公开(公告)号：CN101009255A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710006748.2

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 清水浩也 ,  西村朝雄 ,  宫本俊夫 ,  田中英树 ,  三浦英生

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L23/552 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线1003a、接地布线1003b和电信号布线1003c，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

公开(公告)号：CN1264924A

公开(公告)日：2000-08-30

申请号：CN00102664.X

申请日：2000-02-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 宫本俊夫 ,  西村朝雄 ,  管野利夫

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5386 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10159 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10689 ,  H05K2203/1572 ,  Y02P70/611

Abstract: 提高半导体芯片的安装密度和存储器组件的容量以及适应高速总线的存储器组件。此存储器组件包含多个具有作为外部端子的突出端子和用来使突出端子之间的间距扩大成大于半导体芯片的键合电极之间的间距的布线部分的WPP、具有半导体芯片、作为外部端子的外引线、并经由电连接到半导体芯片的键合电极的外引线安装的TSOP、以及支撑WPP和TSOP的组件板,其中的WPP和TSOP借助于同时回流而以混合方式安装在组件板上。

公开(公告)号：CN1203696A

公开(公告)日：1998-12-30

申请号：CN96198789.8

申请日：1996-10-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 宫本俊夫 ,  坪崎邦宏 ,  宇佐美光雄

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6835 ,  G06K19/077 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  G06K19/07779 ,  G06K19/07783 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5388 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的方法是,在操作性良好的基础上把半导体晶片加工成薄型,而不会发生破裂和翘曲。用准备由基体材料1a和已设置于该基体材料1a的单面上的吸附盘1b构成载体的第1工序;使未形成电路器件的背面朝向与上述载体1相反方向,把半导体晶片2粘附于上述载体1上形成晶片复合体10的第2工序;使晶片复合体10的半导体晶片2一侧朝向上方,把持载体1,在半导体晶片2的背面旋转涂布腐蚀液,对该半导体晶片2施行薄型加工的第3工序,对半导体晶片进行薄型加工。