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公开(公告)号：CN114242613A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111056125.2
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置(1)具备：筒状护罩(53A)，接住从衬底(W)向外侧飞溅的液体；腔室(12)，包围护罩(53A)；间隔板(81)，将腔室(12)内的护罩(53A)周围的空间上下隔开；以及排气管，将护罩(53A)内侧的气体与间隔板(81)下侧的气体吸引到在腔室(12)内配置在比间隔板(81)更靠下方的上游端内，并排出到腔室(12)的外部。间隔板(81)包含：外周端(81o)，从腔室(12)的内周面(12i)向内侧离开；以及内周端，包围护罩(53A)。护罩升降单元通过使护罩(53A)升降，而改变从间隔板(81)的内周端(内周面(83i))到护罩(53A)的最短距离。
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公开(公告)号：CN110140198A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780082037.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , B08B3/02
Abstract: 一种基板处理装置，包含：基板保持单元，用以将基板保持为水平姿势；处理液喷嘴，具有下部开口及内壁，且从所述下部开口吐出处理液，该下部开口与由所述基板保持单元保持的基板的上表面相向，该内壁划分出筒状空间，该筒状空间是上下方向的筒状空间且从所述下部开口相连至上方；液柱形成单元，将包含第一液柱部分及第二液柱部分的处理液的液柱形成于所述基板的上表面，该第一液柱部分用处理液来液密地充满于所述下部开口与所述基板的上表面之间，该第二液柱部分从所述第一液柱部分相连至上方，且由贮存于所述筒状空间的处理液构成；以及物理力赋予单元，对所述第二液柱部分赋予物理力。
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公开(公告)号：CN110120359B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910079946.4
申请日：2019-01-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 根来世
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使在将溶解氧浓度被调整的处理液进行再利用的情况下，也能够以极其稳定的品质处理基板的基板处理方法和基板处理装置。在供给容器中贮存处理液。测量处理液的溶解氧浓度。通过向供给容器内供给非活性气体的浓度高于空气的浓度调整气体，根据测量出的处理液的溶解氧浓度调整供给容器内的处理液的溶解氧浓度。向基板供给供给容器内的处理液。由供给容器回收供给至基板的处理液。在由供给容器回收处理液之前，使不需要气体在处理液中减少，不需要气体是浓度调整气体以外的气体，在基板的处理中溶入处理液中。
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公开(公告)号：CN116097406A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180053024.1
申请日：2021-07-14
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308
Abstract: 通过将碱性的第1蚀刻液供应给基板，而对表示单晶硅与多晶硅中的至少一者的蚀刻对象物施行蚀刻。在将第1蚀刻液供应给基板前或供应后，将碱性的第2蚀刻液供应给基板，而对蚀刻对象物施行蚀刻；该第2蚀刻液含有阻碍氢氧化物离子与蚀刻对象物接触的化合物，且对硅的(110)面、(100)面、及(111)面的蚀刻速度的最大值与最小值差比第1蚀刻液小，蚀刻速度的最大值比第1蚀刻液小。
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公开(公告)号：CN110140198B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201780082037.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , B08B3/02
Abstract: 一种基板处理装置，包含：基板保持单元，用以将基板保持为水平姿势；处理液喷嘴，具有下部开口及内壁，且从所述下部开口吐出处理液，该下部开口与由所述基板保持单元保持的基板的上表面相向，该内壁划分出筒状空间，该筒状空间是上下方向的筒状空间且从所述下部开口相连至上方；液柱形成单元，将包含第一液柱部分及第二液柱部分的处理液的液柱形成于所述基板的上表面，该第一液柱部分用处理液来液密地充满于所述下部开口与所述基板的上表面之间，该第二液柱部分从所述第一液柱部分相连至上方，且由贮存于所述筒状空间的处理液构成；以及物理力赋予单元，对所述第二液柱部分赋予物理力。
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公开(公告)号：CN110120359A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910079946.4
申请日：2019-01-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 根来世
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使在将溶解氧浓度被调整的处理液进行再利用的情况下，也能够以极其稳定的品质处理基板的基板处理方法和基板处理装置。在供给容器中贮存处理液。测量处理液的溶解氧浓度。通过向供给容器内供给非活性气体的浓度高于空气的浓度调整气体，根据测量出的处理液的溶解氧浓度调整供给容器内的处理液的溶解氧浓度。向基板供给供给容器内的处理液。由供给容器回收供给至基板的处理液。在由供给容器回收处理液之前，使不需要气体在处理液中减少，不需要气体是浓度调整气体以外的气体，在基板的处理中溶入处理液中。
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公开(公告)号：CN111819668B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN201880090846.5
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/306 , H10D30/01 , H10D30/68 , H10D30/69 , H10B41/27 , H10B43/27
Abstract: 通过将TMAH、过氧化氢与水混合，从而制备包含TMAH、过氧化氢和水、但不含氟化氢化合物的碱性蚀刻液。将制备的蚀刻液供给至露出了多晶硅膜和氧化硅膜的衬底，在抑制氧化硅膜的蚀刻的同时对多晶硅膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN113053728B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202011545248.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。
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公开(公告)号：CN112602179B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980055805.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。本发明要制作包含季铵氢氧化物、水及阻碍由季铵氢氧化物产生的氢氧离子与蚀刻对象物P1～P3接触的阻碍物质的碱性蚀刻液。通过将所制作的蚀刻液供给至包含多晶硅的蚀刻对象物P1～P3及与蚀刻对象物P1～P3不同的非蚀刻对象物O1～O3露出的衬底，一边阻碍非蚀刻对象物O1～O3的蚀刻，一边对蚀刻对象物P1～P3进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN112602179A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055805.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本发明要制作包含季铵氢氧化物、水及阻碍由季铵氢氧化物产生的氢氧离子与蚀刻对象物P1～P3接触的阻碍物质的碱性蚀刻液。通过将所制作的蚀刻液供给至包含多晶硅的蚀刻对象物P1～P3及与蚀刻对象物P1～P3不同的非蚀刻对象物O1～O3露出的衬底，一边阻碍非蚀刻对象物O1～O3的蚀刻，一边对蚀刻对象物P1～P3进行蚀刻。
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