公开(公告)号：CN105453239A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201380078189.X

申请日：2013-07-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 毛利友纪 ,  峰利之 ,  三木浩史 ,  松村三江子 ,  滨村浩孝

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种在例如以SiC功率MOSFET为代表的使用禁带宽度比硅大的半导体材料的半导体装置中，确保与Si功率MOSFET近似的栅绝缘膜的可靠性的技术。为了实现该目的，在SiC功率MOSFET中，栅电极(GE)由与栅绝缘膜(GOX)接触地形成且厚度为200nm以下的多结晶硅膜(PF1)和与该多结晶硅膜(PF1)接触地形成且任意厚度的多结晶硅膜(PF2)构成。

公开(公告)号：CN101264760B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200810083003.0

申请日：2008-03-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 毛利友纪 ,  舆水长典

IPC: B60T11/224

CPC classification number: B60T11/224 ,  B60T11/28

Abstract: 一种主缸，即使设有逆止阀装置，也可以通过精简通路构成，控制增加加工工时，提高生产性，其具有：具有大径缸部和小径缸部的阶梯形缸(15)、插入在阶梯形缸内的阶梯形活塞、将阶梯形缸内分隔成大径增压室(70)和小径液压室(61)的逆止开闭部及控制阀装置(75)，该控制阀装置的控制阀体(112)将大径增压室液压向储油室(R)侧放出，使大径增压室液压随着小径液压室液压的上升而慢慢下降；还设有具有逆止阀室(153)和逆止阀体(140)的逆止阀装置(76)，该逆止阀室分别与将大径增压室液压经由控制阀装置向储油室放出的开放通路(161)和小径液压室连通，该逆止阀体收纳在逆止阀室内，允许制动液从开放通路流向小径液压室，但阻止反方向流通。

公开(公告)号：CN101134460A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148369.7

申请日：2007-08-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 毛利友纪 ,  舆水长典

IPC: B60T11/16

CPC classification number: B60T11/16 ,  B60T11/232 ,  F15B7/08 ,  F15B7/10 ,  Y10T29/4927

Abstract: 提供一种能防止活塞密封损伤的主液压缸及其制造方法。该主液压缸具有：设置有外周能被供给动作液的活塞密封的周槽(47)、在周槽(47)内开口且从周槽(47)向液压缸本体(15)的底部侧延伸并把压力室侧与周槽(47)连通的连通槽(96)，连通槽(96)形成为其中心相对周槽(47)的中心偏心，在由周槽(47)和连通槽(96)形成的角部整个范围上沿与连通槽(96)同心的圆轨道而形成倒角部(100)。