公开(公告)号：CN1582071B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200410056660.8

申请日：2004-08-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大原宏树

IPC: H01L51/56

CPC classification number: C23C14/246 ,  C23C14/12 ,  C23C14/243 ,  C23C14/26

Abstract: 本发明的目的是提供一种执行蒸发淀积的制造装置，该制造装置在蒸发材料不被堵塞的情况下，可以在长时间执行稳定的蒸发淀积以形成膜。在淀积装置的蒸发源提供能够升降坩埚的驱动部分。当在坩埚的开口部分发生蒸发材料的堵塞时，将坩埚移动到下方并封闭在蒸发源的内部。由于蒸发源的加热器可以高效率地加热开口部分，所以堵塞在开口部分的蒸发材料被蒸发，从而可以消除堵塞。之后，将坩埚移动到上方，进行加热以执行蒸发淀积。这样，可以不暴露于大气的情况下，在长时间执行蒸发淀积，从而可以进一步提高有机EL元件的生产性。

公开(公告)号：CN101901768A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010194245.4

申请日：2010-05-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  大原宏树 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/477 ,  H01L21/473 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。

公开(公告)号：CN101847661A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010149895.7

申请日：2010-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  岸田英幸 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G09G3/3258 ,  G09G3/3275 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0248 ,  G09G2310/0297 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的一种方式的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；包含氧化硅的氧化物半导体层；栅电极和氧化物半导体层之间的绝缘层；包含氧化硅的氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间的源区及漏区，其中，源区及漏区使用退化的氧化物半导体材料或氧氮化物材料。

公开(公告)号：CN104658915B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201510086663.4

申请日：2010-05-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  大原宏树 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/477 ,  H01L21/473 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。

公开(公告)号：CN103227293B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201310119691.2

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田寿雄 ,  大原宏树 ,  细羽诚 ,  坂田淳一郎 ,  伊藤俊一

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  G09G3/3291

CPC classification number: H01L51/5253 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。

公开(公告)号：CN103151266B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310055161.6

申请日：2010-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细羽幸 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/3677 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一个目的是提供具有稳定电特性的使用氧化物半导体的半导体器件。氧化物半导体层经受在氮气体或者诸如稀有气体(例如氩或氦)之类的惰性气体气氛中或者在降低的压力下的用于脱水或脱氢处理的热处理以及经受在氧的气氛、氧和氮的气氛或者空气(露点优选地低于或等于40C，更优选地低于或等于50C)气氛中的用于提供氧的处理的冷却步骤。因此，氧化物半导体层经过高度纯化，由此形成i型氧化物半导体层。制造包括具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体器件。

公开(公告)号：CN102782859B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201180010845.3

申请日：2011-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大原宏树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/425 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/02521 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 目的之一是提供可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置、批量生产性高的半导体装置以及这些半导体装置的制造方法。不产生氧缺损地去除残留在氧化物半导体层中的杂质并将氧化物半导体层纯化到极高纯度。具体而言，在对氧化物半导体层添加氧之后，对氧化物半导体层进行加热处理来去除杂质。为了添加氧，优选采用使用离子注入法或离子掺杂法等添加高能量的氧的方法。

公开(公告)号：CN104795323A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510189236.9

申请日：2010-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供高批量生产性、使用新的半导体材料且适于大电力应用的半导体装置。为了降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而在形成氧化物半导体膜之后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第一加热处理。接着，为了进一步降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而使用离子注入法或离子掺杂法等对氧化物半导体膜添加氧，然后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第二加热处理。

公开(公告)号：CN102473731B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080032159.1

申请日：2010-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  野田耕生 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。

公开(公告)号：CN102640272B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201080054058.4

申请日：2010-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供高批量生产性、使用新的半导体材料且适于大电力应用的半导体装置。为了降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而在形成氧化物半导体膜之后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第一加热处理。接着，为了进一步降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而使用离子注入法或离子掺杂法等对氧化物半导体膜添加氧，然后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第二加热处理。