公开(公告)号：CN101399290B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810149776.4

申请日：2008-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中崎靖 ,  村冈浩一 ,  安田直树 ,  菊地祥子

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种能够电地写、擦除、读和保持数据的MONOS型非易失性半导体存储器器件，该存储器器件包括：源/漏区域；在沟道区上形成的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上形成的第一电荷俘获层；形成于第一电荷俘获层上，并且具有比第一栅绝缘层更大的膜厚度的第二栅绝缘层；以及在第二栅绝缘层上形成的控制电极。第一电荷俘获层包括包含Al和O作为主要元素的绝缘膜，该绝缘膜具有由间隙O原子和置换Al原子的四价阳离子原子的复合物形成的缺陷对或由氧空位和置换O原子的N原子的复合物形成的缺陷对，所述绝缘膜还具有位于距离Al2O3的价带最大值2eV-6eV的范围内的电子未占据能级。

公开(公告)号：CN101399291A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810161780.2

申请日：2008-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安田直树

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/528 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括在第一绝缘膜上的电荷存储层，设置在电荷存储层上、由多个层形成的第二绝缘膜，以及在第二绝缘膜上的控制栅极。该第二绝缘膜包括设置在电荷存储层上方的底层(A)、设置在控制栅极下方的顶层(C)、以及设置在底层(A)与顶层(C)之间的中间层(B)。中间层(B)具有比底层(A)和顶层(C)两者更高的势垒高度和更低的介电常数。中间层(B)的平均配位数比顶层(C)的平均配位数和底层(A)的平均配位数都小。

公开(公告)号：CN101399290A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810149776.4

申请日：2008-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中崎靖 ,  村冈浩一 ,  安田直树 ,  菊地祥子

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种能够电地写、擦除、读和保持数据的MONOS型非易失性半导体存储器器件，该存储器器件包括：源/漏区域；在沟道区上形成的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上形成的第一电荷俘获层；形成于第一电荷俘获层上，并且具有比第一栅绝缘层更大的膜厚度的第二栅绝缘层；以及在第二栅绝缘层上形成的控制电极。第一电荷俘获层包括包含Al和O作为主要元素的绝缘膜，该绝缘膜具有由间隙O原子和置换Al原子的四价阳离子原子的复合物形成的缺陷对或由氧空位和置换O原子的N原子的复合物形成的缺陷对，所述绝缘膜还具有位于距离Al2O3的价带最大值2eV－6eV的范围内的电子未占据能级。

公开(公告)号：CN103730516A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310710966.X

申请日：2008-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安田直树

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/528 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体区；在所述半导体区上的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上的电荷存储层；在所述电荷存储层上的第二绝缘膜；以及在所述第二绝缘膜上的控制栅电极，其中，所述第二绝缘膜包含：与所述电荷存储层接触的底层（A）、与所述控制栅极接触的顶层（C）、以及在所述底层（A）与所述顶层（C）之间的中间层（B），所述中间层（B）包含(SiO2)x(Si3N4)1-x，其中，0.75≤x≤1，所述底层（A）包含氧化铝、氮氧化铝、硅酸铝、氮化硅酸铝、氧化铪以及铝铪氧化物中之一，所述顶层（C）包含氧化铝、氮氧化铝、硅酸铝、氮化硅酸铝以及氮化硅中之一。

公开(公告)号：CN101330108A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810125335.0

申请日：2008-06-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 菊地祥子 ,  高岛章 ,  安田直树 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：第1导电类型的半导体区域；在半导体区域内相互离开配置的第2导电类型的扩散区；配置在扩散区之间的沟道区域上的隧道绝缘膜；配置在隧道绝缘膜上的浮置栅电极；配置在浮置栅电极上的电极间绝缘体；以及配置在电极间绝缘体上的控制栅电极。电极间绝缘体包含镧系金属Ln、铝Al、以及氧O，镧系金属和铝的组成比Ln/(Al+Ln)取0.33至0.39的范围内的值。