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公开(公告)号：CN101680926A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200780053457.7
申请日：2007-08-02
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/305 , G09G3/006
Abstract: TFT面板基板检查装置包括：电子束产生源，照射电子束；二次电子检测器，对在电子束的照射下而从像素产生的二次电子进行检测；以及电压施加单元，包括多个与多个TFT面板基板上的电极接触而施加基准电压的探针。电压施加单元具有包围TFT面板基板的外周的探测器框架。探测器框架包括包围各TFT面板基板的至少一个内框架、以及在内侧包围内框架的框形状的外框架。通过附加拉伸载荷而将内框架安装在外框架的内周壁上，以减少内框架的因自重及探针的反作用力所引起的挠曲，从而提高表面刚性。由此，使各探针与TFT面板基板的电极的接触压力均匀化。
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公开(公告)号：CN101099419A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200680001834.8
申请日：2006-04-26
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32192 , H05H1/46
Abstract: 一种表面波激发等离子体处理装置，其可一直维持以大面积生成均匀的等离子体。此表面波激发等离子体处理装置的等离子源(10)包括：微波产生装置、微波导波管(12)、以及介电体块(13)，等离子源(20)亦同样包括：微波产生装置、微波导波管(22)、以及介电体块(23)。于腔室(1)的盖体(3)上，并列安装有微波导波管(12、22)，并将介电体块(13、23)配设于腔室(1)内。使反射板(30)设于介电体块(13)与(23)之间，以阻止传播于介电体块(13、23)内的电磁波(微波)作为反射波而相互进入。藉此，独立控制等离子源(10、20)。又，于介电体块(13、23)的外周部配设有侧反射体(40)，以形成传播于介电体块(13、23)内的电磁波的驻波，并以大面积均匀地形成表面波SW的驻波模式。
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公开(公告)号：CN105102669B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201380071791.0
申请日：2013-10-29
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32669 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32568 , H01J37/32596 , H01J37/3266 , H01J37/32899 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/06375 , H01J2237/152 , H01J2237/162 , H01J2237/327 , H01J2237/3326
Abstract: 本发明的电弧等离子体成膜装置包括：成膜腔室，储存作为处理对象的基板；等离子体腔室，储存靶的至少一部分，且与成膜腔室连结；以及多个中空线圈，在靶与成膜腔室之间具有至少一处弯曲部以产生连续的磁力线，被包含非磁性金属的外皮覆盖，且配置于等离子体腔室内；利用电弧放电而在等离子体腔室内生成的含有源自靶材料的离子的等离子体是通过中空线圈的内侧而从靶被输送到基板。
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公开(公告)号：CN103858220B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280049913.1
申请日：2012-05-23
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L21/677 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4587 , H01L21/67781
Abstract: 本发明提供一种基板移载系统及基板移载方法。基板移载系统包括基板载板及基板搭载装置，所述基板载板具有在垂直方向上延伸且定义出在水平方向上排列的多个矩形基板搭载区域的搭载面，且在各个基板搭载区域的外周的左边、右边及下边分别配置着左边固定销、右边固定销及下边固定销，所述基板搭载装置包括：基板保持机构，将多个矩形基板以各自的主面配置在同一平面水平的状态进行保持；基板移动机构，以从水平方向观察时相对于基板搭载区域而倾斜的姿势使所保持的多个基板的主面与搭载面接近且相对向；及基板旋转机构，使多个基板以一个旋转轴为中心而沿着搭载面同时旋转。
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公开(公告)号：CN105102669A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380071791.0
申请日：2013-10-29
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32669 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32568 , H01J37/32596 , H01J37/3266 , H01J37/32899 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/06375 , H01J2237/152 , H01J2237/162 , H01J2237/327 , H01J2237/3326
Abstract: 本发明的电弧等离子体成膜装置包括：成膜腔室，储存作为处理对象的基板；等离子体腔室，储存靶的至少一部分，且与成膜腔室连结；以及多个中空线圈，在靶与成膜腔室之间具有至少一处弯曲部以产生连续的磁力线，被包含非磁性金属的外皮覆盖，且配置于等离子体腔室内；利用电弧放电而在等离子体腔室内生成的含有源自靶材料的离子的等离子体是通过中空线圈的内侧而从靶被输送到基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102549194A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080044034.0
申请日：2010-10-04
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 铃木正康
IPC: C23C16/511
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/345 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/32229
Abstract: 一种表面波等离子体CVD设备，其包括：波导(3)，该波导(3)连接于微波源(2)，多个槽缝天线(S)形成于波导的磁场平面上；电介质板(4)，该电介质板(4)用于将从多个槽缝天线(S)射出的微波引导至等离子体处理室(1)，从而产生表面波等离子体；绝缘遮蔽构件(1b)，该绝缘遮蔽构件(1b)配置成包围产生表面波等离子体的成膜处理区域(R)；以及气体喷射部(52)，该气体喷射部(52)将处理材料气体喷射至成膜处理区域(R)。
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公开(公告)号：CN101680926B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780053457.7
申请日：2007-08-02
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/305 , G09G3/006
Abstract: TFT面板基板检查装置包括：电子束产生源，照射电子束；二次电子检测器，对在电子束的照射下而从像素产生的二次电子进行检测；以及电压施加单元，包括多个与多个TFT面板基板上的电极接触而施加基准电压的探针。电压施加单元具有包围TFT面板基板的外周的探测器框架。探测器框架包括包围各TFT面板基板的至少一个内框架、以及在内侧包围内框架的框形状的外框架。通过附加拉伸载荷而将内框架安装在外框架的内周壁上，以减少内框架的因自重及探针的反作用力所引起的挠曲，从而提高表面刚性。由此，使各探针与TFT面板基板的电极的接触压力均匀化。
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公开(公告)号：CN101971292A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200880127917.0
申请日：2008-04-08
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 铃木正康
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L21/31 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/45565 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541
Abstract: 在通过施加高频而形成高频电容耦合型等离子体的等离子体CVD用阴电极的结构中，该阴电极与阳电极对向配置，同时与阳电极对向的对向面构成为凹凸形状，该凹凸形状通过由底面构成的凹部和由从该凹部的底面向阳电极侧突出的多个突出部形成的凸部构成。凸部的至少任意一个的突出部在侧面至少具有一个能够喷出反应气体的反应气体喷孔，该反应气体喷孔的反应气体喷出方向与凹部底面大致平行。通过使阴电极最优化而产生高密度的等离子体。
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公开(公告)号：CN100442574C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410042096.4
申请日：2004-04-30
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: C23C16/463 , C23C16/4586 , C23C16/466 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种沉积用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法，在通过表面波等离子体化学气相沉积(SWP-CVD)法沉积薄膜的薄膜沉积设备中，对上面放置有基底(9)的基底支架(8)配置冷却装置，由此防止在薄膜沉积期间可能引起的基底(9)温度升高。在基底支架(8)中形成冷却剂通道(81)，从冷却器(4)输送的冷却剂经冷却剂通道(81)循环，由此冷却基底支架(8)。另外，在被放置基底的基底支架的表面形成槽(82)，并且通过使He气流经槽(82)来冷却基底(9)。
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公开(公告)号：CN101091420A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001441.7
申请日：2006-04-20
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 铃木正康
IPC: H05H1/46 , H01L21/302 , C23C16/511 , H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32229 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46
Abstract: 本发明可有效地产生表面波激发等离子体。表面波激发等离子体产生装置(10)包括环状导波管(2)以及电介质管(3)。环状导波管(2)包括导入口(2a)、终端板(2b)以及底板(2c)，其中，所述导入口(2a)用来导入微波(M)，所述终端板(2b)用来反射被导入的在管内传播的微波(M)，所述底板(2c)上以预定的间隔形成有槽孔天线(2d)。当微波(M)的管内波长为λg时，将从底板(2c)上的位置(b)开始经过位置(c、d、e)直到位置(f)为止的长度，即，环状导波管(2)的周长π×D1设为2λg，并且位置(b、c、d、e、f)之间隔开λg/2的间隔。由于槽孔天线(2d)配置在位置(c)及位置(e)两处，因此所述2个槽孔天线(2d)的间隔等于管内波长λg。
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