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公开(公告)号：CN101075631B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710084808.2
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/16 , G11C8/08 , G11C11/1675 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在使用了自旋注入磁化反转技术的MRAM中，用小型的存储单元实现充分的改写动作，并且抑制读出干扰的同时使读出电流变大。在隧道磁阻元件的自由层位于位线侧的情况下使用PMOS晶体管，在隧道磁阻元件的固定层位于位线侧的情况下使用NMOS晶体管，用源极接地来进行反平行化改写。通过在反平行改写方向进行读出动作，提高读出写入动作裕度。
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公开(公告)号：CN101425328A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810183830.7
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/16
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在利用自旋注入磁化反转的存储器中，实现高速动作时的低电流重写动作，抑制每个存储器单元的离差，并抑制读出干扰。在进行重写前，提供弱脉冲，使自旋状态不稳定，降低重写电流。利用重写电流在脉冲宽度中非线性地增大的区域进行读出，对干扰进行抑制。进而，通过利用位线电荷使注入自旋量恒定的驱动方法来抑制离差。
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公开(公告)号：CN100369116C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410074187.6
申请日：2004-09-01
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/33
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3906 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明涉及一种具备输出高、最适于高记录密度磁记录和再生的磁阻效应元件的磁头。本发明的技术解决手段是采取以下的构成：具有第一电极层、与第一电极层电连接的第一强磁性电极层对、以及和第一强磁性电极对之间流动的电流交叉地配置而且与第一电极层电连接的第二强磁性电极对，使电流经过第一电极层在第一强磁性电极对之间流动在第一电极层上蓄积自旋电子，一旦外加外部磁场第四强磁性电极层的磁化方向就发生变化。通过与在第一强磁性电极对之间流动的电流交叉地配置第二强磁性电极对，来提高面内自旋蓄积效应的输出信号变化率。
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公开(公告)号：CN1336635A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN01111815.6
申请日：2001-03-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/33 , G11B11/105
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/00 , G11B5/127 , G11B5/245 , G11B5/2452 , G11B5/3113 , G11B5/3116 , G11B5/3146 , G11B5/33 , G11B5/39 , G11B5/3919 , G11B13/045 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11B2005/0008 , G11B2005/0021 , G11B2005/3996
Abstract: 在此提供一种磁性再现头和磁性记录头,其易于制造并且适合于通过狭窄的磁道尺寸记录和再现。磁性再现头由GMR或TMR磁性传感器以及用于把磁通量导入磁性传感器的磁导所构成,其中至少磁导的一部分由能够在不低于预定温度Tp的温度下允许磁通量通过,但是在低于Tp的温度下不允许磁通量通过的材料所构成。光线仅仅照射到一部分磁导上,使得被照射部位的温度升高到Tp或更高,从而允许磁通量仅仅通过被照射部位,因此在检测来自磁性记录介质的磁记录信息时,这大大地减小了磁性再现头的磁道宽度。
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公开(公告)号：CN100561579C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200410063560.8
申请日：2004-07-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B11/00
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/65 , G11B5/66 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及热磁复制型磁记录方法和磁盘装置，目的是提供实现超高记录密度、在耐热退磁性方面优越的热磁复制型的垂直磁记录介质。对于在使用低噪声Co类合金强磁体的第一记录层和使用在动作环境温度以下具有补偿点的铁氧体磁体(例如稀土—过渡金属化合物)的第二记录层之间具有中间层的记录介质，首先施加磁场在第一记录层形成磁化图形，接着通过用加热构件升温，在第二记录层复制磁化图形。在环境温度下，第二记录层为高矫顽力，通过适当设定记录磁场可仅在第一记录层形成磁化图形。此外，加热时，由于第二记录层为低矫顽力，磁化图形从第一记录层复制到第二记录层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100389456C
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200410104120.2
申请日：2004-12-29
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 伊藤显知
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3906
Abstract: 本发明的目的是提供实现高输出且高频带两者都成立的TMR磁头。在电极层(103)上不同的位置上形成两个绝缘层/强磁性层的层压膜，从其第2强磁性层(109)向电极层(103)通电，使极化旋转电子扩散到另一个绝缘层(104)/强磁性层(105)的层压膜的正下方的电极部分，使用FET等输入阻抗很大的电路来检测由第2强磁性层(105)的磁化方向的变化引起的电阻变化。
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公开(公告)号：CN101075628A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710084807.8
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在利用自旋注入磁化反转的存储器中，实现高速动作时的低电流重写动作，抑制每个存储器单元的离差，并抑制读出干扰。在进行重写前，提供弱脉冲，使自旋状态不稳定，降低重写电流。利用重写电流在脉冲宽度中非线性地增大的区域进行读出，对干扰进行抑制。进而，通过利用位线电荷使注入自旋量恒定的驱动方法来抑制离差。
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公开(公告)号：CN101068036A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200610169475.9
申请日：2006-12-15
CPC classification number: G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 一种磁性存储装置包括磁隧道结(MTJ)(37)，通过隔离晶体管(81)将比特线(31)连接至感应线(49)。MTJ(37)包括具有难磁化轴的铁磁层。辅助电流线(33)位于比特线(31)之上并与比特线(31)隔离。MTJ(37)可在第一相对高的阻态和第二相对低的阻态之间转换。辅助电流线(33)沿着铁磁层的难磁化轴施加磁场，其不依赖于流过MTJ(37)的电流而辅助MTJ(37)在第一态和第二态之间转换。
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公开(公告)号：CN101067967A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200610147055.0
申请日：2006-11-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 一种磁性存储装置包括磁隧道结(MTJ)，具有铁磁自由层，表现出第一相对较高的阻态和第二相对较低的阻态。为了写入磁性存储装置，驱动电流IMTJ(125)通过MTJ。对于第一持续时间，该电流等于DC阈值电流，为在第一态和第二态之间转换多层结构所需的DC电流。这在自由层中产生出C形畴结构。对于第二持续时间，电流IMTJ比DC阈值电流大。这引起MTJ转换态。引起该转换所需的电流小于使用均匀电流脉冲(127)所需的电流。
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