公开(公告)号：CN112186030B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202010122193.3

申请日：2020-02-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 向井章 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/68

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～3半导体区域。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN119008657A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410160038.9

申请日：2024-02-05

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 田岛纯平 ,  黄博勤 ,  新留彩 ,  梶原瑛祐 ,  彦坂年辉 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1、第2半导体区域。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN116264252A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202210896190.4

申请日：2022-07-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶原瑛祐 ,  新留彩 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/43

Abstract: 提供可得到稳定的特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1～第3电极、第1、第2半导体区域和第1构件。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N，0≤x1

公开(公告)号：CN114864684A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110946289.6

申请日：2021-08-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶原瑛祐 ,  大野浩志 ,  加藤大望 ,  向井章 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

Abstract: 提供一种能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含：第1～第3电极；第1、第2半导体区域；以及第1、第2绝缘构件。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1