公开(公告)号：CN87106513A

公开(公告)日：1988-04-13

申请号：CN87106513

申请日：1987-09-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小林俊雄 ,  大友茂一 ,  中谷亮一 ,  熊坂登行

IPC: H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  G11B5/147

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/147 ,  G11B5/31 ,  H01F10/30 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3254 ,  Y10S428/90

Abstract: 一种具有高磁导率及高饱和磁通密度的磁多层结构，包括互相交替叠置的多个磁层和多个中间层。各磁层由Fe、Co、Ni或包含这些元素的一种的金属制成，各中间层由能与磁层材料形成填隙固溶体的材料制成。