公开(公告)号：CN1855531A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610066174.3

申请日：2006-03-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 耶尔格·冯德里西 ,  伊藤显知

IPC: H01L29/66

CPC classification number: G11C11/16 ,  G01R33/06

Abstract: 一种导电控制器件，包含具有较高矫顽磁力的第一铁磁性区域、具有较低矫顽磁力的第二铁磁性区域以及置于第一和第二铁磁性区域之间的结区域。该器件还包含栅极，用于向结区域施加电场以控制结区域内的电荷载流子浓度。

公开(公告)号：CN100459149C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200610066174.3

申请日：2006-03-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 耶尔格·冯德里西 ,  伊藤显知

IPC: H01L29/66

CPC classification number: G11C11/16 ,  G01R33/06

Abstract: 一种导电控制器件，包含具有较高矫顽磁力的第一铁磁性区域、具有较低矫顽磁力的第二铁磁性区域以及置于第一和第二铁磁性区域之间的结区域。该器件还包含栅极，用于向结区域施加电场以控制结区域内的电荷载流子浓度。

公开(公告)号：CN101738374B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200910168401.7

申请日：2009-08-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 耶尔格·冯德里西 ,  托马斯·琼沃思 ,  安德鲁·欧文 ,  杰洛·希诺娃

IPC: G01N21/17 ,  G01N21/21

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G01J4/04

Abstract: 本发明涉及自旋极化载流子器件，该器件包括：载流子通道，包括非铁磁半导体，其中载流子在载流子通道中呈现自旋轨道耦合；与通道传导类型相反的半导体材料区域，用于与通道形成用于注入自旋极化载流子到通道一端的结；以及，至少一根连接到通道的导线，用于测量跨过通道的横向电压。

公开(公告)号：CN101738374A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910168401.7

申请日：2009-08-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 耶尔格·冯德里西 ,  托马斯·琼沃思 ,  安德鲁·欧文 ,  杰洛·希诺娃

IPC: G01N21/17 ,  G01N21/21

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G01J4/04

Abstract: 本发明涉及自旋极化载流子器件，该器件包括：载流子通道，包括非铁磁半导体，其中载流子在载流子通道中呈现自旋轨道耦合；与通道传导类型相反的半导体材料区域，用于与通道形成用于注入自旋极化载流子到通道一端的结；以及，至少一根连接到通道的导线，用于测量跨过通道的横向电压。