半导体器件
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101115990A

    公开(公告)日:2008-01-30

    申请号:CN200680004209.9

    申请日:2006-02-03

    CPC classification number: G01N22/00

    Abstract: 通过具有用于将电磁波转换成电信号的天线、用于检测化学反应的检测部分、和用于控制天线和检测部分的控制部分,提供了便利性增强的半导体器件。检测部分包括至少检测元件,控制部分包括至少晶体管。检测元件包括用于固化核酸、蛋白质、酶、抗原、抗体和微生物中至少任一的反应层。或者,半导体器件包括天线、检测部分、控制部分和存储部分。存储部分包括至少存储元件,存储元件包括第一导电层、第二导电层、和位于第一导电层和第二导电层之间的层。

    电路
    12.
    发明公开
    电路 失效

    公开(公告)号:CN1433143A

    公开(公告)日:2003-07-30

    申请号:CN03100794.5

    申请日:2003-01-17

    Abstract: 对于晶体管,由于制造工艺和所使用基片的不同出现栅极绝缘膜的变化以及由此在沟道形成区结晶状态的变化等因素是部分一致的,因此产生晶体管的阈值电压和迁移率的变化。本发明提供一种使用整流型器件的电路,其中当在该器件两端的电极施加电位差时,仅在单一方向产生电流。其次,本发明提供一种电路,它利用了一个事实,即当信号电压被输入到整流型器件的一个端子时,另一端子的电位成为只被整流型器件的阈值电压补偿的电位。

    半导体器件
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101257284B

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN200810003746.2

    申请日:2003-01-17

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。由于制造过程或所采用的基片中的差别而引起的栅极绝缘薄膜中的变化,以及沟道区域晶体状态中的变化,这两种因素的结合产生的阈值电压的变化或变动性困扰着晶体管。为解决该问题,本发明提供了一种电路,该电路具有一种配置,使得电容元件的两个电极能够保持一个特定晶体管的栅极-源极电压。本发明提供了一种电路,该电路能够通过使用一种恒流源来在所述电容元件的两个电极之间设定一个电位差。

    半导体器件
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101257284A

    公开(公告)日:2008-09-03

    申请号:CN200810003746.2

    申请日:2003-01-17

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。由于制造过程或所采用的基片中的差别而引起的栅极绝缘薄膜中的变化,以及沟道区域晶体状态中的变化,这两种因素的结合产生的阈值电压的变化或变动性困扰着晶体管。为解决该问题,本发明提供了一种电路,该电路具有一种配置,使得电容元件的两个电极能够保持一个特定晶体管的栅极-源极电压。本发明提供了一种电路,该电路能够通过使用一种恒流源来在所述电容元件的两个电极之间设定一个电位差。

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