公开(公告)号：CN1467708A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03102352.5

申请日：2003-02-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 棚桥究 ,  菊川敦 ,  高桥由夫 ,  细江让

IPC: G11B5/667

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/66

Abstract: 本发明涉及垂直磁记录介质及其制造方法和磁存储装置，特别是关于每1平方英寸具有50吉比特以上面记录密度的高介质S/N的垂直磁记录介质及其制造方法，和组装了该磁记录介质的磁存储装置。通过软磁性底层在底板上形成垂直记录层，其构成含有利用非磁性层使软磁性底层形成物理分离的数层软磁性层，该软磁性层由纳诺结晶构成，进一步在通过非磁性层邻接的软磁性层的层间形成局部的磁化闭环，可抑制住软磁性底层引起的尖峰脉冲噪音和再生信号的调制。

公开(公告)号：CN1106005C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN97122430.7

申请日：1997-11-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 松田好文 ,  石川晃 ,  屋久四男 ,  细江让 ,  神边哲也 ,  阪本浩二

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/8404 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12667

Abstract: 一种磁记录介质，它具有：第一底涂层(41、41’)，它们直接或通过基底面底涂层而形成在基底(40)上；第二底涂层(42、42’)，它们直接形成在第一底涂层(41、41’)上；磁膜(43、43’)，它们被形成在第二底涂层(42、42’)上；以及，保护膜(44、44’)，它们被形成在磁膜(43、43’)上。具有大量的氧的团散布在第一和第二底涂层的界面上。较好地，第一底涂层用包括两种元素的合金制成-这两种元素的氧化物形成标准自由能ΔG°之差在250℃的温度下是很大的。