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公开(公告)号：CN111095495A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059945.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 通过去除在已设置于基板(W)的凹部(83)的侧面所露出的多晶硅的自然氧化膜来使多晶硅的薄膜(84)在凹部(83)的侧面(83s)露出。在多晶硅的自然氧化膜被去除之后，使液状的IPA接触于多晶硅的薄膜(84)。在IPA接触到多晶硅的薄膜(84)之后，通过对基板W供给稀释氨水来蚀刻多晶硅的薄膜(84)。
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公开(公告)号：CN108666237A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810227597.1
申请日：2018-03-20
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/022 , B08B3/024 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B2203/007 , H01L21/67051 , H01L21/68764
Abstract: 在覆盖基板的整个上表面的低表面张力液体的液膜上形成孔，基板的上表面中央部露出。低表面张力液体的液膜的孔扩展到基板的外周。在低表面张力液体的液膜上形成孔前停止喷出温水。在从基板的上表面排出低表面张力液体的液膜后，再次向基板的下表面供给温水。在停止喷出温水后，甩掉在基板上附着的液体。
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公开(公告)号：CN114616649B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080074806.9
申请日：2020-10-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , H01L21/66
Abstract: 基板(WF)具有设置了成为功率器件的构造的多个芯片区域(RS)，并设置有被处理膜(501)。通过一边使基板(WF)旋转一边使传感器(81)在径向上进行扫描，测定径向上的被处理膜(501)的厚度分布。计算出厚度分布的平均厚度(davg)。提取厚度分布具有平均厚度(davg)的至少一个径向位置来作为至少一个候补位置。将至少一个候补位置中的至少一个决定为至少一个测定位置。一边使基板(WF)旋转一边自喷嘴(52)朝基板(WF)的被处理膜(501)上供给处理液。一边使基板(WF)旋转，一边通过传感器(81)在至少一个测定位置对被处理膜(501)的厚度的随时间的变化进行监视。
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公开(公告)号：CN114402420A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064773.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置1具有处理单元14以及控制部18。处理单元14具有基板保持部31、旋转驱动部35、处理液供给部41、液体回收部50以及防护罩驱动部60。基板保持部31以水平姿势保持基板W。旋转驱动部35旋转基板保持部31。液体回收部50包括第一防护罩51、第二防护罩52以及液体导入口58。第一防护罩51以及第二防护罩52以围绕基板保持部31的侧方的方式配置。液体导入口58由防护罩划分。液体导入口58对被基板保持部31保持的基板W开放。防护罩驱动部60使第二防护罩52在铅垂方向上移动。控制部18根据被基板保持部31保持的基板W的形状控制防护罩驱动部60，由此改变液体导入口58的上端58T的高度位置。
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公开(公告)号：CN110076119A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201811638318.7
申请日：2018-12-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，能够降低基板污染的风险并在进行基板处理的过程中清洗相向部。该方法包括：基板液处理工序，在使相向部的下表面与基板的上表面相向且使它们以水平姿势旋转的状态下，对基板的上表面进行液处理；相向部清洗工序，在基板液处理工序的过程中执行该相向部清洗工序，清洗相向部。相向部清洗工序包括：冲洗液供给工序，向基板的上表面供给冲洗液；液膜形成工序，使基板以水平姿势旋转，来在基板的上表面形成在冲洗液供给工序中供给的冲洗液的液膜；清洗液供给工序，在通过液膜形成工序在基板的上表面形成有液膜的状态下，向相向部的下表面供给清洗液。液膜形成工序中的基板的转速小于基板液处理工序中的基板的转速。
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公开(公告)号：CN109599322A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811004790.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明的基板处理方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；疏水剂供给工序，向所述基板的上表面供给疏水剂，所述疏水剂用于对所述基板的上表面进行疏水化；低表面张力液体供给工序，向所述基板的上表面供给低表面张力液体，以便将所述基板上的所述疏水剂置换为表面张力低于水的所述低表面张力液体；以及湿度调节工序，调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，使所述疏水剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第二湿度，所述第二湿度低于所述第一湿度。
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公开(公告)号：CN107871685A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710834416.7
申请日：2017-09-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/04 , H01L21/31111 , H01L21/67028 , H01L21/67057 , H01L21/68735
Abstract: 根据本发明的基板处理方法，其包括：基板保持工序，通过从基座的上表面向上方隔开间隔而水平地保持基板的基板夹具来保持基板；第一处理液供应工序，向被所述基板夹具保持的基板的上表面供应第一处理液；清洗液供应工序，向所述基座的上表面供应用于冲洗附着在所述基座上表面的第一处理液的清洗液，并且以使所述基座上的所述清洗液不与被所述基板夹具保持的基板的下表面相接触的方式，向所述基座的上表面供应所述清洗液；排除工序，从所述基座的上表面排除所述清洗液。
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公开(公告)号：CN107799439A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710756122.7
申请日：2017-08-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/08 , B08B7/0071 , H01L21/02057 , H01L21/67 , H01L21/67051 , H01L21/68764 , H01L21/67017 , H01L21/67028
Abstract: 一种基板处理方法，包括：将基板保持为水平的基板保持工序；将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的基板的上表面，形成低表面张力液体的液膜的液膜形成工序；在液膜的中央区域形成开口的开口形成工序；通过将开口扩大而将液膜从被保持为水平的基板的上表面排除的液膜排除工序；向设定在开口的外侧的第一着液点，供给比水的表面张力更低的低表面张力液体的低表面张力液体供给工序；向设定在开口的外侧且比第一着液点更远离开口的第二着液点，供给使被保持为水平的基板的上表面疎水化的疏水化剂的疏水化剂供给工序；以及使第一着液点和第二着液点追随开口的扩大而移动的着液点移动的工序。
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公开(公告)号：CN113421819B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202110673589.1
申请日：2017-08-30
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种能缩短形成低表面张力液体的液膜所需的时间并良好地排除液膜的基板处理方法。该方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；处理液供给工序，向基板供给包含水的处理液；基板旋转工序，使基板旋转；液膜形成工序，使基板以第一旋转速度旋转且向上表面供给表面张力低于水的低表面张力液体，使处理液置换为低表面张力液体，在上表面形成低表面张力液体的液膜；旋转减速工序，在处理液被置换为低表面张力液体后，继续进行液膜形成工序且使旋转减速到低于第一旋转速度的第二旋转速度；开口形成工序，在液膜形成工序结束后，在以第二旋转速度旋转的基板上的液膜的中央区域形成开口；液膜排除工序，使开口扩展，从上表面排除液膜。
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