公开(公告)号：CN100342062C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200410096554.2

申请日：2004-11-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丰田启 ,  松井嘉孝 ,  八寻和之 ,  山边纯成 ,  三岛志朗 ,  永松贵人

IPC: C25D7/12 ,  C25D5/18 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/002 ,  C25D17/10 ,  C25D21/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

Abstract: 根据本发明的一个实施例，提供一种电镀装置，包括：贮存电镀溶液的电镀溶液槽；在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器；放在电镀溶液槽中的第一阳极，该第一阳极由氧化-还原电位比构成籽晶层的金属的氧化-还原电位更高的阳极金属构成，并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上；以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极，该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。

公开(公告)号：CN1652297A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510007566.8

申请日：2005-02-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 重田厚 ,  井田和彦 ,  松井嘉孝

IPC: H01L21/00 ,  C09G1/00

CPC classification number: H01L21/02074 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 在半导体晶片上提供包含金属离子的基本CMP浆料的同时，使半导体晶片经受抛光处理，以至少部分地除去金属材料层，其中半导体晶片在半导体衬底上包括下层和金属材料层，下层包括在其中具有至少一个凹部的绝缘层，金属材料层形成在下层的顶表面上并填充凹部。然后，将螯合金属离子的有机酸添加到基本CMP浆料，并使用添加了有机酸的CMP浆料进行抛光，直到绝缘层的表面被露出。

公开(公告)号：CN1202558C

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02131623.6

申请日：2002-09-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小寺雅子 ,  松井嘉孝

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 半导体装置的制造方法，包含：准备具备半导体基片、p型半导体层、n型半导体层、被形成在半导体基片上的具有多个开口的绝缘膜、被形成在上述开口内以及上述绝缘膜上的导体的基体，在研磨衬垫表面与基体的器件面接触的状态下，一边向该研磨衬垫和该基体之间提供膏剂，一边进行化学式机械研磨，除去绝缘膜上的导体，在上述多个开口内分别形成配线，在使上述基体的器件面和上述研磨衬垫表面接触的状态下，在该研磨衬垫和该基体之间，提供从由阳极水、使水溶解具有酸性的气体的第1溶液、使水含有游离原子·分子的第2溶液、阴极水，以及使水溶解具有还原性的气体的第3溶液组成的组中选择出的至少1种液体，解除上述研磨衬垫对上述基体的紧密接触。