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公开(公告)号：CN111051876B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201880056376.0
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种谁都能够简单并以高精确度预测未知的有机化合物的物性的物性预测方法。此外，提供一种谁都能够简单并以高精确度预测有机化合物的物性的物性预测系统。提供一种有机化合物的物性预测方法，该物性预测方法包括学习有机化合物的分子结构与物性的相关的阶段及基于该学习结果从目的物质的分子结构预测目的物性值的阶段，并且作为上述有机化合物的分子结构的表现方法同时使用多种指纹印迹法。
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公开(公告)号：CN108369787B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680071918.2
申请日：2016-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/302 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/12
Abstract: 本发明的一个方式提供一种分辨率极高的显示装置。另外，提供一种显示品质高的显示装置。另外，提供一种视角特性高的显示装置。另外，提供一种可弯曲的显示装置。将相同颜色的子像素在特定方向上排成之字形。换言之，当着眼于一个子像素时，呈现与其相同颜色的两个子像素配置在它的斜右上及斜右下或者斜左上及斜左下。另外，各像素由排成L字形状的三个子像素构成。并且，组合两个像素，将包括3×2的子像素的像素单元配置为矩阵状。
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公开(公告)号：CN1905164B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610107648.4
申请日：2006-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , H01L23/488
CPC classification number: H01L27/124 , H01L21/304 , H01L21/76898 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L27/13 , H01L29/78 , H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在提供如下半导体装置及其制造方法：即使在层叠多个形成在衬底上的半导体元件的情况下，也可以通过衬底电连接被层叠了的半导体元件。本发明的技术方案的要点如下：在衬底的一面上选择性地形成凹部或从衬底的一面贯穿到另一面的开口部；覆盖衬底的一面及凹部或开口部地形成具有晶体管的元件群；以及，通过从另一面使衬底薄膜化来暴露形成在凹部或开口部中的元件群。作为使衬底薄膜化的方法，可以进行研磨处理、抛光处理、采用化学处理的蚀刻等而部分地除去衬底的一部分。
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公开(公告)号：CN102496607A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110321830.0
申请日：2008-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种高成品率地制造半导体装置的方法，该半导体装置不会因来自外部的局部挤压而破坏，可靠性高。本发明如下制造半导体装置：在具有绝缘性表面的基板上形成剥离层，在剥离层上形成具有使用非单晶半导体层形成的半导体元件的元件层，在元件层上设置有机化合物或无机化合物的纤维体，自元件层及纤维体上涂布包含有机树脂的组合物，加热，在元件层上形成有机化合物或无机化合物的纤维体被有机树脂浸渍而得的密封层，从剥离层剥离元件层。
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公开(公告)号：CN101276743B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810087968.7
申请日：2008-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/56 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L21/84 , G06K19/077
Abstract: 本发明提供一种高成品率地制造半导体装置的方法，该半导体装置不会因来自外部的局部挤压而破坏，可靠性高。本发明如下制造半导体装置：在具有绝缘性表面的基板上形成剥离层，在剥离层上形成具有使用非单晶半导体层形成的半导体元件的元件层，在元件层上设置有机化合物或无机化合物的纤维体，自元件层及纤维体上涂布包含有机树脂的组合物，加热，在元件层上形成有机化合物或无机化合物的纤维体被有机树脂浸渍而得的密封层，从剥离层剥离元件层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101479747B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200780023459.1
申请日：2007-06-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K19/07 , D21H21/48 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: D21H21/48 , B32B29/00 , D21H27/32 , G06K19/07749 , H01L23/49855 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 实现嵌有能无线通信的半导体器件的纸，其包括该半导体器件的部分的不均匀性不突出，且该纸是薄的，具有小于或等于130μm的厚度。半导体器件设置有电路部分和天线，且该电路部分包括薄膜晶体管。电路部分和天线与在制造期间所用的衬底分离，并介于柔性基片和密封层之间并被保护。该半导体器件可弯曲，且该半导体器件自身的厚度小于或等于30μm。该半导体器件在造纸工艺中被嵌入纸内。
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公开(公告)号：CN101499479A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910003822.4
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/13 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78648
Abstract: 本发明的一个目的是降低无线芯片的成本，进一步，通过实现大量生产无线芯片而降低无线芯片的成本，并且更进一步，提供小型化和较轻的无线芯片。根据本发明提供一种无线芯片，其中从玻璃衬底或石英衬底上剥离下来的薄膜集成电路形成在第一基底材料和第二基底材料之间。与由硅衬底形成的无线芯片对比，根据本发明的无线芯片实现了小、薄和轻。根据本发明的无线芯片中包含的薄膜集成电路至少包含：具有LDD(轻掺杂漏极)结构的n－型薄膜晶体管，具有单个漏极结构的p－型薄膜晶体管，以及作为天线的导电层。
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公开(公告)号：CN101276767A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087967.2
申请日：2008-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/56 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L21/60 , H01L21/00 , G06K19/077
Abstract: 本发明提供一种高成品率地制造半导体装置的方法，该半导体装置不会因来自外部的局部挤压而破坏，可靠性高。本发明如下制造半导体装置：形成具有使用单晶半导体基板或SOI基板形成的半导体元件的元件基板，在元件基板上设置有机化合物或无机化合物的纤维体，通过自元件基板及纤维体上方涂布包含有机树脂的组合物，加热，从而在元件基板上形成有机树脂浸渍在有机化合物或无机化合物的纤维体的密封层。
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公开(公告)号：CN102496607B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110321830.0
申请日：2008-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种高成品率地制造半导体装置的方法，该半导体装置不会因来自外部的局部挤压而破坏，可靠性高。本发明如下制造半导体装置：在具有绝缘性表面的基板上形成剥离层，在剥离层上形成具有使用非单晶半导体层形成的半导体元件的元件层，在元件层上设置有机化合物或无机化合物的纤维体，自元件层及纤维体上涂布包含有机树脂的组合物，加热，在元件层上形成有机化合物或无机化合物的纤维体被有机树脂浸渍而得的密封层，从剥离层剥离元件层。
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公开(公告)号：CN103258800A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310141588.8
申请日：2008-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/14 , H01L23/498 , H01Q1/22
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L23/145 , H01L23/49855 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/1248 , H01L27/13 , H01L29/78603 , H01L2223/6677 , H01L2224/16225 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01Q1/2225 , H01Q1/2283 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明提供一种即使在从外部局部地施加压力时也不容易损坏的半导体器件。另外，本发明还提供高成品率地制造对于即使受来自外部的局部推压也不损坏的可靠性高的半导体器件的方法。在包括使用非单晶半导体层形成的半导体元件的元件层上设置在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中浸渗有机树脂而成的结构体，并且进行加热和压合，来制造固定有在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中浸渗有机树脂而成的结构体及元件层的半导体器件。
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