公开(公告)号：CN100373533C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200410056986.0

申请日：2004-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/665 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。本发明实现在Si晶片中不发生损伤的闪光灯退火法。在Si晶片1的上方设置闪光灯光源，在由从闪光灯光源辐射出的光加热Si晶片(1)时，以由上述光在Si晶片(1)上形成的光强度分布形成在与Si晶片(1)晶体取向不同的方向上强度成为最大的分布的方式，加热Si晶片(1)。

公开(公告)号：CN1591776A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410056986.0

申请日：2004-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/665 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。本发明实现在Si晶片中不发生损伤的闪光灯退火法。在Si晶片1的上方设置闪光灯光源，在由从闪光灯光源辐射出的光加热Si晶片(1)时，以由上述光在o晶片(1)上形成的光强度分布形成在与Si晶片(1)晶体取向不同的方向上强度成为最大的分布的方式，加热Si晶片(1)。

公开(公告)号：CN1495911A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03156727.4

申请日：2003-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 出羽光明 ,  饭沼俊彦 ,  须黑恭一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656

Abstract: 半导体器件具备MOSFET。该MOSFET，具备源/漏区、栅绝缘膜、栅电极和第1、第2、第3金属硅化物膜。源/漏区在半导体衬底的主表面区域中形成。栅绝缘膜在源/漏区间的沟道区上形成。栅电极，包括在上述栅绝缘膜上形成，Ge/(Si+Ge)组成比x(0＜x＜0.2)的poly－Si1－xGex层。第1金属硅化物膜，在上述栅电极上形成，由Ni Si1－yGey构成。第2、第3金属硅化物膜，分别在上述源/漏区上形成，由NiSi构成。