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公开(公告)号：CN101101957A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127878.1
申请日：2007-07-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/398 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/305 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129
Abstract: 本发明提供一种可力求提高MR变化率和可靠性的磁阻效应元件、磁头、以及磁盘装置。其中，通过形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层，在该第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层，在该功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层，对该第2金属层进行氧化·氮化·氧氮化处理，形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层，来构成磁阻效应元件的隔层。
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公开(公告)号：CN100350457C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200510087903.9
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器，该磁阻效应元件具有实质上磁化方向固定的第1磁性层；磁化方向根据外部磁场变化的第2磁性层；设置在上述第1磁性层与上述第2磁性层之间、并且包括具有偶数原子层数的区域和具有奇数原子层数的区域的磁性隔离层；和相对于包含上述第1磁性层、磁性隔离层以及第2磁性层的叠层膜的膜面垂直地通过电流的电极，其中，当外部磁场为0时，上述第1磁性层的磁化方向与上述第2磁性层的磁化方向大致正交。
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公开(公告)号：CN1758341A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510099817.X
申请日：2005-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3903
Abstract: 一种磁致电阻元件，包括至少三个金属磁性层；提供在至少三个金属磁性层之间的至少两个连接层，每个连接层都具有绝缘层以及包括穿透绝缘层的金属磁性材料的电流受限通路；和垂直于金属磁性层和连接层的堆叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN1604355A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410083163.7
申请日：2004-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F41/32 , H01F41/325 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻效应元件，包括：磁化被钉扎层、磁化自由层、设置在磁化被钉扎层和磁化自由层之间的非磁性金属层、电阻增加层、自旋过滤层和一对电极。电阻增加层包括绝缘部分并且被设置在磁化被钉扎层、磁化自由层和非磁性金属层至少之一中。自旋过滤层设置成与磁化自由层相邻并且具有5nm到20nm范围的厚度。磁化自由层设置在自旋过滤层和非磁性金属层之间。磁化被钉扎层、磁化自由层、非磁性金属层、电阻增加层和自旋过滤层设置在电极之间。
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公开(公告)号：CN104424958A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310661321.1
申请日：2013-12-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/3133 , G11B5/235 , G11B5/3106 , G11B5/3136 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明可获得即使在操作中的温度高的环境下，也可以使高频振荡元件的温度保持低且振荡无劣化的高频辅助磁记录头。实施例的磁记录头在振荡层叠体和主磁极间设置冷却发热材料，冷却发热材料包含从该振荡层叠体按顺序层叠的：具有与振荡层叠体的截面积相同截面积的第1热电材料层；具有与振荡层叠体的截面积相同截面积的第1金属材料层；具有与主磁极相同截面积的第2金属材料层；及具有与主磁极相同截面积的第2热电材料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101101959B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710128678.8
申请日：2007-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3983 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/398 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/305 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明其目的在于提供一种可应用于高密度存储的磁存储装置、可设法提高可靠性的磁阻效应元件。本发明的具有隔层的CCP结构的磁阻效应元件的制造方法中，该隔层形成时，形成第一金属层，在该第一金属层上形成可变换为该绝缘层的第二金属层，进行第一氧化或氮化处理，将该第二金属层变换为该绝缘层，并且形成贯通该绝缘层的该金属层，在通过该第一变换处理所形成的该绝缘层和该金属层上形成可变换为该绝缘层的第三金属层，进行第二氧化或氮化处理，将该第三金属层变换为该绝缘层，并且形成贯通该绝缘层的金属层。
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公开(公告)号：CN100382353C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410083163.7
申请日：2004-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F41/32 , H01F41/325 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻效应元件，包括：磁化被钉扎层、磁化自由层、设置在磁化被钉扎层和磁化自由层之间的非磁性金属层、电阻增加层、自旋过滤层和一对电极。电阻增加层包括绝缘部分并且被设置在磁化被钉扎层、磁化自由层和非磁性金属层至少之一中。自旋过滤层设置成与磁化自由层相邻并且具有5nm到20nm范围的厚度。磁化自由层设置在自旋过滤层和非磁性金属层之间。磁化被钉扎层、磁化自由层、非磁性金属层、电阻增加层和自旋过滤层设置在电极之间。
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公开(公告)号：CN101101958A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127879.6
申请日：2007-07-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/39 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/12 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明其目的在于提供一种可应用于高密度存储的磁存储装置、可设法提高可靠性的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上固定于一方向的磁化固定层；磁化方向与外部磁场相对应而变化的磁化自由层；以及设置于所述磁化固定层和所述磁化自由层两者间、包含绝缘层和贯通所述绝缘层的金属层的隔层，对所述磁化固定层、构成所述隔层的所述第一金属层、所述第二金属层、所述第二金属层变换为所述绝缘层之后的绝缘层、以及所述第三非磁性金属层的至少一部位照射离子或等离子，来增强各层间的密接性。
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公开(公告)号：CN100347748C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410094160.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/39 , G11C11/16 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F41/325
Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件、磁头、磁再生装置和磁存储器。该磁致电阻效应元件可控制晶体取向性和晶粒粒径，可实现高的磁致电阻变化量。该一种磁致电阻效应元件，其特征在于包括：磁致电阻效应膜，该磁致电阻效应膜具有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层、在上述磁化固定层上形成的非磁性金属中间层、在上述非磁性金属中间层上形成的具有磁化方向随外部磁场变化的磁性体膜的磁化自由层，且上述磁化固定层或非磁性中间层包含调节电阻的绝缘部；以及用来在与上述磁致电阻效应膜的膜面大致垂直的方向上通检测电流的电气连接的一对电极，且上述磁化自由层包含晶体结构是体心立方晶格的体心立方晶格层，上述体心立方晶格层的厚度≥2nm。
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公开(公告)号：CN101047229A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710089699.3
申请日：2007-03-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3903 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/398 , G11B5/455 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 磁阻效应元件包括磁化固定层、分隔层和磁化自由层，该磁化固定层含有第一晶粒，并具有基本固定在一个方向上的磁化方向；该分隔层配置在磁化固定层上并且含有绝缘层和贯通绝缘层的金属导体；该磁化自由层含有第二晶粒，并配置在分隔层上与金属导体相对，并且具有对应外部磁场改变的磁化方向。
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