公开(公告)号：CN119920691A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510060631.0

申请日：2020-01-22

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 中野佑太 ,  田中孝佳 ,  高桥弘明 ,  岩田智巳

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，即使在形成于基板的表面的微细构造物的相互间的间隙中也能去除有机物。基板处理装置的基板处理方法具备基板保持工序以及紫外线照射工序。在基板保持工序中，保持在表面形成有微细构造物的基板。在紫外线照射工序中，隔着处理空间与基板的表面对置的紫外线照射器对基板的表面照射紫外线。在紫外线照射工序的至少一部分的期间中，对处理空间供给气体并将处理空间内的氧浓度调整至0.3vol％以上至8.0vol％以下的浓度范围内。

公开(公告)号：CN113544820B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202080019298.4

申请日：2020-01-22

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 中野佑太 ,  田中孝佳 ,  高桥弘明 ,  岩田智巳

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，即使在形成于基板的表面的微细构造物的相互间的间隙中也能去除有机物。基板处理方法具备基板保持工序以及紫外线照射工序。在基板保持工序中，保持在表面形成有微细构造物的基板。在紫外线照射工序中，隔着处理空间与基板的表面对置的紫外线照射器对基板的表面照射紫外线。在紫外线照射工序的至少一部分的期间中，对处理空间供给气体并将处理空间内的氧浓度调整至0.3vol％以上至8.0vol％以下的浓度范围内。

公开(公告)号：CN108701605B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201780013898.8

申请日：2017-01-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 金松泰范 ,  中井仁司 ,  岩田智巳

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 在上表面(91)形成有结构体的基板(9)的处理中，在上表面(91)上保持有机溶剂的液膜以使有机溶剂填满结构体中的间隙之后，进行通过填充剂的供给而用填充剂取代该有机溶剂的处理、及除去附着于基板(9)的外缘部的填充剂的处理。将形成于防溅部(25)的内侧面与基板(9)的外缘部之间的环状的最小间隙作为环状间隙，以使前者的处理中的环状间隙的宽度较后者的处理中的该宽度变大的方式，使防溅部(25)升降。由此，在保持液膜时，使基板(9)的外缘部附近的气体的流速降低，以抑制液膜的崩溃等，且在清洗基板(9)的外缘部时，使从外缘部附近朝向环状间隙的气体的流速增大，以抑制从基板(9)飞散的清洗液等返回基板(9)。

公开(公告)号：CN113544820A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080019298.4

申请日：2020-01-22

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 中野佑太 ,  田中孝佳 ,  高桥弘明 ,  岩田智巳

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，即使在形成于基板的表面的微细构造物的相互间的间隙中也能去除有机物。基板处理方法具备基板保持工序以及紫外线照射工序。在基板保持工序中，保持在表面形成有微细构造物的基板。在紫外线照射工序中，隔着处理空间与基板的表面对置的紫外线照射器对基板的表面照射紫外线。在紫外线照射工序的至少一部分的期间中，对处理空间供给气体并将处理空间内的氧浓度调整至0.3vol％以上至8.0vol％以下的浓度范围内。

公开(公告)号：CN106920763B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201611203949.7

申请日：2016-12-23

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 江本哲也 ,  永德笃郎 ,  岩田智巳

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板处理装置及基板处理方法，该基板处理装置通过从低表面张力液体供给单元向被加热的基板供给低表面张力液体，将处理液置换为低表面张力液体。减弱对基板的加热，从低表面张力液体供给单元向基板供给低表面张力液体，由此形成低表面张力液体的液膜。从低表面张力液体供给单元向基板的中央区域不供给低表面张力液体，加强对基板的加热，来排出基板上的液膜。

公开(公告)号：CN108257891A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711406516.6

申请日：2017-12-22

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 井上正史 ,  田中孝佳 ,  岩田智巳 ,  谷口宽树 ,  新庄淳一 ,  高桥弘明 ,  樋口鲇美 ,  大迹明 ,  中野佑太

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种使用紫外线进行多个处理也能抑制尺寸增加的基板处理装置。基板处理装置具有紫外线照射装置(2)和基板保持装置(31、32)。紫外线照射装置2位于处理室(11、12)的边界，并且能够向处理室(11、12)照射紫外线。基板保持装置31配置于处理室(11)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。基板保持装置(32)配置于处理室(12)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。