公开(公告)号：CN115050833A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110953890.8

申请日：2021-08-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小林勇介 ,  井口智明 ,  雁木比吕 ,  根本宏树 ,  牛流章弘 ,  下条亮平 ,  可知刚 ,  西胁达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一电极、第二电极、第三电极、第一导电部件及第一绝缘部件。从第一电极向第二电极的方向沿着第一方向。第一绝缘部件包含第一位置、第二位置及第三位置。从第一导电部件端部向第一位置的方向沿着第二方向。第一位置在第一方向上位于第一电极与第二位置之间。第三位置在第一方向上位于第一位置与第二位置之间。第一元素包含从由氢、氦、氩和碳构成的组中选择的至少1种。第三位置处的第一元素的第三浓度高于第一位置处的第一元素的第一浓度，且高于第二位置处的第一元素的第二浓度。

公开(公告)号：CN114864669A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110946304.7

申请日：2021-08-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 雁木比吕 ,  井口智明 ,  小林勇介 ,  根本宏树

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1、第2导电部件、半导体部件以及第1绝缘部件。所述第1导电部件与所述第2电极电连接。或者，所述第1导电部件能够与所述第2电极电连接。所述第2导电部件从所述第2电极以及所述第3电极电绝缘。