-
公开(公告)号：CN110140198B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201780082037.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , B08B3/02
Abstract: 一种基板处理装置，包含：基板保持单元，用以将基板保持为水平姿势；处理液喷嘴，具有下部开口及内壁，且从所述下部开口吐出处理液，该下部开口与由所述基板保持单元保持的基板的上表面相向，该内壁划分出筒状空间，该筒状空间是上下方向的筒状空间且从所述下部开口相连至上方；液柱形成单元，将包含第一液柱部分及第二液柱部分的处理液的液柱形成于所述基板的上表面，该第一液柱部分用处理液来液密地充满于所述下部开口与所述基板的上表面之间，该第二液柱部分从所述第一液柱部分相连至上方，且由贮存于所述筒状空间的处理液构成；以及物理力赋予单元，对所述第二液柱部分赋予物理力。
-
公开(公告)号：CN113314437A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110220015.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够适当地排出处理壳体的气体的衬底处理装置。衬底处理装置(1)具备处理壳体(23A1)、保持部(31)及液体供给部(33)。保持部(31)收容在处理壳体(23A1)中。保持部(31)保持衬底(W)。液体供给部(33)收容在处理壳体(23A1)中。液体供给部(33)对保持部(31)所保持的衬底(W)供给处理液。衬底处理装置(1)具备排气管(41A)、(42A)。排气管(41A)、(42A)分别配置在处理壳体(23A1)侧方。排气管(41A)、(42A)分别排出气体。衬底处理装置(1)具备切换机构(51A1)。切换机构(51A1)配置在与处理壳体(23A1)相同的高度位置。切换机构(51A1)将处理壳体(23A1)的排气通路切换为排气管(41A)、(42A)中的一个。
-
公开(公告)号：CN111518562A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010080739.3
申请日：2020-02-05
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液以及使用该蚀刻液的硅器件的制造方法。本发明提供一种硅蚀刻液，其能抑制药液中的溶解氧量的影响，能与溶解氧浓度无关地进行同样的蚀刻处理。一种硅蚀刻液，是包含四烷基氢氧化铵、水的混合液，所述硅蚀刻液包含下述式(1)所示的化合物。R1O－(CmH2mO)n－R2 (1)(式中，R1为氢原子或碳原子数1～3的烷基，R2为氢原子或碳原子数1～6的烷基，m为整数2～6，n为1或2。)。
-
公开(公告)号：CN107615457A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680031388.9
申请日：2016-04-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/022 , B08B3/024 , B08B5/023 , H01L21/68764
Abstract: 基板处理装置具备：基板旋转机构，旋转基板；喷嘴部，向所述基板的主面喷出处理液的液滴；以及喷嘴移动机构，使所述喷嘴部在沿所述主面的方向上移动。喷嘴部具备两个引导面(511)、两个气体喷出口(512)和两个处理液供给口(513)。气体喷出口沿引导面喷出气体，形成沿引导面流动的气流。处理液供给口设置于引导面，向气流与引导面之间供给处理液。在喷嘴部中，当将两个气体喷出口中的一个视为形成将处理液作为薄膜流向引导面的下端边缘(516)输送的气流的第一气体喷出口时，另一个成为形成与从下端边缘飞散的处理液碰撞的气流的第二气体喷出口。由此，能够喷出粒径均匀的多个液滴来对基板进行适当地处理。
-
公开(公告)号：CN113728416B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202080028876.0
申请日：2020-04-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 将含有水的漂洗液供给至衬底的上表面。将衬底的上表面上的漂洗液置换成第1液体。将衬底的上表面上的第1液体置换成第2液体。将衬底的上表面上的第2液体除去，由此使衬底干燥。第2液体在水中的溶解度小于第1液体在水中的溶解度。第2液体的表面张力低于第1液体的表面张力。第2液体的比重大于第1液体的比重。第2液体的沸点为室温以上，从第2液体的沸点减去室温而得的值为室温以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110114859B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201780080649.0
申请日：2017-11-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 在供第一供给液及第二供给液分别流动的第一以及第二供给液管路(412、422)设置有第一以及第二浓度测定部(415、425)。第二供给液中的气体的溶解浓度比第一供给液低。第一以及第二分支管路(51、52)的一端分别连接于第一以及第二供给液管路中比浓度测定部更靠上游侧的位置。第一以及第二分支管路的另一端连接于混合部(57)，且混合第一以及供给液来生成处理液。基于第一以及第二浓度测定部的测定值来控制第一以及第二分支管路的流量调整部(58)，以使处理液中的气体的溶解浓度成为设定值。由此，能一边防止包含因浓度测定部所引起的颗粒等的供给液，包含在供给至基板的处理液中，一边能使处理液中的气体的溶解浓度高精度地调整至设定值。
-
公开(公告)号：CN110047776B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201811633335.1
申请日：2018-12-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基于所需蚀刻量来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方。然后，基于所需蚀刻量以及所确定的设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的另一方。使具有与所确定的设定气氛氧浓度一致或接近的氧浓度的低氧气体流入至容纳基板的腔室内。进一步，将按照溶解氧浓度与所确定的设定溶解氧浓度一致或接近的方式减少了溶解氧的蚀刻液供给至保持为水平的基板的整个上表面。
-
公开(公告)号：CN115989564A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052201.4
申请日：2021-07-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306
Abstract: 在基板W上形成有凹部95。凹部95的宽度比凹部95的深度短。在侧面95s的上部的至少一部分以及侧面95s的下部的至少一部分露出表示单晶硅、多晶硅以及非晶硅中的至少一个的蚀刻对象物。通过将溶解了非活性气体的碱性的第一蚀刻液供给至基板W，对蚀刻对象物进行蚀刻。通过在第一蚀刻液被供给至基板W之前或者在第一蚀刻液被供给至基板W之后将溶解了溶解气体且溶氧浓度比第一蚀刻液高的碱性的第二蚀刻液供给至基板W，对蚀刻对象物进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN108701602B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201780012577.6
申请日：2017-02-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置具备：旋转基座，设置有保持基板的周缘的夹具构件；马达，使上述旋转基座旋转；加热器单元，位于被上述夹具构件保持的基板与上述旋转基座的上表面之间；处理液供给单元，朝向被上述夹具构件保持的基板的表面供给处理液；以及微波产生单元，从上述加热器单元向上述基板的下表面产生微波。上述微波产生单元也可包括：微波产生构件，包括设置于上述加热器单元的波导管；微波振荡器，设置于上述加热器单元的外部；以及同轴缆线，连接上述波导管与上述微波振荡器。
-
公开(公告)号：CN114242613A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111056125.2
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置(1)具备：筒状护罩(53A)，接住从衬底(W)向外侧飞溅的液体；腔室(12)，包围护罩(53A)；间隔板(81)，将腔室(12)内的护罩(53A)周围的空间上下隔开；以及排气管，将护罩(53A)内侧的气体与间隔板(81)下侧的气体吸引到在腔室(12)内配置在比间隔板(81)更靠下方的上游端内，并排出到腔室(12)的外部。间隔板(81)包含：外周端(81o)，从腔室(12)的内周面(12i)向内侧离开；以及内周端，包围护罩(53A)。护罩升降单元通过使护罩(53A)升降，而改变从间隔板(81)的内周端(内周面(83i))到护罩(53A)的最短距离。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.036 seconds)
