公开(公告)号：CN1252834C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03156727.4

申请日：2003-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 出羽光明 ,  饭沼俊彦 ,  须黑恭一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656

Abstract: 半导体器件具备MOSFET。该MOSFET，具备源/漏区、栅绝缘膜、栅电极和第1、第2、第3金属硅化物膜。源/漏区在半导体衬底的主表面区域中形成。栅绝缘膜在源/漏区间的沟道区上形成。栅电极，包括在上述栅绝缘膜上形成，Ge/(Si+Ge)组成比x(0＜x＜0.2)的poly-Si1-xGex层。第1金属硅化物膜，在上述栅电极上形成，由Ni Si1-yGey构成。第2、第3金属硅化物膜，分别在上述源/漏区上形成，由NiSi构成。

公开(公告)号：CN1495911A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03156727.4

申请日：2003-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 出羽光明 ,  饭沼俊彦 ,  须黑恭一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656

Abstract: 半导体器件具备MOSFET。该MOSFET，具备源/漏区、栅绝缘膜、栅电极和第1、第2、第3金属硅化物膜。源/漏区在半导体衬底的主表面区域中形成。栅绝缘膜在源/漏区间的沟道区上形成。栅电极，包括在上述栅绝缘膜上形成，Ge/(Si+Ge)组成比x(0＜x＜0.2)的poly－Si1－xGex层。第1金属硅化物膜，在上述栅电极上形成，由Ni Si1－yGey构成。第2、第3金属硅化物膜，分别在上述源/漏区上形成，由NiSi构成。