公开(公告)号：CN105390584A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510507533.3

申请日：2015-08-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田岛纯平 ,  大野浩志 ,  伊藤俊秀 ,  上杉谦次郎 ,  布上真也

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L33/647

Abstract: 半导体发光元件包括基体、第一半导体层、第二半导体层、第一发光层、第一导电层、第三半导体层、第四半导体层、第二发光层、第二导电层、第一部件和第二部件。所述第一部件包括第一端部和第二端部。第一端部定位在基体与第一导电层之间并且电连接于第一导电层，第二端部不与第二导电层重叠。第二部件包括第三端部和第四端部。第三端部定位在基体与第二导电层之间并且电连接于第二导电层。第四端部电连接于第二端部。

公开(公告)号：CN108735811A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810177242.6

申请日：2018-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  斋藤尚史 ,  大野浩志 ,  米原健矢

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/778 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置、电源电路以及计算机。提供阈值电压的变动得到抑制的可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：氮化物半导体层、栅电极、位于氮化物半导体层上的第1电极、位于氮化物半导体层上且在与第1电极之间有栅电极的第2电极以及位于氮化物半导体层与栅电极之间且具有包含Al和B中的至少任一个元素、Ga及Si的第1氧化物区域的栅极绝缘层，在将第1氧化物区域的氮化物半导体层侧的端部设为第1端部、第1氧化物区域的栅电极侧的端部设为第2端部、第1端部与第2端部间的距离设为d1、从第1端部向第2端部的方向分开d1/10的位置设为第1位置时，第1位置中的镓的原子浓度是至少任一个元素的原子浓度的80％以上120％以下。

公开(公告)号：CN108321198A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201710766840.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  斋藤尚史 ,  大野浩志

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电源电路、计算机和半导体装置的制造方法，提供能够抑制电流崩塌的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层，包含Ga；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层上，带隙比第一氮化物半导体层大，包含Ga；第一电极及第二电极，设置于第一氮化物半导体层上且与第一氮化物半导体层电连接；栅电极，设置于第一电极与第二电极之间；导电层，设置于第二氮化物半导体层上，与第二电极之间的第一距离小于第二电极与栅电极之间的第二距离，与第一电极或者栅电极电连接；第一氧化铝层，设置于栅电极与第二电极之间，设置于第二氮化物半导体层与导电层之间；氧化硅层；以及第二氧化铝层。