公告)号:CN101226809B

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN200710192718.5

    申请日:2007-11-16

    CPC classification number: G01R33/3815 G01R33/3804 G01R33/3806 G01R33/421

    Abstract: 提供一种不会因伴随使冷却超导线圈的冷媒中已气化的冷媒再液化的冷冻机的动作所产生的动磁场而影响摄像的超导磁铁装置及磁共振摄像装置,其特征在于,由收纳冷却产生静磁场的超导线圈的冷媒的冷媒容器(35)、将该冷媒容器保持在真空状态下的真空容器(37)、配置于冷媒容器的外周面及前述真空容器的内周面之间的辐射屏蔽件(36)构成,冷冻机(20)具有在冷媒容器的外周面及辐射屏蔽件的内周面之间往复运动的第一蓄冷部件(21),在第一蓄冷部件的往复运动的轴(P)的轴周围配置有作为电的良导体的动磁场遮蔽部件(61、62),冷冻机的第一蓄冷部件所往复运动的轴与前述静磁场方向大致一致。

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